第三章 代表性工艺
标准双极工艺
• 基本特征
• 制造工序
N型埋层
外延层生长
隔离扩散
深N+扩散
基区注入
发射区扩散
接触、金属化、覆盖保护层
• 可用器件
NPN晶体管
• 可用器件
NPN晶体管
衬底PNP晶体管
横向PNP晶体管
基区电阻
发射区电阻
基区埋层电阻
电容
上下隔离
• 工艺扩展
双层金属
肖特基二极管
高值薄层电阻
高值薄层注入由浅的轻掺杂P型注入形成
多晶硅CMOS工艺
• 基本特征
采用多晶硅，实现自对准
• 制造工序
外延生长、N阱扩散
反型槽
沟道终止注入
LOCOS工艺
阈值调整
多晶硅淀积
源漏注入
接触、金属化、覆盖保护层
• 可用器件
NMOS晶体管
PMOS晶体管
衬底PNP晶体管
多晶硅电阻
NSD和PSD电阻
电容
• 工艺扩展
双层金属
浅槽隔离
扩展漏区高压晶体管
模拟BiCMOS工艺
• 基本特征
• 制造工序
N型埋层、外延生长
N阱扩散和深N＋区
基区注入
反型槽
沟道终止注入
LOCOS
阈值调整
多晶硅淀积及光刻
源/漏注入
金属化及保护层
• 可用器件
NPN晶体管
衬底PNP晶体管
横向PNP晶体管
基区电阻
• 工艺扩展
介质隔离
DI BiCMOS纵向NPN晶体管
DI BiCMOS纵向PNP晶体管
其它工艺
高压DMOS部分
低压部分
隔离部分的实物照片
一个集成电路的例子
功率集成电路的高压部分的版图照片
器件的照片1
器件的照片2
器件的照片3
器件的照片4
器件的照片5
器件的照片6
