情 报 学 报 ISSN 1000—0135
第 27卷第 4期556—565，2008年 8月
JOURNAL OF THE CmNA SOCIE rY F0R SCIEN11nC
AND TECHNICAL INF0RMA 兀0N ISSN l00O一0135
Vo1．27 No．4，556 — 565 August 2008
专利计量的概念、指标及实证 ¨
以全球有机电激发光技术相关专利为例
邱均平 马瑞敏 徐 蓓 倪超群
(武汉大学信息管理学院，武汉 430072)
摘要 专利计量虽然在1994年才被提出，但是其在经济学、科学计量学等领域产生了广泛的影响。本文试图
通过从宏观、中观、微观三个层次分别构建了专利计量的指标体系，并通过对全球有机电激发光技术领域的相关专
利进行了详细地计量分析研究，主要对该领域机构进行了综合评价，分析了其年代分布、国际专利号分布、高被引
专利分布等方面，并且对拥有高被引专利的机构进行了共引分析和可视化分析。得出该领域最具竞争力的研究机
构、最早的公开专利、在中国的专利布局、研究机构之间相互关系等结论和启示。希望本文以对我国专利计量研究
提供有益 的参考 。
关键词 专利计量 专利引文分析 计量指标 有机电激发光技术(OEL)
The Concept and Indicators of Patentometrics：
A Case Study of the Global OEL Related Technology
Qiu Junping，Ma Ruimin，Xu Bei and Ni Chaoqun
(School ofInformation Management，Wuhan University，Wuhan 430072)
Abstract Although patentometrics was put forward in 1994，it has wide effects on the domains of economics and
scientometrics．This paper wan ts to build the indicators of patentometrics from macro，meso，and micro—scale hierarchy and we
give a case study of gl0ba1 OEL related technology in detail．We mainly evaluate the institutions in this field comprehensively and
analyze the year，international patent classification，highly cited patents distributions．At the~J11e time，we do co-citation an alysis
and visualization on the institutions that own the highly cited patents．In the end，we get the conclusion and revelation that the
most competitive institution， the earliest patent， the patent distribution in China and the relationships among the different
institutions．We hope our research is beneficial for the further patentometrics study in our country．
Keywords patentometrics，patent citation analysis，indicators，OEL
1 研究背景
“专利计 量”最早 由 Francis Narin于 1994年 在
{Scientometircs}上提出，英文可用 Patent Bibliomatrics
或 Patentometiles表示⋯。其定 义具体如下 ：将 数学
和统计学的方法运用于专利研究，以探索和挖掘其
分布结构、数量关系、变化规律等内在价值 。虽然
这个学术名词在 1994年才被提出，但是在国外其相
关的研究却始于 20世纪 70年代，在此期间以 CHI
Research公司为代表，它与美 国国家科学基金委员
会(u．S．National Science Foundation)合作研究了评
收稿 日期：2007年 4月2日
作者简介：邱均平，男，1947年生，武汉大学信息管理学院博导 ，主要研究方向：信息管理与科学评价。马瑞敏，男 ，1983年
生，武汉大学信息管理学院博士生，主要研究方向：信息计量与科学评价。E—mail：ruiminma@yahoo．COrn．ca。徐蓓 ，女，1984年
生，武汉大学信息管理学院硕士生 ，主要研究方向：网络计量。倪超群，女，1984年生，武汉大学信息管理学院硕士生，主要研
究方 向 ：电子商务 。
1) 本文系国家 自然科学基金资助项 目(70673071)“网上学术信息的分布与变化规律研究及其应用”课题成果之一。
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专利计量 的概念 、指标及实证
价国家科学(文献 )与科技(专利)之间相互关系的一
系列指标并应用在 了评估公 司价值方 面 。在 80
～ 90年代其相关研究 日趋激烈 ，在此期 间，拥有高
被引论 文的 学 者有 Z．Griliches，K．Pavitt，A．B．
Jaffe，F．Narin等①，论文成果主要集中在《Research
Policy))和<<Scientometircs))两个国际杂志上，他们的论
文研究可以概括为专利统计方法在评估企业创新力
的作用和专利引文分析 (含引文中的科学文献与科
学文献、科学文献与专利、专利与专利等之间的关
系)这两个方面。一直到今，国外关于专利的探讨仍
然继续，2007年即将在西班牙马德里举行的第 11届
科学计量学与信息计量学国际研讨会的征文要求范
畴之一便是“专利计量的指标”，这也可以看出其仍
然是一个研究的热点②。
在国内，关于专利引文的初步介绍开始于 1995
年 ，代表学者有马海群和陶辅文 ，他们分别探讨 了专
利引 文 的情 报 功 能 和专 利 引文 数 据库 的建 立 问
题 ；随后的是 2002年赵黎明等介绍了科学文献
和发明专利之间的关系及 CHI提 出的相关指标 ；
2005年杨祖国等对中国专利进行了纯引文角度分
析 ；2006年孙大鹏等用公司专利数量和公司销售
收入之间关系进行分析来看某公司的当前的核心业
务分布 。当然在台湾也有一批学者在研究专利咨
询和专利检索 ，其中尤其是陈达仁 、黄慕萱等学者的
相关研究系统且实际。虽然台湾涉及该领域的时间
也较 晚(2000年左右 )，但 是研究 比较深入 ，较有影
响的学者有 陈达仁 、黄慕萱、罗思嘉 等 。由此 可
见 ，在中国大陆 ，我们 现在关于专利计量 (含专利引
文)的研究很少 ，且多处于介绍性质 以及少数指标的
计量分析，还没有形成较系统的专利计量指标体系
和研究方法 ，实证研究更是寥寥无几 。
2 专利计量的指标
专利计量的指标 现在很多 ，但 是对于不 同的评
价目的，应该选择不同的指标以及指标组合。我们
在结合世界知名的 CHI Research公 司设计的指标体
系以及其他一些学者研究的指标和文献计量的相关
知识 卜” ，认为应该 从宏观 (某 领域 )、中观 (某公
司)和微观(某专利 )三个层次来设计不同的专利计
量指标体系。除了专利的地域分布、时间分布、机构
分布、被引次数、平均被引次数、自引次数等基本指
标对于每个层次都适用外，每个层次有其 自己独特
的一些指标。
2．1 宏观专利计量指标
此处宏观的意思是从某个产业(领域)来看专利
的各 种 分 布。其 独 特 指 标 有 ：① 技 术 循 环 周 期
(Technology Cycle Time，TCT)：指尚在利用的全部专
利年龄的中位数。考察该领域专利多长时间内被取
代，反 映竞争激烈程度。② 科学的强度 (Science
Strength，SS)：指该领域专利引用 的科学文献的绝对
数量。考察该领域专利与科学文献之间的关系强弱
的绝对量。③科学关联性(Science Linkage，SL)：指
科学的强度与该领域的专利数的比值。考察该领域
专利与科学文献之间的关系强弱的相对量。
2．2 中观专利计量指标
此处中观的意思是从某公司的角度来观察其专
利分布。从不同的分析角度来看，我们认为应该从
“所有领域”和“具体某领域”来设置不同的评价指标
体系。“所有领域”主要是从专利数和专利的领域分
布两个指标来 分析 ，在 此不进行赘 述。“具体某领
域”中的独特 指标有：①及 时影响指标 (Current
Impact Index，CII)：指该公司前 5年专利在当年的平
均被引次数与某专利系统中所有前 5年专利在当年
的平均被引次数的比值。考察公司最新专利的影
响。②技术强度(Total Technology Strength，Trs)：该
领域该公司与及时影响指标的乘积。考察专利质
量 ，为一个加权指标。
2．3 微观专利计量指标
此处的微观的意思是指具体到某一专利个体进
行计量。其独特指标主要有 ：① 同族专利：反映该专
利的地域分布。②科学力量 ：指该专利被引单元 中
科学文献的数量。反 映该 专利 与科 学文献 的交叉
性。③第一次被其他公司专利引用的时间：反映该
专利的技术壁垒性，如果很快被引用，说明被替代的
可能大 ，反之亦然。
前述分别给出了专利计量的宏观 、中观 、微观层
次的指标体系，对不同的研究 目的和研究对象应该
使用不同的评价体系。在这里我们想强调以下三
① 关于这些作者的研究方向详细情况可参见台湾云林科技大学林美兰博士的文章(参考文献[4])
② 详情参见专题网站 http：／／issi2007．cindoc．csic．es／
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情报 学报 第 27卷 第 4期 2008年 8月
点：①宏观、中观、微观三个层次指标体系中有些指
标是交叉的，比如专利数和专利的被引次数等，它们
是专利计量的基础性指标。但是有些我们认为它最
适合归属于某个层次的指标体系便将其归属到相应
的指标体系中，比如技术循环周期(Technology Cycle
Time，TCT)指标 ，虽然也可 以应用到中观层次 的专
利计量指标，但是我们认为它最适合计量产业(宏
观)专利分布，所以将其归人了宏观评价指标体系
中。②对于具体评价，有些指标获取的难易程度是
不一样的，并不强求每个指标的数据全部得到。不
如及时影响因子(Current Impact Index，CII)，它要求
计算专利系统所有前五年专利在当年的平均被引次
数，这对于一般专利研究者来说无疑是很难实现的。
③微观层次的计量指标是展开其他层次计量的基
础，所以在具体应用中，其渗透于其他一切专利计量
中，比如高被引专利的定义和选取。
3 全球有机电激发光技术
相关专利分析
有机电激发光(Organic Electroluminescence，OEL)
材料具有轻薄、可弯曲、自发光、高画质、省电等优
点 ，根据发光层有机材料的不同，OEL组件大致可分
为两种 ：一种是以染料或颜料为材料的小分子组件 ，
另一种是以共轭性高分子为材料的高分子组件。其
中小 分 子 OEL组 件 亦被 称 为 OLED(Organic Light
Emitting Diode)，高 分 子 OEL组件 则 被 称 为 PLED
(Polymer Light Emitting Diode)。OEL技术的构成简
单，无需背光单元，基板选择面广，材料和工艺方面
的要求比 LCD(Liquid Crystal Display)低近 1／3，它将
成为未来高清显示器发展的新趋势。在未来的应用
上，OEL具有 自发光特性 ，不需要 背光源 ，增加 的电
子传输层和电洞传输层大大提高了电子的发光效
率，因此在对比度，亮度方面有着无可比拟的优势。
另外，OEL的发光层可以轻松地表现出高分辨率的
26万真彩色，而且随着材料技术的不断发展，OEL
显示器在图像表现上的潜力将无法估量 。
我们利用德温特创新专利引文数据库(Derwent
Innovations Index，DII)¨ ，根据有机 电机发光技 术的
主要特点、结构特征和标准名称等对 DII的摘要字
段(DII中用 标引)构造了如下检索式 ¨：TS=
((organic electroluminescen*)or(electroluminescen*
semiconductor)or(Polymer Light Emitting Diode)or
(Organic Light Emitting Diode))，检索 的时段为 1963
—— — 558 。——
～ 2007．1．4，共检索到该领域相关专利25 945笔。以
下我们将对这些专利进行深入地分析。
3．1 专利机构综合评价
我们选择专利数、被引次数、平均被引这三个指
标来综合评价这些专有所有 者的竞争力 ，其权重分
别为 0．4，0．4，0．2，我们数据进行了除以各指标相应
最大值这样的标准化处理并加权得到了得分一栏的
具体数值。表 1给出了排序前20位的法人单位，除
得分指标外，数据皆为原始数据。
首先我们对专利数 、被引次数和平均被引三个
变量进行了肯特尔(Kendall’S tau．b)等级相关检验，
得到 r(专利数，被引次数)=一0．063，Sig．(2．tailed)
= 0．697；r(专利数 ，平 均被引)= 一0．600，Sig．(2．
tailed)=0．000；r(被 引，平均被引)=0．463，Sig．(2．
tailed)=0．004。由此可见专利数与被引次数相关性
很差，两者基本不存在明显的相关关系；专利数和平
均被引存在明显的负相关；只有被引和平均被引之
间存在着明显的相关性 。由此可以发现这些公司专
利的数量和质量是不一致的，专利数量多的，整体影
响力不一定高，每一笔专利的质量也不一定高。另
外我们为了更加直观的表现这三个变量之间的关
系，绘制了它们的折线图，从图 1也可以看出，三个
标准化指标的线(分别以菱形，正方形，三角形表示)
相互交叉 ，比较杂乱 ，没有呈现较好 的平行走 向，这
种现象尤其在专利和其他两个指标之间的折线图中
表现的更加明显，某一指标得分高，其他指标不一定
得分也高，两者之间的相互关系很不清晰。
从专利数指标来看，精工爱普生株式会社、韩国
三星、索尼公司、LG电子、三洋电机位居全球前五
位，全部由日韩这两个国家囊括，这和他们历来重视
专利保护以及先进的半导体技术有密切关系。从被
引次数指标来看，柯达公司、日本出光兴产公司、先
锋电子公司、半导体能源研究所、TDK株式会社位居
全球前五，主要是由美日两国囊括，其中拥有有机电
激发光技术的首笔专利的柯达公司更是遥遥领先，
确定了他这么多年的优势地位。从平均被引指标来
看 ，CDT公司、柯达公司 、出光兴产公司 、住友化学株
式会社 、NEC公司位居全球前五 ，这说明这五家公司
的专利质量普遍较高。从总得分来看，柯达公司、精
工爱普生株式会社、日本出光兴产公司、CDT公司、
先锋 电子公司位居全球前五 ，其 中柯达和 CDT公司
在技术创新方面独树一帜，它们分别是该领域第一
笔 OLED专利的拥有者和第一笔 PLED专利的拥有
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专利计量的概念、指标及实证
表 1 专利机构详细情况
公司代码 ％ of25945 公司 国别 专利数 被引次数 平均被引 得分
EAST．C 1．8O％ 柯达公 司 美 国 468 4 882 l0．43 l00．00
SHIH．C l2．6l％ 精工爱普生株式会社 日本 3 27l l 087 0．33 75．56
IDEK．C 1．73％ 日本出光兴产公司 日本 449 2 205 4．9l 50．17
CAMB．N 0．40％ CDT公 司 英 国 l04 l O94 10．52 46．13
P10E．C 2．O6％ 先锋 电子公司 日本 535 l 656 3．1O ’ 39．66
SEME．C 1．95％ 半 导体能源研究所 日本 505 l 413 2．8O 35．19
NIDE．C 1．40 ％ NEC公 司 日本 363 l 360 3．75 34．64
DENK．C 1．5l％ TDK株式会社 日本 392 l 366 3．48 34．49
SMSU．C 3．68％ 韩 国三星 韩 国 955 595 O．62 27．O6
SA0 C 2．40％ 三洋电机 日本 623 893 1．43 26．94
PHIG．C 0．97％ 飞利浦 电子公司 日本 25l 92l 3．67 26．83
SHAF．C 2．40％ 夏普株式会社 日本 622 736 1．18 24．24
S0NY．C 2．92％ 索尼公司 日本 757 602 O．8O 23．95
MATU．C 1．98％ 松下 电器产业株式会社 日本 5l3 678 1．32 21．87
SUM0．C 0．54％ 日本住友化学株式会社 日本 140 540 3．86 20．55
T0XW．C O．86％ 东洋油墨集团 日本 224 594 2．65 l9．3O
CAN0．C 1．78％ 佳能株式会社 日本 463 536 1．16 l8．69
MITU．C 1．43％ 东芝松下显示器技术公 司 日本 372 542 1．46 l7．94
GLDS-C 2．43％ LG电子 韩 国 630 288 0．46 16．67
FUJF．C 2．26％ 富士胶 片公 司 日本 587 323 O．55 16．58
者；先锋电子是第一个将 OLED商品化的厂家。是柯
达的首个授权厂家，并自己也不断创新；日本出光兴
产公司生产出了全球最高水平的发光效率和寿命的
红色 OLED材料，并且和索尼专利共享。精工爱普
生拥有全球最多的该领域的专利，并且近年与 CDT
公司合作非常紧密，他们联手建厂开发聚合体
OLED。
3．2 专利年代分布
我们对专利的授权公告年代绘制了折线图，以
观察该领域专利的成长状况，见图2。
通过图2可见，该领域的第一笔专利是在 1968
年产生的 ，但是从优先权 日来看 ，第一笔相关专利是
1961 年 由 通 用 电 气 公 司 拥 有 的 题 为
“Electroluminescent cells with phosphor．conductor”的专
利。从图 来看，该领域专利基本呈现随时间增长的
趋势，20世纪 60年代末至 80年代末，属于成长期；
90年代初至 2000年前，属于低速增长期；2000年后
至今，属于高速增长期，并且相关技术比较成熟，创
新难度增大，2005年达到了峰值，2006年便有所回
落，可预见以后进入该领域的门槛会更高。
3．3 国际专利分类号分布
以下我们统计了该领域的国际专利分类号的分
布情况，以大体摸清楚该领域专利争夺的热点。表
2给出了拥有 2000笔专利以上的相关国际专利分
类号。
我们可以看出，最多的专利数的国际专利分类
号为 H05B．033／14，主要还是有关发光材料的，由此
可见该领域的专利的再突破也很有可能是材料的选
用上，大量的专利申请意图也可以发现这些公司对
场致发光材料的重视 ，并试 图不断地保护 自己的创
新地位。从大 的类 目可 以看 出，主要集 中在 H(电
学)，C(化学、冶金)，G(物理)三个部 ，可见该技术主
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公司代码
。
图 1 三个标 准化指标分布情况
图 2 专利年代分 布情 况
要是物理电子和材料化学的综合应用。我们从相关
内容可以看出，该专利最主要的技术集中在“光源及
其制作材料 (H05B．033、C09K．011／06)”、“发光面板
和主动、被动矩阵电路(G09G．003、G09F-009／30)”、
“专门适用于光发射的半导体器件(H01L-051／50) ’
这三个大方面。
3．4 在中国申请专利公司分布
在中国申请专利是指以 CN这一国别代码开头
的所有该领域相关专利，共有 3687笔专利。我们给
出了在中国拥有专利数 100笔以上的公司，其分布
见表 3。
① I401L-051／50这一分类号在最新的第八版 IPC设置的，也由此可见该技术在当前受重视程度很高(参见参考文献[17]
[18])。
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专利计量的概念、指标及实证
表 2 国际专利分类号分布情 况
占该领域 国际专利分类号 专利数 相关内容
专利比例
啪5B．033／14 10 336 39．84％ 以场致发光材料的化学成分或物理组成或其配置为特征的
H05B．033／10 4 954 19．O9％ 专门适用于制造场致发光光源的设备或方法
CO9K．O1 1，O6 3 976 15．32％ 含有机发光材料
啪5B．033／22 3 573 13．77％ 以辅助介电层或反射层的化学成份或物理组成或其配置为特征的
HO1I，O51／50 2 660 10．25％ 专门适用于光发射的，如有机发光二极管 (OLED)或聚合物发光器件(PLED)
H05B．033／12 2 641 10．18％ 实质上有两维辐射表面的光源
Go9F．0o9／30 2 581 9．95％ 由组合单个部件所形成的符号所需的字符或字符组
Go9G0o3／30 2 l24 8．19％ 用电发光 面板
Go900o3，20 2 O68 7．97％ 用于显示许多字符的组合，例如，用排列成矩阵的单个元件组成系统构成的页面
表 3 在 中国申请专利公司情况
占在中国申 占该公司全
DII公司代码 专利数 公司 国别，地区 请专利比例 球专利比例
SHIH．C 495 13．43％ 15．13％ 精工爱普生株式会社 日本
SMSU．C 481 13．O5％ 50．37％ 韩国三星 韩 国
GLDs-C 225 6．1O％ 35．71％ LG电子 韩 国
SA0I，C 194 5．26％ 31．14％ 三洋电机 日本
Y0UD．N 164 4．45％ 55．59％ 友达光电公司 中国台湾
SEME．C 154 4．18％ 30．5O％ 半导体能源研究所 日本
P10E．C 1O9 2．96％ 20．37％ 先锋 电子公 司 日本
从表 3可以看出，在中国申请专利最多的两个
厂商是日本的爱普生和韩国的三星，而在中国有影
响的厂商基本被 日本和韩国囊括，台湾的友达光电
公司在液晶平面显示器方面在全球有着一席之地。
其中韩国三星和台湾友达光电公司在中国申请的专
利占他们在全球申请的专利的 50％以上，可见他们
把全球市场的重点放在了中国大陆，他们的动向要
格外注意。我们国家的在该领域申请专利也要多了
解这些大厂商的专利详情，以免构成专利侵权。
3．5 高被引专利分布
这里我们所说的高被引专利是指从授权日期起
到2007年 1月4日为止总被引次数在 60次以上的
专利，总共有 69笔高被引专利，它们都是该领域非
常重要的基础专利，有着非常大的创新性和指导性。
每笔专利都值得从事该领域或者欲从事该领域研发
的公司研究 ，具体情况见表 4。
首先，从表4可以看出，拥有高被引最多的前 5
个公司是：美国柯达公司(23笔)、美国普林斯顿大
学(5笔)、日本出光兴产公 司(4笔 )、日本先锋 电子
公司(4笔)和 日本 NEC公司 (3笔)，其 中美 国柯达
公司无疑是该领域的领军研发单位。被引 300次的
只有三个专利，被英国CDT公司和美国柯达公司囊
括 ，可见这两个公司对该 领域 的突出贡献。这三个
专利 都 属 于 该 领 域 的 基 础 性 研 究，CDT 的
(WO9013148一AI)为共轭聚合体方面的研究，柯达的
两笔(EP281381一A，EP120673．A)都是关于有机电激
发光基本原理、结构及改进方面的研究，值得一提的
是，柯达的这两笔专利发明者之一都为华人科学家
邓青云博士，他被认为是该领域的开拓者。另外从
国别来看 ，见图 3，前 5名 国家是美 国(44笔)、日本
(2O笔)、荷兰(2笔)、英国(2笔)和德国(1笔)，由此
一 561 —
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情报学报 第27卷 第 4期 2008年8月
表 4 高被引专利情况
被弓 DII专利号 拥有者 授权 被引 授权
次彰 日期 国别 DII专利号 拥有者 国别 次数
日期
4lO W09ol3148．Al CDT公司 l990 英国 80 EP8O942O．A 出光兴产公司 l996 日本
397 EP28l381．A 柯 达公 司 1988 美国 80 JP103l9908．A Samoff公 司 l999 美国
356 EPl2O673．A 柯达公司 l984 美国 79 W0： O0o36665．A 巴蒂尔记录学会 2O0o 美国
288 EP278758．A2 柯达公司 l988 美国 75 JP2000340801．A 半导体能源研究所 2O0o 日本
257 JP89007635 B2 柯达公 司 l982 美 国 76 JP8054836．A NEC公 司 l996 日本
219 EP278757．A2 柯达公 司 l988 美 国 74 EP544795．A CDT公 司 l992 英 国
l99 EP808244．A 普林斯顿大学 l996 美国 72 EP873343．A 先进科材股份有限公司 l997 美国
l89 W09828767．A 普林斯顿大学 l998 美国 7l JP62OO244．A 凸版印刷株式会社 l994 日本
l86 EP550o63．A 柯达公司 1993 美国 69 W02O0o33390．A 通用电气 2O0o 美国
158 W09733296．A 普林斯顿大学 1997 美国 69 US5693956．A 摩托罗拉 l998 美国
145 EP7l7446．A 柯达公司 l996 美国 68 EP78l075．A 出光兴产公司 l996 日本
l35 EP525739．A 柯 达公 司 l992 美 国 68 EPl75980 A2 美国能源转换公司 l986 美国
l27 EP732868．A 先锋 电子公 司 l996 日本 67 EP468438．A2 柯达公司 l992 美国
l24 EB443861．A2 日本住友化学株式会社 1991 日本 66 EP365445．A2 柯达公司 l990 美国
l22 EI'468528．Al 柯 达公 司 1991 美 国 66 W02O0o55914．A 金泰克斯公 司 2O0o 美国
ll9 EP532798．A 日本旭化成株式会社 1993 日本 66 EP977469．A 惠普公司 2O0o 美国
ll2 W0 l20081．A 普林斯顿大学 l999 美国 66 EP855848 A KID0 J l998 日本
lo9 W09833 165．A 卡西欧计算机株式会社 l998 日本 65 US6l56581．A 先进科材股份有限公司 200l 美国
1o6 EI】550o62．A 柯达公 司 1993 美国 65 Ep669387．A 柯达公 司 199l5 美 国
l06 US5O47687．A 柯达公司 l99l 美国 65 EP777281．A 摩托罗拉 1997 美 国
lo4 W0200o4l 893．A 3M 2O00 美国 64 JP1 l282419．A NEC公司 2O0o 日本
lo4 W092l6023．A 加州大学 1992 美国 63 EP7l7445．A 柯达公 司 l996 美 国
103 EP71 743 A 柯 达公 司 1996 美 国 63 WO9947970．A 电子墨水公 司 1999 美 国
99 EP776l47．A 先锋 电子公 司 l997 日本 62 EP643549．A 柯 达公 司 1995 美 国
96 EB468437．A2 柯 达公 司 1991 美 国 62 JP6l63158．A 先锋电子公 司 l994 日本
93 EP387715．A2 出光 兴产公 司 l990 日本 61 W0删 1892．A 3M 2O0o 美 国
92 EB 68439．A2 柯达公司 l99l 美国 61 EP8458l2．A 卡西欧计算机株式会社 l998 日本
89 WO9807173．A 普林斯顿大学 l998 美国 61 EP822603．A 柯达公司 l998 美国
87 W09824271．A 精工爱普生株式会社 l998 日本 6l US3900034．A 美国原子能委员会 1975 美国
86 EP773707．A 柯达公司 1997 美国 60 W09954385．A 陶氏化学公司 l999 美国
86 JP8227276．A 先锋电子公司 l996 日本 60 EP373582．Al 出光兴产公司
。
l990 日本
84 EP1553496．A 柯达公司 l993 美国 60 W09965012．A 飞利浦公司 2O0o 荷兰
84 EP65O955．A 大赛璐化学工业株式会社 l995 日本 60 EP653741．A NEC公司 l995 日本
83 Ep686662．A 拜尔股份公 司 l995 德 国 60 EP622439．A 飞利 浦公 司 l994 荷兰
82 EP534510．A 柯达公 司 l992 美 国 总计 ：69笔
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专利计量的概念、指标及实证
日
图 3 高被引专利国别分布情况
国
可见该领域的技术强国为美国和 日本，他们 占了
92．8％的全球高被引专利，掌握着绝大多数的核心
技术，在该领域有着很强的国家科技竞争力。
我们对这 69笔高被引专利所在的科研单位(公
司、大学)进行了共被引分析，形成了28×28的共被
引矩阵，删除了 9个包含过多 0模块的公司，剩下 了
19个科研单位(公司、大学)，并最终形成了 19×19
的共被 引矩阵。我们利用 SPSS进行 了聚类 分
(Cluster)和多维尺度分析(MDS)，并且利用 Pajek进
行了可视化①。具体结果见图 4～图 6。
从图 4来看 ，我们按虚线来划分不同的公司类
C A S E
Label Nun
出光兴 产公可 5
柯达公 可 S
cDI公可 I8
3■ l9
先镶 电子公 可 I
凸版 印嗣株式会 社 2
捕工爱警生株式全社 l0
卡西欧计算机株式全社 9
船c公可 IT
旭化成株式会社 4
加州大擘 II
拜 尔股份公可 l5
住友化擘株式会社 3
摩托 罗拉 T
巴■尔记录擘全 I6
警林斯顿大擘 6
大赛璃化擘工业株式全 l4
惠警公可 l2
飞利浦电子公可 I3
群，共分为 6个群：出光兴产公司、柯达公司、CDT公
司、3M、先锋电子公司、凸版印刷株式会社、精工爱
普生株式会社、卡西欧计算机株式会社 、NEC公司和
旭化成株式会社这 10个公司为一个群(A群)；加州
大学、拜尔股份公司、住友化学株式会社这 3个公 司
为一个群(B群)；摩托罗拉、巴蒂尔记录学会、普林
斯顿大学这三个机构为一个群(C群)；大赛璐化学
工业株式会社(D群)、惠普公 司(E群 )、飞利浦 电子
公司(F群)各为一个群。
我们从群的角度可以看出，各个群内的科研单
位在 OLE技术的研发方面都有很大的关联性，它们
拥有的优质专利基本 研究方 向是一致 的，很有可能
既是竞争者又是合作者 ，比如柯达公 司和先锋 电子 、
NEC，普林斯顿大学 和摩托 罗拉 都有合作或者专利
授权关系。在科技全球化的今天，专利在保持公司
核心地位的同时，也肩负着普及和推进科技前进的
重任，现在不少公司都通过专利共享、共同研发等形
式进行合作竞争，从而形成更大的专利辐射范围，最
终更加巩固 自己的地位 。
从 图 5可以看出 ，MDS的结果和聚类的结果非
常吻合，并且从检验值(Normalized Raw Stress)来看，
区分度很好，清晰的将聚类的 6个群在坐标轴内可
视化，从他们之间的距离角度可以更加直观看出他
们之间关系的亲近程度。比如 A群，10个研发单位
基本聚集在一起 ，关系密切 ，很直观的便可以将他们
划分 为一类 。而 D、E、F群分散在坐标轴不 同的方
图 4 高被 引专利所在 公司聚类结果
① 对于聚类和多维尺度分析都采用的是欧几里得距离的平方这一非相似性相关算法；Pajek软件对于学术研究是免费
的，可见 以下网址下载 ：http：／／vlado．fmf．uni—lj．si，pub，netw0rks，pajek，
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情报学报 第 27卷 第4期 2008年 8月
圈5 裔被引专利所在公司多维尺度分析结果，
Normalized Raw Stress=0．∞5
位，是三个孤点，必然各 自被划分为一类。MDS给
我们更加直观的视觉感受。
MDS只能从距离的角度将共被引矩阵可视化，
即只能看到两两关系的亲密度，但是无法具体量化，
并不知道两者到底有多亲密。Pajek可以弥补 MDS
这个缺点。从图6可以看出，顶点最大的是柯达，表
示其自被引值最大，技术的连续性强。从线的粗细
来看，柯达和 CDT之间最粗，表明他们的共被引强
度最高，关系最亲近。同时我们也可以看出，柯达在
OLE技术研究方面的强大优势，许多公司都和他有
着或多或少的关联 。
4 结论和进一步研究
本文研究了专利计量宏观、中观和微观三个层
次的指标体系和计量方法，并结合 OEL技术进行实
证研究，这一实证研究主要利用的是宏观指标体系
(OEL这一产业)，得到了该领域机构的综合竞争力
情况、年代分布、高被引专利分布等专利情报，但毕
竟是第一次涉及这样较系统的专利计量研究，还有
待进一步深入研究。
(1)继续深入研究专利检索技术，摸清楚各个专
利数据库 ，积极了解一些热门应用领域相关技术 的
构成，争取将检索工作做得更精确。
(2)进一步做好基础性的研究工作，研究中国专
利与科学文献之间的关系，争取发现中国公司(专利
主要拥有者)和学术机构(科学文献主要拥有者)之
间关系。
(3)进一步探讨专利指标的可适用性，并将所有
指标都实际计量，更加提高专利指标的实践性和科
学性。
(4)开发专门的专利计量工具，实现专利计量尤
其是专利共引矩阵的自动实现，提高计量的效率和
准确性。
最后，希望本文能够为我国以后专利计量的研
究提供有益的参考。
圈6 用 lPajek可视化裔被引专利所在公司共被引矩阵
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专利计量的概念、指标及实证
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(责任编辑 王建平)
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