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招股说明书梳理系列（二）：长鑫科技
电子
证券研究报告 行业专题报告 /
投资评级:看好（维持）
最近 12 月市场表现
分析师 唐佳
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分析师 詹小瑁
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zhanxm@
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胀，国产替代开启成长新篇》 2026-04-13
核心观点
❖ 长鑫科技更新 IPO 招股书，上市进程再推进：5 月 20 日，长鑫科技更新
了科创板 IPO 招股书，拟在科创板挂牌上市。此次 IPO，长鑫科技拟募资 295
亿元，用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM 存储器技术升
级项目及动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目。项目达产后将形成
覆盖多代际 DRAM 产品的规模化量产能力，并配套先进工艺升级及前瞻技术
研发平台，进一步匹配 DRAM 存储领域的高增长需求。
❖ DRAM 行业市场空间广阔，下游应用场景多元：当前全球数据总量呈爆
发式增长，海量数据的实时读写与高效处理催生 DRAM 芯片广阔的市场空
间。根据 Omdia 预测，全球 DRAM 市场规模有望从 2025 年的 1,505 亿美元
增长至 2030 年的 5,710 亿美元，年均复合增长率达 %。根据 Yole 数据，
中国作为全球主流 DRAM 消费大国，2024 年市场规模已达 250 亿美元，占全
球比重超四分之一。但中国 DRAM 目前仍高度依赖进口，国产替代空间巨大，
全球 DRAM 市场长期由三星、SK 海力士、美光三家垄断，三者合计份额超
过 90%。下游应用场景中服务器、移动设备、个人电脑与智能汽车构成核心
需求来源，其中服务器 DRAM 是增长最快的细分市场之一，数据中心持续扩
张与 AI 算力基础设施建设构成核心驱动力。
❖ 技术领先筑牢护城河，产能扩张打开成长空间：长鑫科技是我国规模最
大、技术最先进、布局最全的 DRAM 研发设计制造一体化企业之一。根据
Omdia 数据，公司按出货量及销售额统计已位居中国第一、全球第四，正加速
进入全球主流厂商阵营。公司采取“跳代研发”策略，已完成从第一代到第四代
工艺平台的量产，核心产品及工艺技术达到国际先进水平；在合肥、北京两地
拥有 3 座 12 英寸 DRAM 晶圆厂，产能规模亦居中国第一、全球第四。产品
端，公司全面覆盖 DDR 与 LPDDR 两大主流系列，可提供 DDR4、DDR5、
LPDDR4X、LPDDR5/5X 等当前市场主流代际产品，并依托 DRAM 晶圆、芯
片、模组等多元化产品方案，广泛布局服务器、移动设备、个人电脑、智能汽
车等下游市场，与阿里云、字节跳动、腾讯、联想、小米、OPPO、vivo 等头
部客户建立了深度合作，具备显著的产业引领优势。
❖ 风险提示：技术研发不及预期风险；存储芯片行业需求增长不及预期风险；
股权分散风险；宏观经济风险。
-2%
23%
48%
73%
98%
123%
电子 沪深300
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行业专题报告/证券研究报告
内容目录
1 公司基本情况 ............................................................................................................................................... 4
公司发展历程 ............................................................................................................................................ 4
管理层及股权情况 .................................................................................................................................... 4
公司财务情况 ............................................................................................................................................ 6
公司前五客户销售情况 ............................................................................................................................ 6
2 公司业务梳理 ............................................................................................................................................... 7
行业发展情况 ............................................................................................................................................ 7
DRAM 概况 ............................................................................................................................................ 7
DRAM 分类及应用领域 ........................................................................................................................ 8
DRAM 产业链情况 ................................................................................................................................ 8
DRAM 市场规模迅速扩张 .................................................................................................................... 9
DRAM 行业有周期性特征 .................................................................................................................. 11
公司产品矩阵 .......................................................................................................................................... 11
公司产品工艺 .......................................................................................................................................... 13
3 公司募集资金项目 ..................................................................................................................................... 13
4 风险提示 ..................................................................................................................................................... 14
图表目录
图 1: 公司发展历程 ........................................................................................................................................ 4
图 2: 公司股权结构（截至 2026 年 5 月 20 日） ........................................................................................ 5
图 3: 公司近年营业收入迅速增长 ................................................................................................................ 6
图 4: 公司近年归母净利润迅速增长 ............................................................................................................ 6
图 5: 公司产品收入结构 ................................................................................................................................ 6
图 6: 公司主要产品 2025 年毛利率大幅上升 .............................................................................................. 6
图 7: 存储芯片分类 ........................................................................................................................................ 7
图 8: 1T1C 结构示意图 ................................................................................................................................... 7
图 9: 2025 年全球半导体、集成电路和存储芯片市场份额 ........................................................................ 8
图 10: DRAM 主要分类及应用 ...................................................................................................................... 8
图 11: DRAM 产业链 ...................................................................................................................................... 9
图 12: 2020-2030 年全球 DRAM 市场规模（亿美元） ............................................................................... 9
图 13: 2025-2030 年 DRAM 下游应用市场需求占比 ................................................................................. 10
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行业专题报告/证券研究报告
图 14: 2025-2030 年全球服务器 DRAM 搭载量 ......................................................................................... 10
图 15: 2025-2030 年全球移动设备 DRAM 搭载量 ..................................................................................... 10
图 16: 2025-2030 年全球个人电脑 DRAM 搭载量 ..................................................................................... 11
图 17: 2025-2030 年全球智能汽车 DRAM 搭载量 ..................................................................................... 11
图 18: 2020-2025 年 DRAM 价格变化图(美元/GB) ................................................................................... 11
图 19: 主要产品工艺图示 ............................................................................................................................ 13
表 1: 公司高管背景 ........................................................................................................................................ 5
表 2: 公司 DDR 系列产品 ............................................................................................................................ 12
表 3: 公司 DRAM 模组产品 ........................................................................................................................ 12
表 4: 公司募集资金项目简介（亿元） ...................................................................................................... 13
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行业专题报告/证券研究报告
1 公司基本情况
公司发展历程
公司是我国规模最大、技术最先进、布局最全的 DRAM 研发设计制造一体化企业
之一。自 2016 年成立以来，公司以“跳代研发”实现技术快速迭代，工艺平台已升
级至第四代，产品覆盖 DDR5、LPDDR5/5X 等国际主流规格，技术水平跻身国际
先进行列。公司构建了 DDR、LPDDR 等多元化产品矩阵，可提供 DRAM 晶圆、
芯片、模组等多样化方案，全面覆盖服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等
市场需求。依托全业务环节的核心技术体系与自主知识产权积累，公司搭建了广
泛的优质客户资源，客户包括阿里云、字节跳动、腾讯、联想、小米、传音、荣
耀、OPPO、vivo 等行业核心客户。
图1: 公司发展历程
数据来源：公司招股说明书，公司官网，财通证券研究所
管理层及股权情况
公司管理层行业经验深厚、专业背景扎实，核心成员均在相关领域深耕多年，为
公司的技术突破、业务拓展与长期发展提供了坚实的战略引领与运营支撑。公司
董事长朱一明先生具备丰富的海内外产业从业经历，并于 2005 年创办兆易创新，
自 2005 年 4 月至今始终担任兆易创新董事长，长期引领国内存储与半导体行业发
展，能为公司的战略规划与技术突破提供关键指引。
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行业专题报告/证券研究报告
表1: 公司高管背景
姓名 职位 个人履历
朱一明 董事长
中国国籍，拥有新加坡永久居留权，硕士研究生。曾先后任 ipolicy Networks Inc.
工程师、Monolithic System Technologies Inc.项目主管；2005 年创办兆易创新，
2005 年 4 月至今，任兆易创新董事长。现任公司董事长。
曹堪宇 董事、总裁
中国国籍，无境外永久居留权，博士研究生。先后曾任职于美国飞利浦半导体股
份有限公司、美国 Hyperband comm.公司；曾创立北京昆天科微电子有限公司、
北京凡达讯科技有限公司。现任公司董事兼总裁。
赵纶 总经理
中国国籍，无境外永久居留权，本科学历。曾先后任职于原邮电部半导体研究
所、原电信科学技术研究院集成电路设计中心、大唐电信科技股份有限公司微电
子分公司等；先后任大唐微电子技术有限公司总经理、副董事长，期间曾任大唐
电信科技股份有限公司董事、副总经理。现任公司总经理。
张羽 联席总裁
中国国籍，无境外永久居留权，硕士研究生。先后担任航空部第 606 研究所工程
师、北京安可尔通讯技术有限公司副总经理；曾在京东方先后担任总监、高级副
总裁、执行副总裁等职务。现任公司联席总裁。
朱文菊 执行副总裁
中国国籍，无境外永久居留权，硕士研究生。先后任职于英特尔(中国)有限公
司、NMX Philippines 等公司；曾于美光半导体西安/新加坡/马来西亚担任总经理
及副总裁职务。现任公司执行副总裁。
黄丹阳 高级副总裁、财务负责人
中国国籍，无境外永久居留权，博士研究生，拥有特许公认会计师(ACCA)，高
级会计师职称。先后于江森自控(中国)投资有限公司、麦格纳汽车技术(上海)有
限公司、上海辑智信息科技有限公司、惠而浦(中国)股份有限公司担任财务总
监。现任公司高级副总裁及财务负责人。
冯鹏熙 高级副总裁
中国国籍，无境外永久居留权，博士研究生，具有高级会计师、高级经济师职
称，曾获得特许金融分析师(CFA)和金融风险管理师(FRM)资格。曾任任武汉金
融控股集团有限公司副总经理及总经济师、湖北集成电路产业投资基金股份有限
公司董事长(期间曾任武汉市江汉区副区长)等职务。现任公司高级副总裁。
袁园 副总裁、董事会秘书
中国国籍，无境外永久居留权，本科学历。曾任京东方科技集团股份有限公司科
长、部长等职务。现任公司副总裁、董事会秘书。
李红文 高级副总裁
中国国籍，无境外永久居留权，本科学历。先后任职于中国航空计算技术研究所
第十研究室、北京高鸿信通技术有限公司、北京畅迅信通技术有限公司；曾任美
光半导体(上海)有限责任公司设计部经理。现任公司高级副总裁。
数据来源：公司招股说明书，财通证券研究所
公司股权分散，为无控股股东、无实际控制人结构，任何单一股东均无法控制股
东会且不足以对股东会决议产生决定性影响，保证了核心管理团队决策的长期实
行。截至 2026 年 5 月 17 日，公司第一大股东清辉集电持股比例为 %，第二
大股东长鑫集成持股比例为 %，其余股东包括大基金二期（持股 %）、合
肥集鑫（持股 %）、安徽省投（%）等。
图2: 公司股权结构（截至 2026 年 5 月 20 日）
数据来源：公司招股说明书，财通证券研究所
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行业专题报告/证券研究报告
公司财务情况
公司近年营收与归母净利润均实现大幅增长，2022—2025 年营业收入由 亿
元快速攀升至 亿元，2026 年一季度延续高增态势；盈利端来看，公司 2022
到 2023 年受行业周期下行及产能爬坡影响而亏损，但随着 2024 年以来 DRAM 行
业景气回暖、产品价格回升，公司盈利水平显著修复，2025 年归母净利润扭亏为
盈，2026 年一季度归母净利润达 亿元，同比增长 1,%。
图3: 公司近年营业收入迅速增长 图4: 公司近年归母净利润迅速增长
数据来源：公司招股说明书，财通证券研究所 数据来源：公司招股说明书，财通证券研究所
从收入结构来看，公司长期以 LPDDR 系列为核心收入来源，2022—2024 年其收
入占比维持在 74%—82%之间；2025 年随着 DDR 系列（尤其是 DDR5 等高代际
产品）快速放量，LPDDR 占比降至 66%，DDR 占比则从 13%大幅提升至 32%。
盈利能力方面，受 2022—2023 年行业深度下行影响，公司主要产品毛利率均为负
值；2024 年起随着行业景气回暖，LPDDR 系列毛利率率先修复至 %，2025 年
LPDDR 与 DDR 系列毛利率分别跃升至 %和 %，标志着公司盈利质量
已实现实质性改善，随着高代际产品占比持续提升及规模效应进一步显现，整体
毛利率水平有望继续向国际龙头靠拢。
图5: 公司产品收入结构 图6: 公司主要产品 2025 年毛利率大幅上升
数据来源：公司招股说明书，财通证券研究所 数据来源：公司招股说明书，财通证券研究所
公司前五客户销售情况
公司客户集中度处于较高水平，但有一定下降趋势。2023-2025 年公司向主营业务
的前五大客户合计销售金额分别为 、、 亿元，占各期主营业务
收入的比例分别为 %、%及 %。
%
% %
%
0%
100%
200%
300%
400%
500%
600%
700%
800%
0
100
200
300
400
500
600
700
2022 2023 2024 2025 2026Q1
营业收入（亿元） yoy
%
% %
%
-500%
0%
500%
1000%
1500%
2000%
-200
-100
0
100
200
300
2022 2023 2024 2025 2026Q1
归母净利润（亿元） yoy
0%
20%
40%
60%
80%
100%
2022 2023 2024 2025
LPDDR系列 DDR系列 其他产品及服务 其他业务
% %
%
%
%
%
%
%
-10%
0%
10%
20%
30%
40%
50%
2022 2023 2024 2025
LPDDR系列 DDR系列
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行业专题报告/证券研究报告
2 公司业务梳理
行业发展情况
DRAM 概况
存储芯片作为集成电路的关键分支，是实现数据存取与读写功能的核心电子器件，
既是各类电子设备的核心部件，也是新一代信息技术发展的重要支撑。根据断电
后数据是否可保留，存储芯片可分为易失性存储与非易失性存储两大类：其中，
易失性存储以随机存取存储器（RAM）为核心，需要持续通电以临时保存数据，
为 CPU 提供高速读写的运行空间。
图7: 存储芯片分类
数据来源：公司招股说明书，财通证券研究所
DRAM 是主流的易失型半导体存储器，DRAM 是当前主流的易失性半导体存储
器，其存储单元采用 1T1C（单晶体管+单电容）的结构，通过电容的充放电状态
表示数据位（0 或 1）；但由于电容存在自然漏电特性，必须通过周期性电荷刷新
维持数据完整性，因此被称为“动态存储器”。相较于 SRAM等其他易失性存储器，
DRAM 单元结构简单，可在有限芯片面积上集成海量存储单元，具备显著的高存
储容量与成本效率优势，主要用于数据和程序的临时存储，广泛应用于服务器、
移动设备、个人电脑、智能汽车等各类电子设备及系统。
图8: 1T1C 结构示意图
数据来源：公司招股说明书，财通证券研究所
DRAM 是全球半导体市场中规模最大的单品之一。据 WSTS 与 Omdia 数据，
DRAM为存储芯片中市场规模最大的品类，2025年全球市场规模为1505亿美元，
占存储芯片市场规模的比例约为 65%，凸显了其在信息产业中的战略性地位。
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行业专题报告/证券研究报告
图9: 2025 年全球半导体、集成电路和存储芯片市场份额
数据来源：公司招股说明书，WSTS，Omdia，财通证券研究所
DRAM 分类及应用领域
DRAM 根据技术特性与应用场景的差异，主要分为 DDR（双倍速率同步动态随机
存储器）、LPDDR（低功耗双倍速率同步动态随机存储器）、GDDR（图形双倍速
率同步动态随机存储器）等品类。其中，DDR 作为通用计算场景的核心 DRAM 品
类，兼具带宽、容量与功耗的均衡性能，主要应用于台式电脑、笔记本、服务器
等设备；LPDDR 面向移动场景优化，可在保障性能的同时显著降低功耗，广泛用
于智能手机、平板电脑、智能穿戴设备等；GDDR 则专为图形渲染与并行计算设
计，以高数据带宽满足显卡、游戏主机、高性能计算系统的高负载图形处理需求。
图10: DRAM 主要分类及应用
数据来源：公司招股说明书，财通证券研究所
DRAM 产业链情况
DRAM 产业链分为上中下游：上游为 IP、EDA、设备及零部件、材料等基础支撑
环节；中游以 DRAM 设计、晶圆制造、封装测试为核心，是产业价值的关键环节；
下游覆盖服务器、消费电子、移动设备、工业控制等多元应用场景。从经营模式
看，IDM 模式相比垂直分工模式要求企业具有更强技术与资金实力。IDM 模式下
企业可自主完成从芯片设计、晶圆制造到封装测试的全流程管控，无需跨企业协
同，能大幅缩短技术迭代与产品落地周期，更快响应市场变化。目前 DRAM 主要
厂商三星电子、SK 海力士、美光科技、长鑫科技等均采取 IDM 经营模式。
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行业专题报告/证券研究报告
图11: DRAM 产业链
数据来源：公司招股说明书，财通证券研究所
DRAM 市场规模迅速扩张
受新兴技术场景持续渗透、全球数据总量爆发式增长的驱动，DRAM 市场需求持
续扩容，行业长期发展空间广阔。根据 Omdia 预测，全球 DRAM 市场规模有望
从 2025年的 1505亿美元增长至 2030年的 5710亿美元，年均复合增长率达 %，
增长势能强劲。根据 Yole 数据，中国作为全球主要的 DRAM 需求市场，2024 年
市场规模已达 250 亿美元，占全球市场比重超过四分之一；但目前国内 DRAM 市
场长期高度依赖进口，在国产替代趋势下，本土厂商仍拥有充足的市场渗透与成
长空间。
图12: 2020-2030 年全球 DRAM 市场规模（亿美元）
数据来源：公司招股说明书，Omdia，财通证券研究所
DRAM 下游应用高度集中，服务器、移动设备、个人电脑与智能汽车构成核心需
求来源。根据 Omdia 数据，2025 年服务器、移动设备、个人电脑与智能汽车四大
领域合计占全球 DRAM 下游需求的比例超过 90%，其中服务器以 50%的占比成
为第一大应用场景，移动设备、个人电脑、智能汽车的需求占比分别为 28%、13%
和 2%。
664
952
807
524
976
1,505
3,722
4,634
5,402
5,562
5,710
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
2020 2021 2022 2023 2024 2025 2026E 2027E 2028E 2029E 2030E
谨请参阅尾页重要声明及财通证券股票和行业评级标准 10
行业专题报告/证券研究报告
图13: 2025-2030 年 DRAM 下游应用市场需求占比
数据来源：公司招股说明书，财通证券研究所
分应用领域看，服务器DRAM是DRAM各应用领域中增长最快的细分市场之一，
也是当前全球 DRAM 需求的核心支柱。根据 Omdia 数据，2025 年全球服务器
DRAM 市场占比已达约 50%，预计到 2030 年将进一步提升至约 71%。在数据中
心持续扩张、云计算与算力基础设施快速发展的驱动下，全球服务器搭载的
DRAM 总量将迎来快速增长，2025-2030 年的年复合增长率达 %。
移动设备 DRAM 是 DRAM 的核心下游应用市场之一，其中智能手机是最主要的
需求来源，平板电脑等其他细分场景也贡献了稳定需求。随着移动设备性能持续
升级、高负载应用与多任务处理需求普及，单机内存容量不断扩容，为移动设备
DRAM 市场提供了稳健的增长支撑。根据 Omdia 预测，2025-2030 年移动设备搭
载的 DRAM 总量的年复合增长率约为 %。
图14: 2025-2030 年全球服务器 DRAM 搭载量 图15: 2025-2030 年全球移动设备 DRAM 搭载量
数据来源：公司招股说明书，Omdia，财通证券研究所 数据来源：公司招股说明书，Omdia，财通证券研究所
个人电脑 DRAM 是全球 DRAM 的第三大应用市场，主要覆盖台式机、笔记本电
脑等场景。根据 Omdia 预测，全球个人电脑搭载的 DRAM 总量将由 2025 年的约
5,137MGB增长至 2030年的约 7,930MGB，2025-2030年年复合增长率约为 %，
市场呈现稳健增长态势。
智能汽车 DRAM 是 DRAM 市场中极具爆发潜力的新兴赛道。尽管当前其在整体
市场中的占比仍相对有限，但随着全球汽车智能化、网联化进程加速，自动驾驶
算力需求提升与智能座舱功能迭代将成为核心驱动力，推动车载 DRAM 市场进入
19,953
30,931
39,413
48,057
58,445
69,340
87%
55%
27%
22% 22% 19%
0%
20%
40%
60%
80%
100%
0
10000
20000
30000
40000
50000
60000
70000
80000
2025 2026E 2027E 2028E 2029E 2030E
搭载量（MGB） 同比增长率
11,111 10,911
11,571
12,186
12,999
13,7769%
-2%
6%
5%
7% 6%
-4%
-2%
0%
2%
4%
6%
8%
10%
0
2000
4000
6000
8000
10000
12000
14000
16000
2025 2026E 2027E 2028E 2029E 2030E
搭载量（MGB） 同比增长率
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行业专题报告/证券研究报告
高速增长阶段。根据 Omdia 预测，全球智能汽车搭载的 DRAM 总量将由 2025 年
的约 968MGB 增长至 2030 年的约 1,916MGB，2025-2030 年年复合增长率约为
%。
图16: 2025-2030 年全球个人电脑 DRAM 搭载量 图17: 2025-2030 年全球智能汽车 DRAM 搭载量
数据来源：公司招股说明书，Omdia，财通证券研究所 数据来源：公司招股说明书，Omdia，财通证券研究所
DRAM 行业有周期性特征
DRAM 行业具备显著的强周期性特征，核心源于供需错配与市场结构特性：一方
面，产能建设周期长、供给端高度集中，头部厂商产能决策同步，放大了供需波
动；另一方面，产品标准化程度高、具备大宗商品属性，叠加宏观、技术等外部
因素，价格波动剧烈。2025 年下半年以来，受算力需求增长与产能调配影响，
DRAM 市场供需趋紧，价格进入上行通道。
图18: 2020-2025 年 DRAM 价格变化图(美元/GB)
数据来源：公司招股说明书，Omdia，财通证券研究所
公司产品矩阵
公司构建了覆盖 DDR、LPDDR 两大主流技术路线的完整产品矩阵，包括 DDR4、
DDR5、LPDDR4X、LPDDR5/5X 等核心型号，产品广泛适配服务器、移动设备、
个人电脑、智能汽车等多元下游场景。基于不同应用特性与客户需求，公司可提
供 DRAM 晶圆、DRAM 芯片、DRAM 模组等多元化交付方案，其中 DRAM 芯片
为公司当前核心出货与销售产品。
DDR 系列方面，公司已完成从 DDR4 向 DDR5 的产品代际切换，自有 DDR4 产
品于 2024 年底停止生产。当前 DDR5 作为主力产品，凭借更高带宽与更低功耗实
5,137 5,265
5,766
6,543
7,306
7,930
24%
2%
10%
13%
12%
9%
0%
5%
10%
15%
20%
25%
30%
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
8000
9000
2025 2026E 2027E 2028E 2029E 2030E
搭载量（MGB） 同比增长率
968 1,042
1,048
1,245
1,547
1,916
17%
8%
1%
19%
24%
24%
0%
5%
10%
15%
20%
25%
30%
0
500
1000
1500
2000
2500
2025 2026E 2027E 2028E 2029E 2030E
搭载量（MGB） 同比增长率
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行业专题报告/证券研究报告
现国际先进性能水平，广泛应用于服务器与个人电脑领域。公司 LPDDR4X 已进
入小米、OPPO、vivo、传音、联想等主流终端供应链；新一代 LPDDR5/5X 芯片
在容量与速率大幅提升的同时进一步降低功耗，并内置 On-die ECC 纠错码增强数
据安全与系统稳定性，目前已进入小米、传音等品牌供应链，覆盖智能手机、笔
记本电脑及 AIoT 市场。
表2: 公司 DDR 系列产品
产品系列 产品类型 产品介绍 产品图示 主要应用领域
DDR
DDR4
提供 8Gb 或 16Gb 的容量选择，速率可
达 3,200Mbps，并可提供 4bit/8bit/16bit
不同位宽选择；可用于制造
8GB/16GB/32GB/64GB 等多种容量规格
的 DDR4 模组
服务器、台式电
脑、笔记本电脑、
其他消费类产品
DDR5
具备 16Gb、24Gb、32Gb 的容量，速率
可达 8,000Mbps，并可提供 4bit/8bit/16bit
等不同位宽选择；可用于制造
8GB/16GB/32GB/64GB/96GB/128GB 等
多种容量规格的 DDR5 模组
LPDDR
LPDDR4X
采用 LVSTL 的低功耗接口及多项降低功
耗的设计，具备低功耗的特点。可提供
8GB 以下、8GB、12GB、16GB 等不同
容量规格的产品，速率可达 4,266Mbps，
广泛用于移动设备等领域
手机、平板电脑、
笔记本电脑、可穿
戴设备及其他消费
类产品
LPDDR5/5X
具备 6GB、8GB、12GB、16GB 等多种
容量规格，速率可达 10,667Mbps。通过
内置纠错码等技术，能够有效减少系统
故障，增强稳定性，广泛应用于中高端
移动设备市场
数据来源：公司招股说明书，财通证券研究所
DRAM 模组方面，公司基于自研原厂 DRAM 芯片，构建了覆盖 DDR4/DDR5 的
多类型模组产品矩阵，包括 RDIMM、MRDIMM、UDIMM、CUDIMM、SODIMM、
CSODIMM 及 LPCAMM 等产品。DRAM 晶圆方面，公司仅存在少量 DRAM 晶
圆销售，相关客户主要包括下游模组厂商等。
表3: 公司 DRAM 模组产品
产品系列 产品类型 产品图示 主要应用领域
RDIMM
DDR4
服务器等 DDR5
MRDIMM DDR5
UDIMM
DDR4
计算机工作站、台式电脑等 DDR5
CUDIMM DDR5
SODIMM
DDR4
笔记本电脑、一体机主机等 DDR5
CSODIMM DDR5
LPCAMM LPDDR5X
高性能笔记本电脑、移动工作站等
数据来源：公司招股说明书，财通证券研究所
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公司产品工艺
DRAM 制造遵循标准的半导体存储器生产流程，依次经历芯片设计、晶圆制造、
晶圆测试、芯片封装与成品测试五大阶段。其中，晶圆级前道制造环节在硅片上
构建晶体管与互连电路；晶圆探针测试环节对每颗晶粒进行电性检测并标记不良
品；封装环节将合格晶粒切割、贴片、打线并模封为可接入电路系统的标准器件；
最终测试环节通过老化与性能筛选确保成品可靠性。
图19: 主要产品工艺图示
数据来源：公司招股说明书，财通证券研究所
3 公司募集资金项目
公司计划募集资金投资于“存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目”、“DRAM 存
储器技术升级项目”和“动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目”，各项目计
划建设期均为三年。面对行业技术快速迭代的要求，公司亟需通过本次募投项目
进一步优化产线、升级工艺并储备前瞻技术。其中，存储器晶圆制造量产线技术
升级改造项目聚焦现有量产线的工艺升级与良率提升；DRAM 存储器技术升级项
目着力推进新一代产品的规模化量产与性能迭代；动态随机存取存储器前瞻技术
研究与开发项目则围绕下一代存储技术开展预研。上述项目实施后，不仅有助于
公司持续保持技术领先、增强核心竞争力，更能推动 DRAM 供应链本土化与多元
化。
表4: 公司募集资金项目简介（亿元）
项目名称 项目投资总额 拟使用募集资金金额 实施主体 建设周期 竣工时间
存储器晶圆制造量产线技术
升级改造项目
75 75 发行人子公司 3 年 2028 年上半年
DRAM 存储器技术升级项目 180 130 发行人子公司 3 年 2028 年上半年
动态随机存取存储器前瞻技
术研究与开发项目
90 90 发行人 3 年 2028 年 12 月
合计 345 295 — — —
数据来源：公司招股说明书，财通证券研究所
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4 风险提示
技术研发不及预期风险：DRAM 制程迭代涉及数百道精密工序，若公司在先进节
点良率提升、前瞻技术研发等方面进展慢于预期，可能导致产品竞争力下滑、资
本开支回报周期拉长。
存储芯片行业需求增长不及预期风险：公司业绩增长与下游数据中心、AI 算力及
消费电子需求高度相关，若全球宏观经济复苏乏力或终端客户库存调整超预期，
DRAM 量价走势可能承压。
股权分散风险：公司股权结构相对分散，无单一控股股东及实际控制人，若未来
主要股东减持或内部治理协调不畅，可能影响战略决策效率与经营稳定性。
宏观经济风险：半导体行业具有强周期性，若全球贸易摩擦升级、汇率剧烈波动
或国内经济增长放缓，将对公司产能扩张、融资成本及海外业务拓展构成不利影
响。
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信息披露
⚫ 分析师承诺
作者具有中国证券业协会授予的证券投资咨询执业资格，并注册为证券分析师，具备专业胜任能力，保证报告所采用的数
据均来自合规渠道，分析逻辑基于作者的职业理解。本报告清晰地反映了作者的研究观点，力求独立、客观和公正，结论
不受任何第三方的授意或影响，作者也不会因本报告中的具体推荐意见或观点而直接或间接收到任何形式的补偿。
⚫ 资质声明
财通证券股份有限公司具备中国证券监督管理委员会许可的证券投资咨询业务资格。
⚫ 公司评级
以报告发布日后 6 个月内，证券相对于市场基准指数的涨跌幅为标准：
买入：相对同期相关证券市场代表性指数涨幅大于 10%；
增持：相对同期相关证券市场代表性指数涨幅在 5%～10%之间；
中性：相对同期相关证券市场代表性指数涨幅在-5%～5%之间；
减持：相对同期相关证券市场代表性指数涨幅小于-5%；
无评级：由于我们无法获取必要的资料，或者公司面临无法预见结果的重大不确定性事件，或者其他原因，致使我们无法
给出明确的投资评级。
A 股市场代表性指数以沪深 300 指数为基准；中国香港市场代表性指数以恒生指数为基准；美国市场代表性指数以标普 500
指数为基准。
⚫ 行业评级
以报告发布日后 6 个月内，行业相对于市场基准指数的涨跌幅为标准：
看好：相对表现优于同期相关证券市场代表性指数；
中性：相对表现与同期相关证券市场代表性指数持平；
看淡：相对表现弱于同期相关证券市场代表性指数。
A 股市场代表性指数以沪深 300 指数为基准；中国香港市场代表性指数以恒生指数为基准；美国市场代表性指数以标普 500
指数为基准。
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