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证券研究报告 | 行业深度报告
2026 年 05 月 12 日
推荐（维持）
存储行业深度跟踪报告 TMT 及中小盘/电子
存储行业进入由 AI 驱动的结构性超级周期，26Q1 全球存储公司业绩齐创历史
新高，供需紧缺有望延续至 2027 年甚至更久。价格方面，近期现货价短期扰动
不改合约价上行趋势，并不代表存储价格逆转。随着存储厂商逐步签订多年期
战略协议，其业绩能见度将显著提升，同时存储产品加速从标准化转向定制化，
行业商品化属性与周期波动有望进一步减弱，建议关注海外存储/国内模组/利基
存储和上游设备/材料等产业链公司。
❑ 需求端：AI 推理驱动存储全栈式需求结构性激增，定制化趋势或削弱行业周
期属性。AI 沿“推理→Agentic AI→Physical AI”三阶段演进，叠加 2026 年
全球九大 CSP 合计资本开支预计达约 8300 亿美元（同比+79%），共同驱动
HBM/Server DRAM/eSSD/HDD 全栈需求增长；其中 AI 推理成为核心驱动，
2025-2031年数据中心AI推理NAND位元需求CAGR高达56%。同时，HBM4
起 base die 改用逻辑工艺、CXL/SOCAMM/3D DRAM/HBF 等新架构持续涌
现，存储产品加速从标准化转向定制化，行业壁垒持续提升，存储商品化属
性与周期波动有望减弱。
❑ 供给端：26 年原厂资本开支大幅增长，HBM 挤占下 DRAM/NAND 实际新增
有效供给非常有限。据 SemiAnalysis，2026 年 DRAM 供应低于需求约 7%，
HBM 缺口 6%、2027 年扩大至 9%；据宇瞻预计，2026 年 DRAM 缺口 8%、
NAND 缺口约 5%。2026 年三大原厂资本开支虽同比大幅增长，但新增晶圆
产能高度集中且主要分配给 HBM，几乎全部集中于三星 P4、海力士 M15X、
美光 A3，其中 M15X 与 A3 均主要用于 HBM 生产；NAND 几乎无实际晶圆
增量、位元增长主要依靠技术升级，叠加铠侠宣布 2028 年停产 2D NAND 进
一步收紧供给；其余扩产项目（海力士龙仁、美光铜锣/爱达荷）实质性产出
贡献要等到 2027H2 之后，整体新增有效供给非常有限。
❑ 库存端：原厂与利基厂库存持续去化、DOI 下行，模组厂主动加码备货以锁
定供应能力。原厂三星、海力士、美光、南亚科 26Q1 库存维持低位，美光
DRAM 库存周转天数已降至 120 天以下的紧张水平；闪迪为支持新签 NBM
协议主动备货、库存环比+14%，西部数据 DOI 环比大幅下降。台厂模组厂（群
联、威刚、十铨等）加速备货并签订 LTA 锁单，利基型厂商（华邦、旺宏、
晶豪科）DOI 环比下降；大陆江波龙、德明利、佰维三家模组厂 26Q1 合计
库存达 亿元再创新高、连续 5 个季度环比上行，大陆利基型厂商库存
增速明显低于模组厂、DOI 持续改善。
❑ 价格端：价格端现货短期扰动不改合约价上行趋势，二季度 NAND 合约价涨
幅领先 DRAM。指数层面，DXI、DRAM、NAND 价格指数均在 4 月前后创
阶段高点后小幅回落，较高点分别下降 %、%、%；现货层面，DDR4
16Gb 月环比回调较大、NAND 现货价过去一个月累计跌幅达 30-40%，主因
前期涨幅过高致买方承接意愿低迷，叠加部分贸易商资金周转压力下降价变
现。但合约价上行趋势不变，据 TrendForce 预计 26Q2 传统 DRAM 合约价
环比+58-63%、NAND 合约价环比+70-75%，NAND 涨幅领先主要受 AI/数据
中心需求持续旺盛、原厂供给优先满足高价值品类及 CSP 主动签署 LTA 锁量
等因素驱动；现货短期调整系阶段性扰动，并不代表存储器价格趋势逆转。
行业规模
占比%
股票家数（只） 527
总市值（十亿元）
流通市值（十亿元）
行业指数
% 1m 6m 12m
绝对表现
相对表现
资料来源：公司数据、招商证券
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年预计供给偏紧状态持续，产业链公
司整体展望乐观》2026-02-05
2、《存储行业深度跟踪—长鑫 IPO
募投拉动产能升级，把握存储产业链
自主可控机遇》2026-01-01
3、《存储行业深度报告—AI 时代存
储需求推动周期上行，涨价浪潮下厂
商盈利能力逐季提升》2025-11-09
鄢凡 S1090511060002
yanfan@
谌薇 S1090524070008
shenwei3@
-20
0
20
40
60
80
100
May/25 Aug/25 Dec/25 Apr/26
(%) 电子 沪深300
长协锁单彰显紧缺延续，行业景气有望延续至 2027 年
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行业深度报告
❑ 销售端：多年期协议持续加固业绩能见度，供需紧缺有望延续至 2027 年甚至
更久。原厂端，三星、海力士、美光、南亚科 26Q1 营收与毛利率同步突破
历史纪录，一季度 DRAM ASP 环比+mid-60%、NAND ASP 环比+mid-70%；
各原厂均已积极与客户推进多年期战略协议（SAC/NBM/LTA），美光成功签
署首份五年期 SCA 协议，闪迪签署 5 份 NBM 覆盖 2027 财年超 1/3 位元生
产量、含逾110亿美元财务担保，西部数据/希捷部分LTA已延伸至2028-2029
年，业绩能见度与稳定性显著提升。中国台湾与大陆各环节亦全面受益，3/4
月单月营收普遍创历史新高：中国台湾利基型厂商产能持续满载、合约价涨
幅倍数以上，eMMC 等细分品类缺货尤为突出，模组厂受 AI 驱动的高容量需
求带动 26Q1 营收创单季新高，普遍判断缺货将延续至 2027 年。大陆方面，
兆易创新、普冉股份、东芯股份、北京君正等利基型厂商 26Q1 营收与利润
同环比大幅增长；江波龙、德明利、佰维存储三家模组厂 26Q1 营收与利润
均高增创新高，平均单月利润约 10 亿元，盈利能力大幅跃升；随着海外大厂
逐步退出 2D NAND 及利基 DRAM 市场，大陆厂商有望持续扩大市场份额。
❑ 投资建议：26Q1 存储产业链各公司业绩表现均亮眼，具备约束力的长协落地
对存储公司业绩能见度与增长提供显著保障。当前存储缺货持续加剧，供应
很难在短时间内大幅增加，预计供需缺口或将持续至 2027 年，存储合约价涨
势同样将延续，后续市场价格趋势和各环节公司业绩增长持续性是核心关注
点，建议关注存储+设备+产业链三大核心环节相关公司：1）海外存储：闪迪、
美光、SK 海力士、三星、西部数据、希捷、铠侠等；2）国内原厂：长鑫科
技（IPO 中）、长江存储；3）模组：江波龙、佰维存储、德明利、大普微、
朗科科技等；4）利基存储：兆易创新、普冉股份、北京君正、东芯股份、恒
烁股份、聚辰股份等；5）代工和封测：中芯国际、华虹公司、长电科技、通
富微电、华天科技、汇成股份、深科技等；6）存储设备：北方华创、中微公
司、拓荆科技、华海清科、微导纳米、芯源微、精测电子、中科飞测、矽电
股份、金海通、精智达、强一股份、ASMPT 等；7）存储材料：江丰电子、
神工股份、鼎龙股份、兴福电子、上海新阳、安集科技、艾森股份等。
❑ 风险提示：AI 算力资本开支不及预期，库存减值风险，国际贸易摩擦与供应
链波动，行业竞争加剧，汇率波动风险，价格下行的风险。
表：存储产业链海内外公司梳理
细分领域 标的
海外存储 闪迪、美光、SK 海力士、三星、西部数据、希捷、铠侠等
国内原厂 长鑫科技（IPO）、长江存储
模组 江波龙、佰维存储、德明利、大普微、朗科科技等
利基存储
兆易创新、普冉股份、北京君正、东芯股份、恒烁股份、聚辰股
份等
代工和封测
中芯国际、华虹公司、长电科技、通富微电、华天科技、汇成股
份、深科技等
存储设备
北方华创、中微公司、拓荆科技、华海清科、微导纳米、芯源微、
精测电子、中科飞测、矽电股份、金海通、精智达、强一股份、
ASMPT 等
存储材料
江丰电子、神工股份、鼎龙股份、兴福电子、上海新阳、安集科
技、艾森股份等
资料来源：招商证券整理（中科飞测/矽电股份/金海通/精智达为机械组联合次覆盖，鼎龙股
份为化工组覆盖，安集科技/艾森股份为化工组联合覆盖）
YWPXsPoOoPnRpNsMqQsQpQ9P8Q8OsQpPmOqOiNoOnQkPpOrN8OmMvMvPnPwPwMmOrN
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行业深度报告
正文目录
一、需求端：AI 推理驱动存储需求扩张，定制化趋势持续提升行业壁垒 ................................................................... 7
1、26 年 CSP 资本开支将达 8000 亿美元以上，AI 推理驱动存储全品类需求激增 ..................................................... 7
2、存储部分产品逐渐转向定制化，行业壁垒逐渐提高或将减小周期属性 ................................................................. 10
二、供给端：26 年原厂资本开支大幅增长，HBM 挤占下 DRAM/NAND 实际新增有效供给非常有限 .................... 14
1、HBM 扩产挤占传统 DRAM 产能，预计 2027 年两者仍将存在一定缺口 .............................................................. 14
2、2026 年原厂资本开支增长显著，预计实际整体晶圆新增量非常有限 ................................................................... 16
三、库存端：原厂库存紧张贯穿 2026 全年，中下游战略备货蓄力业绩高增 ............................................................ 19
1、原厂：26Q1 年库存处于较低水平，DOI 持续下降营运效率提高 ......................................................................... 19
2、台厂：Q1 积极备货库存快速增长，确保后续稳定供应能力 ................................................................................. 20
3、大陆：模组厂积极备货创历史新高，支撑长期业绩增长....................................................................................... 21
四、价格端：现货价短期扰动不改合约价上行趋势，二季度 NAND 涨幅超过 DRAM .............................................. 23
1、价格指数：当前整体涨势放缓，较高点有小幅回调 .............................................................................................. 23
2、现货价格：DRAM 与 NAND 价格有所回调，与合约价仍存在一定差距 ............................................................... 24
3、合约价格：预计二季度 NAND 涨幅超过 DRAM，手机、PC 等领域价格也将持续走高....................................... 28
五、销售端：多年期长协持续加固业绩能见度，存储供需紧缺或将延续至 2027 年 ................................................. 31
1、原厂：26Q1 营收与利润再创新高，签署多年期协议业绩能见度提高 .................................................................. 31
2、台厂：利基缺货持续或将延续至 27 年，存储涨价趋势持续 ................................................................................. 35
3、大陆：26Q1 利基与模组盈利能力大幅提升，存储价格上涨对公司全年业绩有显著拉动 ..................................... 40
六、投资建议：建议关注海外存储/国内原厂/模组/利基和上游产业链公司 ............................................................... 46
图表目录
图 1：AI Scaling Law 持续 ........................................................................................................................................... 8
图 2：海外 CSP 资本开支（亿美元） .......................................................................................................................... 8
图 3：内存层级架构 ...................................................................................................................................................... 9
图 4：KV Cache 占用存储空间（GB） ........................................................................................................................ 9
图 5：2026 年 NAND 下游需求占比 ............................................................................................................................. 9
图 6：数据中心 AI 细分领域 NAND 位元需求 ............................................................................................................ 10
图 7：各类存储技术 Roadmap ................................................................................................................................... 11
图 8：3D DRAM 架构 ................................................................................................................................................. 11
图 9：HBF 堆叠 .......................................................................................................................................................... 13
图 10：HBM 供需情况 ................................................................................................................................................ 14
图 11：DRAM 供需情况 ............................................................................................................................................. 15
图 12：HBM 与 DRAM 产能占比 ................................................................................................................................ 16
图 13：1b DRAM 与 HBM 单晶圆位元产出 ................................................................................................................ 16
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行业深度报告
图 14：DRAM 与 NAND 新建工厂投产计划 ............................................................................................................... 18
图 15：DRAM 供需缺口 ............................................................................................................................................. 18
图 16：NAND 供需缺口 .............................................................................................................................................. 18
图 17：四大原厂季度库存情况（亿美元） ................................................................................................................. 19
图 18：四大原厂季度库存周转天数 ............................................................................................................................ 19
图 19：海外主要 Flash/HDD 厂季度库存情况（亿美元）.......................................................................................... 20
图 20：海外主要 Flash/HDD 季度库存周转天数 ........................................................................................................ 20
图 21：台股存储模组厂季度库存情况（亿美元） ...................................................................................................... 20
图 22：台股存储模组厂季度库存周转天数 ................................................................................................................. 20
图 23：台股利基型存储厂季度库存情况（亿美元） .................................................................................................. 21
图 24：台股利基型存储厂季度库存周转天数 ............................................................................................................. 21
图 25：大陆存储模组厂季度库存情况（亿元） ......................................................................................................... 21
图 26：大陆存储模组厂季度库存周转天数 ................................................................................................................. 21
图 27：大陆利基型存储厂季度库存情况（亿元） ...................................................................................................... 22
图 28：大陆利基型存储厂季度库存周转天数 ............................................................................................................. 22
图 29：DXI 指数 ......................................................................................................................................................... 23
图 30：DRAM 与 NAND 价格指数 ............................................................................................................................. 24
图 31：主流 DRAM 现货价格（日度，美元）............................................................................................................ 25
图 32：其他 DRAM 现货价格（日度，美元）............................................................................................................ 25
图 33：NAND 现货价格（周度，美元） .................................................................................................................... 26
图 34：NAND 颗粒现货价格（周度，美元） ............................................................................................................. 26
图 35：各存储产品周度价格情况（美元） ................................................................................................................. 27
图 36：各厂商产品渠道价格与货期变化情况 ............................................................................................................. 28
图 37：26Q2 存储器价格预测 .................................................................................................................................... 28
图 38：DRAM 合约价（月度，美元） ....................................................................................................................... 29
图 39：NAND 合约价（月度，美元） ........................................................................................................................ 30
图 40：四大存储原厂营收（亿美元）及累计同比情况............................................................................................... 33
图 41：存储原厂季度毛利率情况 ............................................................................................................................... 33
图 42：存储原厂季度净利率情况 ............................................................................................................................... 33
图 43：海力士季度营收占比拆分 ............................................................................................................................... 34
图 44：美光季度营收占比拆分 ................................................................................................................................... 34
图 45：海外 NAND/HDD 厂季度营收及累计同比情况（亿美元） ............................................................................. 35
图 46：海外 NAND/HDD 厂毛利率情况 ..................................................................................................................... 35
图 47：海外 NAND/HDD 厂净利率情况 ..................................................................................................................... 35
图 48：群联电子季度营收及同比情况（亿美元） ...................................................................................................... 36
图 49：创见信息季度营收及同比情况（亿美元） ...................................................................................................... 36
图 50：威刚季度营收及同比情况（亿美元） ............................................................................................................. 36
ay1aawkd51ugJ3Aj330Z/zVjy5aWPG8IVskgHTcl972zEOGrYoEgvzcdlx0AjIJQ
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行业深度报告
图 51：十铨季度营收及同比情况（亿美元） ............................................................................................................. 36
图 52：台股模组厂毛利率对比 ................................................................................................................................... 37
图 53：台股模组厂净利率对比 ................................................................................................................................... 37
图 54：群联电子月度营收及同比（亿新台币） ......................................................................................................... 38
图 55：创见信息月度营收及同比（亿新台币） ......................................................................................................... 38
图 56：威刚月度营收及同比（亿新台币） ................................................................................................................. 38
图 57：十铨月度营收及同比（亿新台币） ................................................................................................................. 38
图 58：华邦季度营收及同比情况（亿美元） ............................................................................................................. 39
图 59：旺宏季度营收及同比情况（亿美元） ............................................................................................................. 39
图 60：晶豪科季度营收及同比情况（亿美元） ......................................................................................................... 39
图 61：钰创季度营收及同比情况（亿美元） ............................................................................................................. 39
图 62：台股利基型存储厂商毛利率情况 .................................................................................................................... 39
图 63：台股利基型存储厂商净利率情况 .................................................................................................................... 39
图 64：华邦月度营收及同比（亿新台币） ................................................................................................................. 40
图 65：旺宏月度营收及同比（亿新台币） ................................................................................................................. 40
图 66：晶豪科月度营收及同比（亿新台币） ............................................................................................................. 40
图 67：钰创月度营收及同比（亿新台币） ................................................................................................................. 40
图 68：江波龙季度营收及同比情况（亿元） ............................................................................................................. 41
图 69：江波龙季度归母净利润情况（亿元） ............................................................................................................. 41
图 70：德明利季度营收及同比情况（亿元） ............................................................................................................. 41
图 71：德明利季度归母净利润情况（亿元） ............................................................................................................. 41
图 72：佰维存储季度营收及同比情况（亿元） ......................................................................................................... 42
图 73：佰维存储季度归母净利润情况（亿元） ......................................................................................................... 42
图 74：国内存储模组季度毛利率情况 ........................................................................................................................ 42
图 75：国内存储模组季度净利率情况 ........................................................................................................................ 42
图 76：兆易创新季度营收及同比情况（亿元） ......................................................................................................... 43
图 77：兆易创新季度归母净利润情况（亿元） ......................................................................................................... 43
图 78：普冉股份季度营收及同比情况（亿元） ......................................................................................................... 43
图 79：普冉股份归母净利润情况（亿元） ................................................................................................................. 43
图 80：东芯股份季度营收及同比情况（亿元） ......................................................................................................... 44
图 81：东芯股份归母净利润情况（亿元） ................................................................................................................. 44
图 82：北京君正季度营收及同比情况（亿元） ......................................................................................................... 44
图 83：北京君正归母净利润情况（亿元） ................................................................................................................. 44
图 84：聚辰股份季度营收及同比情况（亿元） ......................................................................................................... 44
图 85：聚辰股份归母净利润情况（亿元） ................................................................................................................. 44
图 86：恒烁股份季度营收及同比情况（亿元） ......................................................................................................... 45
图 87：恒烁股份归母净利润情况（亿元） ................................................................................................................. 45
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行业深度报告
表：存储产业链海内外公司梳理 ................................................................................................................................... 2
表 1：Groq LPU 与 B200 GPU 对比 .......................................................................................................................... 12
表 2：海外三大原厂 2026 年资本开支计划 ................................................................................................................ 17
表 3：海外存储大厂业绩及指引汇总 .......................................................................................................................... 32
表 4：存储产业链海内外上市梳理 .............................................................................................................................. 46
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行业深度报告
一、需求端：AI 推理驱动存储需求扩张，定制化趋
势持续提升行业壁垒
AI 驱动存储全品类需求结构性激增，同时存储产品逐步从标准化转向定制化，
行业商品化属性与周期性有望减弱。AI 技术沿“推理→Agentic AI→Physical AI”
三阶段依次展开，构成相互强化的复合需求循环，叠加 CSP 资本开支高速扩张，
根据 TrendForce 预计，2026 年全球九大 CSP 合计资本支出将达约 8300 亿美
元，同比增速由原 61%上修至 79%，共同驱动从 HBM、Server DRAM 到 eSSD、
HDD 的全栈式需求增长。同时，存储产品正加速从标准化转向定制化：HBM4
起 base die 改用逻辑工艺，可集成电源管理、ECC、定制接口、客户加速器等
差异化功能；CXL 池化、SOCAMM（专为 AI 数据中心设计的 LPDDR 模组）、
3D DRAM、HBF（填补 HBM 与 SSD 之间空白层、单栈容量达 HBM 的 8-16 倍）
等新架构持续涌现，存储行业壁垒逐步提高、商品化属性与周期波动有望减弱。
1、26 年 CSP 资本开支将达 8000 亿美元以上，AI 推理驱动
存储全品类需求激增
AI 三大飞轮驱动存储全品类需求激增，数据及存储价值逐渐提升。AI 技术演进
正沿“推理→Agentic AI→Physical AI”三个阶段依次展开，构成一个彼此强化
的复合需求循环，驱动全品类存储需求结构性扩张。1）推理阶段，算力引擎从
阶段性训练转为持续实时运行，根据西部数据 FY26Q3 法说会，2026 年推理工
作量预计将占全部人工智能计算量的约三分之二，每分钟产生数百亿 token，每
次交互均需持久化存储，在拉动 HBM 与 server DRAM 满足高带宽实时计算需求
的同时，海量输出数据下沉至 SSD 与 HDD；2）进入 Agentic AI 阶段，AI 从单
次问答升级为持续执行涵盖规划、决策与验证的复杂工作流，每小时自主运行持
续产生须长期留存的数据，整机 DRAM 与 SSD 需求持续增长，高容量 HDD 亦
迎来云端与企业侧的结构性增量；3）Physical AI 进一步拉动存储需求，自动驾
驶、机器人与工业系统从传感器、摄像头持续产生海量数据流（单车每小时最高
4TB），叠加监管合规的 5-10 年留存要求与数量级更高的合成训练数据需求，对
高可靠、高容量 HDD 需求激增。三重驱动力叠加，使 AI 对存储的拉动从 HBM
延伸至 HDD，呈现全栈式、持续加速的结构性特征。
存储优化技术改善整体推理成本，进一步推动内存需求用量。另外，AI 行业软
硬件持续优化成为存储需求的又一驱动，存储优化技术看似降低单设备内存用量，
但实际演进方向是最大化单位内存承载的上下文量与用户数，从而改善 AI 服务
的经济性、扩大整体市场规模，形成进一步推升存储需求的正向循环。
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行业深度报告
图 1：AI Scaling Law 持续
资料来源：英伟达，招商证券
受零部件价格上涨以及 AI 旺盛需求拉动，2026 年全球主要 CSP 资本开支预计
增至 8300 亿美元。近期多数北美 CSP 再次上修 2026 年资本开支指引，微软上
调展望至 1900 亿美元，同比+129%，其中约 250 亿美元为反映零部件价格上涨
影响；谷歌从 1750-1850 亿美元上修至 1800-1900 亿美元，中值同比+102%；
Meta 则将资本支出区间由 1150-1350 亿美元上修至 1250-1450 亿美元，中值同
比+94%；亚马逊亦因应 AI 云端服务需求，预计今年资本支出逾 2300 亿美元，
同比+74%。根据 TrendForce 预测，上调全年谷歌、亚马逊、Meta、微软、甲
骨文以及字节跳动、腾讯、阿里巴巴、百度等九大 CSP，合计资本支出预估至
约 8300 亿美元，同比增速从原来的 61%提升至 79%。
图 2：海外 CSP 资本开支（亿美元）
资料来源：彭博，招商证券
KV Cache 扩容促使存储层级系统化，AI 推理瓶颈或将从纯算力架构转变为内
存层级架构。在 AI 需求旺盛以及云厂商进一步扩大资本开支的背景下，数据中
心基建需求同步增长，包括算力、存储等全产业链景气提升。随着 LLM 上下文
文本的持续扩展以及 Agent 工作流的日益复杂，KV Cache 容量呈现指数级增长，
其不仅仅是 GPU 的缓冲区，正逐渐演变为跨 HBM、DDR、池化内存、SSD 等
-20%
-10%
0%
10%
20%
30%
40%
50%
60%
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600
800
1000
1200
1400
亚马逊 谷歌 Meta 微软 累计同比
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行业深度报告
多层系统，存储重要性日益提升，不仅是数据存储的媒介，更是直接参与 AI 推
理过程，为 AI 基础设施重要组件，AI 推理瓶颈也逐渐从纯算力架构转变为内存
层级架构。
图 3：内存层级架构
资料来源：美光，Semivision，招商证券
KV Cache 逐渐下沉至 eSSD，AI 推理驱动服务器成为 2026 年 NAND 最大应用
市场。KV Cache 是推理加速的核心，存储需求随 token 并发量线性暴涨，并快
速下沉至 eSSD。随着单次请求 token 量的增长，KV Cache 占存储空间快速增
长，单次请求 1k token 会产生 的 KV Cache，128k token 会产生 64GB
的 KV Cache。受益 AI 推理需求推动，2026 年 NAND 下游需求占比中服务器领
域占比达 37%。
图 4：KV Cache 占用存储空间（GB） 图 5：2026 年 NAND 下游需求占比
资料来源：MemoryS 2026，招商证券（注：BF/FP16，单请求） 资料来源：MemoryS 2026，招商证券
2031 年数据中心 NAND 位元需求将增至 1686EB，AI 推理引领增长 25-31 年
CAGR 为 56%。数据中心 NAND 位元需求将由 2025 年的 286EB 增长至 2031
年的 1686EB，2025-2031 年 CAGR 高达 34%。结构上，需求增长的核心驱动
力正从 AI 训练向 AI 推理加速切换，随着行业焦点从算力堆砌转向推理效率以及
37%
27%
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服务器
手机
PC
其他
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行业深度报告
Agentic AI、Edge AI、Physical AI 等新应用场景的兴起，AI 推理对 NAND 的需
求将以56%的CAGR爆发式增长，从2025年的86EB扩张至2031年的1251EB，
届时将占数据中心 NAND 总需求的 74%，支撑企业级 SSD（尤其是高性能
QLC/TLC 产品）的长期需求，而 AI 训练与传统负载的 CAGR 分别仅为 11%和
14%。
图 6：数据中心 AI 细分领域 NAND 位元需求
资料来源：铠侠，SDC AI，招商证券
2、存储部分产品逐渐转向定制化，行业壁垒逐渐提高或将
减小周期属性
存储产品逐渐从标准化产品转向定制化，其商品化属性或将进一步减小。以往的
HBM 产品均符合 JEDEC 定义，理论上各家供应商产品可进行互换，但 HBM4
打破了惯例，核心原因在于 base die，位于 DRAM 晶圆下方并负责协调所有功
能，开始采用逻辑工艺而非 DRAM 工艺。一旦 base die 采用先进逻辑制程，就
可以集成更多定制功能，如电源管理、ECC 纠错、定制接口、客户设计的加速
器等。SK 海力士主流产品 base die 采用台积电的 12nm 工艺，而面向英伟达旗
舰GPU和谷歌TPU的高端设计则采用3nm工艺。三星则采用自家的4nm工艺，
并逐步过渡到 2nm 工艺，用于对性能要求最高的应用。美光的 HBM4E base die
由台积电代工，并为英伟达和 AMD 的下一代加速器提供定制版本。
CXL：专为集中部署设计，扩展内存容量。CXL 为用于通过 PCIe 连接 CPU、
加速器和内存池的标准。微软指出，其服务器中高达 25%的 DRAM 处于“闲置”
状态，已分配给主机，处于空闲状态，但无法重新分配，CXL 池化解决了这个问
题。超大规模数据中心运营商的策略从“为每台服务器购买更多 DRAM”转变为
“购买一个池并共享”。
SOCAMM：采用 LPDDR 内存，专为 AI 数据中心设计。英伟达与美光、三星和
海力士合作，共同设计了一种新型内存条，尺寸为 14×90mm，仅为 RDIMM 内
存条的三分之一，采用四个 16 芯片 LPDDR5X 堆叠结构，可提供 128GB 容量，
读写速度为 GT/s。美光的 SOCAMM 内存条已量产，并应用于英伟达的
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行业深度报告
GB300 主板，三星和海力士也推出了符合标准的版本。根据三星 26Q1 法说会，
公司率先面向英伟达 Vera Rubin 平台，实现 SOCAMM2 产品量产上市销售。
图 7：各类存储技术 Roadmap
资料来源：Almacap Research，招商证券
DRAM 方面，3D DRAM 为突破物理制程极限最终路径。当前原厂 DRAM 技术
仍采用 6F²单元架构，由于制程持续微缩至 10nm 以下，继续沿用平面结构的 6F
²变得越来越困难，三星、海力士等原厂正探索 4F²垂直结构，三星 4F² VCT 通
过改变晶体管沟道的方向，将传统平面结构中的水平沟道变为垂直竖立，海力士
4F² VG 则通过改变栅极的放置方向，将传统结构中的水平栅极变为垂直放置。
4F²结构能大幅提升存储密度，性能与功耗也更优，但集成复杂度更高，制造工
艺难度更大。NEO Semiconductor 采用类似 3D NAND 制造工艺，基于 1T1C 和
3T0C 的 3D X-DRAM 单元并使用 IGZO 材料，通过垂直堆栈，其层数可达数百
层。3D DRAM 架构允许采用相对宽松的光刻节点（如 20nm 级），在提升密度的
同时显著降低了对 EUV 等极端昂贵且受限设备的依赖。
图 8：3D DRAM 架构
资料来源：NEO Semiconductor，闪存市场，招商证券
架构上，Groq LPU+SRAM 凭借低延迟、高带宽打破低延迟瓶颈。传统 GPU 需
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行业深度报告
频繁从片外 HBM 读写数据，会受制于有限带宽与较高的延迟，而 LPU 片上的
SRAM 带宽高达 80TB/s 以上，相比于 HBM 速度提升达 10 倍，但 LPU+SRAM
容量小且系统成本高昂，当前 LPU 与 GPU 在 AI 推理阶段可形成分层计算的协
同模式（GPU 负责 Prefill，LPU 负责 Decode）。
英伟达在 GTC 2026 大会上发布首款原生 LPU 推理专用平台（LPX 机柜），升
级后单机柜可搭载 256 颗 LPU 芯片，同时其新一代 GPU 芯片 Feynman 将全球
首发台积电 A16（）制程，首次集成 LPU 硬件堆栈，形成 GPU+LPU 的
异构架构。
表 1：Groq LPU 与 B200 GPU 对比
架构 Groq LPU NVIDIA B200 GPU
内存类型 片上 SRAM 片外 HBM3e
内存容量 230 MB 192 GB
内存带宽 80 TB/s 8 TB/s
推理速度
Llama 2 70B: 300 token/s 8 卡 DGXB200 系统可为单用户提供＞
1000 token/s 的生成速度（Llama 4
Maverick）
Llama 2 7B:750 token/s
Llama 3 8B:1300+token/s
功耗 约 185W（单卡） 1000W（单 GPU）
延迟特性 确定性执行（亚毫秒级） 动态调度（存在延迟抖动）
应用 AI 推理（特别是 LLM） 训练与推理
资料来源：闪存市场，招商证券
HBF是闪迪专为AI推理工作负载设计的新型存储架构，定位于填补HBM与SSD
之间的空白层。2 月 15 日，海力士与闪迪启动了 HBF 的 OCP 标准化工作流程。
HBF 基于闪迪的 BiCS NAND 技术，并采用其专有的 CBA（CMOS 直接键合至
阵列）晶圆键合工艺，在单颗 256Gb die 的基础上实现 16 层堆叠，单栈总容量
达 512GB，为 HBM 的 8-16 倍；首代产品读取带宽达 TB/s，系统级性能仅
落后于无容量上限 HBM 约 %，同时在物理尺寸、功耗特征与栈高上与 HBM4
保持兼容。与 DRAM 相比，HBF 基于 NAND 构建，无需刷新功耗、具备非易失
性，且每比特成本更低、扩展路径更清晰。在路线图层面，Gen 2 与 Gen 3 代产
品预计读取带宽分别提升至超过 2 TB/s 与 TB/s，容量目标分别达 1 TB 与
TB，能耗较 Gen 1 进一步降低至 与 。HBF 的商业意义在于单 GPU
系统通过引入HBF，可将可用内存从纯HBM方案的192GB扩展至逾4TB量级，
从根本上突破当前大模型推理部署的内存墙约束。目前，闪迪已与海力士联合推
进 HBF 国际标准化，三星亦同步跟进。
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图 9：HBF 堆叠
资料来源：闪迪，招商证券
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二、供给端：26 年原厂资本开支大幅增长，HBM 挤
占下 DRAM/NAND 实际新增有效供给非常有限
供给端受 HBM 挤占与洁净室产能不足双重制约，2026-2027 年 DRAM/HBM/
NAND 或将持续存在供应缺口。根据 SemiAnalysis，2026 年 DRAM 供应低于
需求约 7%，其中 HBM 缺口 6%、2027 年进一步扩大至 9%，通用 DRAM
2026/2027 也将持续约 7%结构性缺口；根据宇瞻预计，2026 年 DRAM 缺口达
8%、NAND 缺口约 5%，全年仍处于紧平衡状态。产能投放方面，2026 年三大
原厂资本开支虽同比大幅增长，但实际新增晶圆产能高度集中且主要分配给
HBM，2026 年新增产能几乎全部集中于三星 P4、海力士 M15X、美光 A3 三家
晶圆厂，其中 M15X 与 A3 均主要用于 HBM 生产；NAND 方面 2026 年几乎没
有实际晶圆增量贡献，位元增长主要依靠技术工艺升级，另外，铠侠已宣布 2028
年停产 2D NAND 产品（浮栅式与 BiCS FLASH 第 3 代），进一步收紧供给端；
其余主要扩产项目（海力士龙仁、美光铜锣/爱达荷）的实质性产出贡献基本要
等到 2027H2 甚至 2027Q3 之后，整体新增有效供给非常有限。
1、HBM 扩产挤占传统 DRAM 产能，预计 2027 年两者仍将
存在一定缺口
2027 年 HBM 与 DRAM 仍存在一定供应缺口。根据 SemiAnalysis 数据，预计
2026 年供应将低于需求约 7%，其中 HBM 缺口达 6%，将在 2027 年进一步扩
大至 9%。传统 DRAM 预计也保持结构性紧缺，预计 2026、2027 年间将持续存
在约 7%的缺口。
图 10：HBM 供需情况
资料来源：SemiAnalysis，招商证券
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图 11：DRAM 供需情况
资料来源：SemiAnalysis，招商证券
AI 算力需求的激增正转化为短期内 DRAM 需求的急剧增长，这包括 AI 服务器中
的 DDR/LPDDR/HBM 以及通用服务器中的 DDR。从 2023 年开始，HBM 需求
呈现出清晰且稳步加速的趋势，三大原厂也以日益激进的方式扩张 HBM 产能：
2023 年底三大存储原厂分配给 HBM 的晶圆产能仅约 123 千片/月；2025 年底增
至约 331 千片/月，两年扩张 倍以上；2026 年底预计达到约 473 千片/月；
2027 年底预计达到约 668 千片/月，即四年内 HBM 晶圆产能将增长 5 倍。原厂
如此激进扩产 HBM 的逻辑有两点：其一，HBM 被视为远超传统 PC、移动、汽
车等终端市场的结构性、可持续增长引擎，AI 服务器（GPU 与 ASIC）中 HBM
密集度的持续提升将驱动单台服务器 HBM 含量进一步增加；其二，HBM 复杂的
前端与后端制造要求使其相对于通用 DRAM 能够实现更强的产品差异化，在引
脚速度、能效、散热与封装集成等性能特性上为原厂创造了定价权与市场份额提
升的空间。
HBM 产能的大规模扩张对通用 DRAM 供应产生了"双重挤压"效应。1）直接挤
占晶圆产能：HBM 晶圆产能占 DRAM 总晶圆产能的比例从 2022 年的不足 5%
已上升至 2025 年底的约 20%，预计到 2027 年底将达到约 35%。这意味着仅
HBM 一项就将消耗三大原厂 DRAM 总晶圆产能的三分之一以上，直接挤占了原
本可用于通用 DRAM 生产的产能。
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图 12：HBM 与 DRAM 产能占比
资料来源：SemiAnalysis，招商证券
2）HBM 位元转换率显著低于通用 DRAM：以 HBM3E 12-Hi 为例，一片用于通
用 DRAM 的晶圆所产出的位元产量约为 HBM 专用晶圆的 3 倍；随着行业向
HBM4 迁移，这一差距将扩大至接近 4 倍，HBM4E 推出后差距可能进一步拉大。
另外，洁净室产能的不足也制约着产能的扩张。
图 13：1b DRAM 与 HBM 单晶圆位元产出
资料来源：SemiAnalysis，招商证券
2、2026 年原厂资本开支增长显著，预计实际整体晶圆新增
量非常有限
2026 年海外三大原厂预计资本开支增长显著，美光进一步上调全年资本开支，
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行业深度报告
将进一步加大投资以扩充高端产品产能。
1） 三星：2026 年受人工智能相关需求持续拉动，公司资本开支预计同比大幅增
长。公司将进一步加大下一代制程与核心技术的前瞻性研发投入，稳固技术
领先地位，同时强化战略生产基地布局、扩充基础设施储备，提前匹配未来
市场需求；
2） 海力士：在 AI 时代构建应对结构性需求增长的足够供应能力正成为核心竞争
优势，公司预计今年 Capex 同比大幅增长。多数将投向以 Yongin Cluster
为中心的基础设施准备、M15X 产能 ramp-up、 采购 EUV 等关键设备；
3） 美光：预计 2026 财年资本支出将超 250 亿美元，较上一季度业绩会预估水
平上调，增幅主要源于洁净室设施相关资本支出，其中最大投入为铜锣湾厂
区项目，其次为美国工厂项目建设支出增加；公司预计 2027 财年资本支出
将大幅上调，重点投向 HBM 及 DRAM 相关领域。随着全球制造基地建设推
进，2027 财年建设相关资本支出同比增幅将超 100 亿美元，同时设备支出
预计也将实现同比增长，开展上述投资的同时，美光将持续紧盯市场环境与
客户需求，确保供应规划合理适配。
表 2：海外三大原厂 2026 年资本开支计划
三星 海力士 美光
2026 年预计资本
开支
2026 年预计资本支出将同比大幅
增加
2026 年资本支出预计同比将显著
增加，主要用于产能扩张和基础设
施的建设
上调至约 250 亿美元，增幅主要
源于洁净室设施相关资本支出
产品最新进展
1）已正式量产并出货行业首款
HBM4 与第二代 SOCAMM2；
2）PCIe 固态硬盘已于一季度如
期完成研发，目前正在进行客户认
证；
3）将于二季度率先推出 HBM4E 首
批样片。
1）一季度完成全行业首款 1c nm 制
程 LPDDR6 开发；
2）4 月开始量产基于最先进 1c nm
制程的 192GB SOCAMM2 产品；
3）已启动 PQC21 client SSD 供应，
为公司首款采用 CTF 基础 321 层
QLC 技术的产品。
1）已完成 HBM4 16 层堆叠产品
送样，HBM4E 预计 2027 年实现
出货；
2）已完成行业首款 256GB LP
SOCAMM2 产品送样；
3）目前基于 G9 NAND 的 PCIe®
Gen6 高性能数据中心 SSD 已实
现大规模量产。
资料来源：各公司法说会，招商证券
2026 年实际新增晶圆产量有限且主要集中在 HBM，NAND 几乎没有实际晶圆增
量。根据 SemiAnalysis 数据，预计 2026 年几乎所有新增的晶圆产能都将集中在
三家晶圆厂：三星的 P4（主要是第一阶段和第三阶段，第四阶段在 26 年底的投
入有限）、SK 海力士的 M15X 以及美光的 A3。同时，美光的 A3 和 SK 海力士的
M15X 预计都将主要用于 HBM 生产而非传统 DRAM，这将限制晶圆和位元产出
的增量。NAND 方面，2026 年几乎没有实际晶圆增量贡献，位元增长主要靠技
术工艺的升级。
1） 三星：P4 第四阶段预计将在配备齐全的第一和第三阶段之后，于今年晚些时
候投产。尽管 P4 的第二阶段原定于 2027 年第一季度投产，但预计这一时间
表可能会提前。即便如此，预计第二阶段对晶圆产量的实质性贡献仍将在
2027 年上半年实现。
2） 海力士：龙仁一期工程的无尘室预计要到 2027 年 2 月才能投入使用，由于
设备搬入和认证需要时间，晶圆产量在 2027 年第三季度前将非常有限。
3） 美光：近期从力积电收购的 P5 铜锣厂，在 2027 年下半年之前贡献实质性的
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行业深度报告
晶圆产量尚不确定。在满负荷运转下，该厂通用型 DRAM 的最大月产能约为
万片晶圆；如果该厂配置为生产 HBM，由于 TC 键合机等后端设备对无
尘室要求更高且制造工艺更为复杂，其实际产出可能会更低。美光的爱达荷
州 1 号晶圆厂目前的目标是 2027 年中期投产，晶圆产出可能同样要等到
2027 年第三季度。
NAND 方面，铠侠宣布退出 2D NAND 市场。继先前公告停产“薄型小尺寸封装”
（TSOP）后，铠侠电子（中国）于 3 月 31 日再度向客户发布停产通知，表示
浮栅式（Floating Gate）与 BiCS FLASH 第 3 代产品即将于 2028 年停产。
图 14：DRAM 与 NAND 新建工厂投产计划
资料来源：闪存市场，招商证券
DRAM 与 NAND 供需缺口将维持 2026 全年。根据宇瞻预计，2026 年 DRAM
与 NAND 供需缺口将继续维持，其中 DRAM 缺口达 8%，DRAM 价格仍有充足
的上行动能且紧缺周期持续时间显著拉长，NAND 缺口在 5%左右，供需缺口逐
季缩小，全年仍处于紧平衡状态。
图 15：DRAM 供需缺口 图 16：NAND 供需缺口
资料来源：宇瞻，招商证券 资料来源：宇瞻，招商证券
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行业深度报告
三、库存端：原厂库存紧张贯穿 2026 全年，中下游
战略备货蓄力业绩高增
原厂与利基厂库存持续去化、DOI 下行，模组厂主动加码备货以锁定供应能力。
原厂端，三星、海力士、美光、南亚科 26Q1 库存维持低位，美光 DRAM 库存
周转天数已降至 120 天以下的紧张水平；海外 NAND/HDD 厂中，闪迪为支持新
签 NBM 协议主动备货，库存环比+14%，西部数据则因下游需求强劲，DOI 环
比大幅下降。台厂方面，模组厂（群联、威刚、十铨等）26Q1 加速备货并签订
LTA 以确保稳定供货，威刚目标 6 月底库存拉升至 500 亿新台币以上；利基型厂
商（华邦、旺宏、晶豪科）DOI 环比下降，营运效率逐季提升。大陆方面，江波
龙、德明利、佰维存储三家模组厂 26Q1 合计库存达 亿元再创新高，连续
五个季度环比上涨，在供需紧缺背景下主动囤货以支撑长期业绩增长；大陆利基
型厂商库存虽连续 8 个季度环比上行，但增速明显低于模组厂，DOI 持续改善，
整体营运效率稳步提升。
1、原厂：26Q1 年库存处于较低水平，DOI 持续下降营运效
率提高
26Q1 原厂库存水位处较低水平，库存去化持续 DOI 仍处紧张水平。25Q4 末三
星库存 亿美元，环比+%，DOI 为 94；25Q4 末海力士库存 亿
美元，环比+%，DOI 为 131；26Q1 末美光库存为 亿美元，环比+%，
DOI 为 130；26Q1 末南亚科库存 亿美元，环比%，DOI 为 191。
1） 三星：NAND 受一季度库存去化、可用产能受限影响，位元出货增速预计环
比仅低个位数；
2） 美光：26Q1 末库存 83 亿美元，环比增加 6200 万美元，库存周转天数 123
天；DRAM 库存周转天数仍处于紧张水平，低于 120 天。
图 17：四大原厂季度库存情况（亿美元） 图 18：四大原厂季度库存周转天数
资料来源：彭博，招商证券（美光转换为自然年） 资料来源：彭博，招商证券（美光转换为自然年）
闪迪为保证订单供应主动备货，西部数据 DOI 环比大幅下滑。26Q1 闪迪、西部
数据、希捷库存分别为 亿美元、 亿美元、 亿美元，累计同比+4%/
环比+6%，库存周转天数分别为 141、77、87。闪迪 26Q1 库存环比增长 14%，
主要系公司为近期签署的 NBM 提前备货，主动提升库存水平，该季度的位元出
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三星电子 海力士 美光
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三星电子 海力士 美光 南亚科
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货量环比也有所下降；西部数据与希捷 26Q1 库存环比持平，西部数据库存周转
天数环比大幅下滑，下游需求强劲，公司运营效率提高。
图 19：海外主要 Flash/HDD 厂季度库存情况（亿美元） 图 20：海外主要 Flash/HDD 季度库存周转天数
资料来源：彭博，招商证券（以自然年表示） 资料来源：彭博，招商证券
2、台厂：Q1 积极备货库存快速增长，确保后续稳定供应能
力
模组厂：26Q1 加速备货库存快速增长，确保稳定供货能力整体营运水平较好。
1）群联电子：截至 2 月底公司库存已突破 500 亿新台币，群联也与一线客户
CSP 或 OEM 厂商同步签订 LTA，以达到上下游承诺。对于中小型客户，则优先
以库存支持方式维持供货能力，未来库存多数用于长期合作客户；2）威刚：公
司亦提前多备且充足的 NAND Wafer，预估 4 月底库存水位将拉升至超过 400
亿新台币、6 月底则目标达 500 亿新台币；3）十铨：展望 2026 年第 2 季至下
半年，DRAM 与 NAND Flash 需求预期维持强劲，将透过长期采购策略与安全库
存管理机制确保稳定供货，对于整体营运抱持正向看法。
图 21：台股存储模组厂季度库存情况（亿美元） 图 22：台股存储模组厂季度库存周转天数
资料来源：彭博，招商证券 资料来源：彭博，招商证券
利基型存储：26Q1 库存与 DOI 环比均下降，利基厂营运水平逐季提高。26Q1
华邦库存为 亿美元，环比-4%，DOI 为 ；26Q1 旺宏库存为 亿美
元，环比%，DOI 为 ；26Q1 晶豪科库存为 亿美元，环比%，
DOI 为 。各家 26Q1 库存与库存周转天数环比均有所下滑，当前存储需求
强劲，供需紧缺持续，利基产品价格同样高增，利基厂整体营运水平逐季提高。
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群联电子 创见信息 威刚科技 十铨
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行业深度报告
图 23：台股利基型存储厂季度库存情况（亿美元） 图 24：台股利基型存储厂季度库存周转天数
资料来源：彭博，招商证券 资料来源：彭博，招商证券
3、大陆：模组厂积极备货创历史新高，支撑长期业绩增长
模组厂：各家 Q1 库存大幅增长，以支撑后续供应能力与业绩增长。26Q1 江波
龙、德明利、佰维存储库存分别为 亿元、 亿元、 亿元，累计
同比+164%/环比+59%，库存周转天数分别为 303、270、282。26Q1 大普微库
存 20 亿元，环比+43%。存储价格持续上涨及供应紧缺情况下，国内模组厂积极
囤货，26Q1 江波龙、德明利、佰维存储三家合计库存达 亿元，再创新高，
连续五个季度环比上涨，在当前紧缺背景下，公司为保障后续整体供货能力，库
存与 DOI 有所增加，为长期业绩增长提供支撑。
图 25：大陆存储模组厂季度库存情况（亿元） 图 26：大陆存储模组厂季度库存周转天数
资料来源：彭博，招商证券 资料来源：彭博，招商证券
利基型存储：库存维持高位环比小幅增长，26Q1 DOI 进一步下降。26Q1 兆易
创新、普冉股份、东芯股份、北京君正、聚辰股份、恒烁股份库存分别为
亿元、 亿元、 亿元、 亿元、 亿元、 亿元，累计同比
+34%/环比+9%，库存周转天数分别为 175、196、453、302、184、217。六家
利基型存储厂合计库存水平连续 8 个季度环比上涨，但整体库存规模低于模组厂
且库存增速明显偏低，整体囤货力度低于模组厂，库存周转天数持续改善，营运
效率进一步提升。
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江波龙 德明利 佰维存储
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行业深度报告
图 27：大陆利基型存储厂季度库存情况（亿元） 图 28：大陆利基型存储厂季度库存周转天数
资料来源：彭博，招商证券 资料来源：彭博，招商证券
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行业深度报告
四、价格端：现货价短期扰动不改合约价上行趋势，
二季度 NAND 涨幅超过 DRAM
现货价较高点出现小幅回调，但合约价涨势依然强劲。指数层面，DXI、DRAM
及 NAND 价格指数均在 4 月前后创阶段高点后小幅回落，较高点分别下降 %、
%及 %；现货价方面，DDR4 16Gb 月环比回调幅度较大，NAND 现货价
格过去一个月累计跌幅已达 30-40%，主因前期现货价涨幅过高导致买方承接意
愿低迷，叠加部分贸易商资金周转压力下降价变现，短期内买方普遍观望、以消
化库存为主；合约价方面，现货波动不改合约价上行趋势，根据 TrendForce 数
据，预计 26Q2 传统 DRAM 合约价环比上涨 58-63%，NAND 合约价环比上涨
70-75%，NAND 涨幅超过 DRAM，主要受 AI/数据中心需求持续旺盛、原厂供给
优先满足高价值品类及 CSP 主动签署 LTA 锁量等因素驱动。整体来看，现货短
期调整系市场的阶段性扰动，并不代表存储器价格趋势逆转。
1、价格指数：当前整体涨势放缓，较高点有小幅回调
DXI：2025 年 7 月开始呈指数级上升趋势，当前涨势趋于平缓。DXI 指数衡量存
储器出货量与价格，从 2025 年 7 月开始指数加速上涨，在 2026 年 4 月 21 日达
到 高点，期间涨幅 8 倍，5 月 8 日 DXI 指数达 678650 点，环比上周
增长 %，较高点下降 %。
DRAM 指数：出现小幅下滑，当前较高点下降 %。10 月指数突破千点关口，
此后涨幅持续扩大，11 月单月涨幅超 40%，2025 年末指数突破 2000 点，进入
2026 年后更是加速冲高，最终在 4 月 7 日达到 点的阶段高点，4 月 28
日指数为 ，较高点下降 %。
NAND 指数：出现小幅回调，当前较高点下降 %。NAND 指数上涨稍晚，从
2025年9月低点冲高至2026年3月24日高点，4月28日指数为，
较高点下滑 %。
图 29：DXI 指数
资料来源：Wind，招商证券（截至 5 月 8 日）
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DXI指数
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行业深度报告
图 30：DRAM 与 NAND 价格指数
资料来源：Wind，闪存市场，招商证券（截至 4 月 28 日）
2、现货价格：DRAM 与 NAND 价格有所回调，与合约价仍
存在一定差距
DRAM：整体现货价普遍回调，DDR4 16Gb 回调幅度最大。截至 5 月 8 日，主
流 DDR5 16Gb /DDR4 16Gb/DDR4 8Gb/DDR3 4Gb 现 货 均 价 为
美金，相较上周环比+%/%/ %/+%，
相较上月环比+%/%/%/+%。DDR4 16Gb 因此前现货价涨
幅巨大，与合约价价差较大，当前回调幅度较多，整体来看，当前现货价与合约
价仍有一定价差。
根据 TrendForce 数据，当前现货市场延续保守氛围，买方多以探价为主，实际
购货意愿低迷。仅 DDR5 品牌颗粒保有零星买盘支撑；DDR4 颗粒则因需求不振，
导致供应商虽向下调节报价，仍无法有效刺激买卖需求，整体价格延续向下修正
趋势，最终成交情况萧条。
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NAND指数 DRAM指数
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行业深度报告
图 31：主流 DRAM 现货价格（日度，美元）
资料来源：Wind，iFind，招商证券（更新至 5 月 8 日）
图 32：其他 DRAM 现货价格（日度，美元）
资料来源：Wind，iFind，招商证券（更新至 5 月 4 日）
NAND：近期呈持续下修态势，部分贸易商因资金周转压力采取降价变现措施。
4 月 27 日 TLC 512Gb/TLC 256Gb/TLC 128Gb 现货价分别为 美元/
美元/ 美元，较上周环比%/持平/持平，整体来看，NAND 颗粒也出现小
幅回调。根据 TrendForce 数据，NAND 现货价格在过去一个月呈持续下修态势，
累计跌幅已达 30-40%。跌价主因在于先前现货价位过高，买方承接意愿低迷；
此外，部分贸易商面临资金周转压力，采取降价变现策略，动摇市场信心。此举
导致有实质需求的买方产生后续续降的预期心理，目前普遍采取观望态度。
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DDR4(8Gb(1Gx8),3200Mbps) DDR3(4Gb(512Mx8),1600MHz)
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DDR4 16Gb(2Gx8)2666 Mbps DDR4 8Gb(1Gx8)2666 Mbps
DDR4 8Gb(512Mx16)2666 Mbps DDR4 16Gb(2Gx8)eTT Mbps
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行业深度报告
图 33：NAND 现货价格（周度，美元）
资料来源：Wind，iFind，招商证券（更新至 4 月 27 日）
图 34：NAND 颗粒现货价格（周度，美元）
资料来源：Wind，iFind，招商证券（更新至 4 月 27 日）
近期各类存储产品现货价均趋稳，个别 PC SSD 价格小幅上涨。根据闪存市场
数据，原厂 NAND 资源官价高位坚挺，并且本月部分资源收紧供应，而与资源
捆绑更深的嵌入式存储及行业 SSD 成本居高不下，成品价格始终保持平稳。去
年四季度以来存储市场供需反转下，部分 PC OEM 并未能及时和原厂达成深度
的战略合作，使其在争取供应时的话语权偏低，从而通过引入更多的国产存储厂
商来纳入供应体系以保证供应稳定性，部分行业厂商凭借品牌、产品等优势承接
该部分需求。基于原厂Q2坚定拉涨PC存储价格至 美金/GB 上下区间范围，
但面向存储厂商释放的资源单价早已在 3 月全面突破 美金/GB，行业厂商在
采购高价资源同时也正不断推涨成本压力，加上原厂面向 PC OEM 出货的 SSD
产品多以高容量为主，行业厂商在 256GB 及以下容量的 SSD 产品上拥有较充分
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现货平均价:NAND Flash(64Gb 8Gx8 MLC) 现货平均价:NAND Flash(32Gb 4Gx8 MLC)
TLC 128Gb TLC 256Gb TLC 512Gb
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行业深度报告
的议价权。4 月 28 日行业 256GB SATA/PCIe SSD 价格呈个位数百分比上
涨。
图 35：各存储产品周度价格情况（美元）
资料来源：闪存市场，招商证券（红色代表价格上涨，白色代表价格维持）
Q1 渠道市场价格与货期仍持续增长，4 月以来整体价格震荡波动。根据闪存市
场数据，渠道市场方面，尽管此前市场传出个别原厂及存储品牌厂商上调 SSD
零售官价，渠道贸易端迅速做出反应，相关 SSD 甚至内存条均出现反弹的迹象，
少数贸易商欲借机囤货，不过，买卖双方价格预期存在一定的差距，买盘承接无
力，近期部分存储品牌 SSD 贸易价再度回踩走跌。当前渠道客户多以短期观望、
消化库存为主。与此同时，包括 NAND 和 DRAM 在内的渠道低端资源价格尚未
止跌，尤其是 DRAM 低端资源近一个月跌幅高达 60%，多因素影响下部分渠道
SSD、内存条价格再度走跌。另外，受个别行业厂商报价激进的影响，其余厂商
在面对同业杀价的情况下而跟进下修 DDR4 内存条价格。
存储类型 产品 2025/12/30 2026/1/6 2026/1/13 2026/1/20 2026/1/27 2026/2/3 2026/2/10 2026/2/24 2026/3/3 2026/3/10 2026/3/19 2026/3/24 2026/3/31 2026/4/7 2026/4/14 2026/4/21 2026/4/28
Flash Wafer 1Tb QLC
DDR4 16Gb 3200
DDR4 16Gb eTT
DDR4 8Gb 3200
DDR4 8Gb eTT
DDR4 4Gb eTT
DDR5 24Gb Major
DDR5 16Gb Major
DDR5 16Gb eTT
DDR4 SODIMM 4GB 3200
DDR4 SODIMM 8GB 3200
DDR4 SODIMM 16GB 3200
DDR4 UDIMM 8GB 3200
DDR4 UDIMM 16GB 3200
DDR4 UDIMM 32GB 3200
DDR5 UDIMM 16GB 5600
DDR5 UDIMM 16GB 6000
DDR5 UDIMM 32GB 5600
DDR5 UDIMM 32GB 6000
SSD(SATA 3) 256GB
SSD(SATA 3) 512GB
SSD(SATA 3) 1TB
SSD(PCIe ) 256GB
SSD(PCIe ) 512GB
SSD(PCIe ) 1TB 190
SSD(PCIe ) 512GB
SSD(PCIe ) 1TB
SSD(PCIe ) 2TB
SSD(SATA 3) 120GB
SSD(SATA 3) 240GB
SSD(SATA 3) 480GB
SSD(PCIe ) 256GB
SSD(PCIe ) 512GB
SSD(PCIe ) 1TB
SSD(PCIe ) 512GB
SSD(PCIe ) 1TB
SSD(PCIe ) 2TB
LPDDR4X 96Gb
LPDDR4X 64Gb
LPDDR4X 48Gb
LPDDR4X 32Gb
LPDDR4X 16Gb
eMMC 8GB
eMMC 16GB
eMMC 32GB
eMMC 64GB
eMMC 128GB
eMMC 256GB
eMCP(eMMC + LPDDR4X)64GB+32Gb
eMCP(eMMC + LPDDR4X)128GB+32Gb
eMCP(eMMC + LPDDR4X)128GB+48Gb
UFS 64GB
UFS 128GB
UFS 256GB
UFS 512GB
uMCP(LPDDR4X + )4GB+128GB
uMCP(LPDDR4X + )6GB+128GB
uMCP(LPDDR4X + )8GB+128GB
uMCP(LPDDR4X + )8GB+128GB
DDR
内存条
（PC）
内存条
（渠道）
SSD（PC）
SSD
（渠道）
LPDDR
（手机）
eMMC
（手机）
eMCP
（手机）
UFS
（手机）
uMCP
（手机）
敬请阅读末页的重要说明 28
行业深度报告
图 36：各厂商产品渠道价格与货期变化情况
资料来源：富昌电子，招商证券（红色代表价格上涨及货期延长，绿色代表价格平稳及货期平稳，黄色代表价格下降及货期缩短）
3、合约价格：预计二季度 NAND 涨幅超过 DRAM，手机、
PC 等领域价格也将持续走高
存储合约价持续上涨但涨幅较一季度收窄，NAND合约价二季度涨幅高于DRAM。
预计 26Q2 DRAM 合约价环增 58-63%，NAND 合约价环增 70-75%。根据
TrendForce 数据，2026 年第二季因 DRAM 原厂积极将产能转向 HBM、Server
应用，并采用“补涨”策略拉近各类产品价差，尽管终端市场面临出货下修风险，
预估整体传统 DRAM 合约价格仍将环增 58-63%。NAND Flash 市场持续由 AI、
数据中心需求主导，全产品线连锁涨价的效应不减，预计第二季整体合约价格将
环增 70-75%。
图 37：26Q2 存储器价格预测
资料来源：TrendForce，招商证券
货期及趋势 价格趋势 货期及趋势 价格趋势 货期及趋势 价格趋势 货期及趋势 价格趋势 货期及趋势 价格趋势 货期及趋势 价格趋势 货期及趋势 价格趋势 货期及趋势 价格趋势 货期及趋势 价格趋势 货期及趋势 价格趋势
6-8 稳定 6-8 上涨 6-8 上涨 6-8 上涨 6-8 上涨 6-8 上涨 6-8 上涨 6-8 上涨 26-52 上涨 26-52 上涨
6-8 稳定 6-8 上涨 6-8 上涨 6-8 上涨 6-8 上涨 6-8 上涨 6-8 上涨 6-8 上涨 26-52 上涨 26-52 上涨
8-10 稳定 8-10 上涨 8-10 上涨 8-10 上涨 8-10 上涨 8-10 稳定 8-10 上涨 8-10 上涨 26-52 上涨 26-52 上涨
8-12 上涨 8-12 上涨 8-12 上涨 8-12 上涨 8-12 上涨 8-12 上涨 8-12 上涨 8-12 上涨 26-52 上涨 26-52 上涨
2-20 稳定 2-20 稳定 2-20 稳定 2-20 稳定 2-20 稳定 2-20 稳定 2-20 稳定 2-20 上涨 2-20 上涨 8-52 上涨
12-16 稳定 12-16 稳定 8-16 稳定 8-16 稳定 8-16 稳定 8-16 稳定 8-16 稳定 16-20 上涨 18-20 上涨 18-20 上涨
8-30 稳定 8-30 稳定 8-30 稳定 8-30 稳定 8-30 稳定 8-30 稳定 8-30 稳定 8-30 稳定 8-30 稳定 8-30 稳定
12-20 稳定 12-20 稳定 12-20 稳定 12-20 稳定 12-20 稳定 12-20 稳定 12-20 稳定 12-20 稳定 12-20 稳定 12-20 上涨
8-24 稳定 8-24 稳定 8-24 稳定 8-24 稳定 8-24 稳定 8-24 稳定 8-24 稳定 8-24 稳定 8-24 稳定 8-24 上涨
8-12 稳定 8-12 稳定 8-12 稳定 8-12 稳定 8-12 稳定 8-12 稳定 8-12 上涨 8-12 上涨 12-26 上涨 26-52 上涨
6-8 稳定 6-8 上涨 6-8 上涨 6-8 上涨 6-8 上涨 6-8 上涨 6-8 上涨 6-8 上涨 26-52 上涨 26-52 上涨
6-12 上涨 26-52 上涨 26-52 上涨
26-52 上涨 26-52 上涨
4-6 稳定 4-6 上涨 4-6 上涨 4-6 上涨 4-6 上涨 4-6 稳定 4-6 上涨 4-6 上涨 26-52 上涨 26-52 上涨
12-52 稳定 12-52 稳定 12-52 稳定 12-52 稳定 12-52 稳定 12-52 稳定 12-52 稳定 12-52 稳定 12-52 稳定 12-52 稳定
12-26 稳定 12-26 稳定 12-26 稳定 12-26 稳定 12-26 稳定 12-26 稳定 12-26 视市场情况 12-26 视市场情况 12-26 稳定 12-26 上涨
12-26 稳定 12-26 稳定 8-16 稳定 8-16 稳定 8-16 稳定 8-16 稳定 8-16 稳定 8-16 稳定 8-16 稳定 8-16 稳定
18-40 稳定 18-40 稳定 18-40 稳定 18-40 稳定 18-40 稳定
40-52 稳定 40-52 稳定 40-52 稳定 40-52 稳定 40-52 稳定
Everspin Technologies 12-28 稳定 12-28 稳定 12-28 稳定 12-28 稳定 12-28 稳定 12-28 稳定 12-18 稳定 12-18 稳定 12-18 上涨 12-26 上涨
8-16 稳定 8-16 稳定 8-16 稳定 8-16 稳定 8-16 稳定 8-16 稳定
12-18 上涨 12-18 上涨 12-18 上涨 12-18 上涨 12-18 上涨 12-18 上涨 12-18 上涨 12-18 上涨 20-26 上涨 26-52 上涨
8-16 稳定 8-16 上涨 8-16 上涨 8-16 上涨 8-16 上涨 8-16 稳定 8-16 稳定 8-16 上涨 20-26 上涨 26-52 上涨
8-16 上涨 8-16 上涨 8-16 上涨 8-16 上涨 8-16 上涨 8-16 稳定 8-16 上涨 8-16 上涨 20-26 上涨 26-52 上涨
2-4 上涨 2-4 上涨 2-4 上涨 2-4 稳定 2-4 稳定 2-4 视市场情况 2-4 稳定 4-16 上涨 4-16 上涨 24-26 上涨
2-4 稳定 2-4 稳定 6-8 稳定 6-8 上涨 24-26 上涨 24-26 上涨 24-26 上涨
2-6 稳定 2-6 上涨 2-6 上涨 2-6 上涨 2-6 上涨 2-6 上涨 2-6 上涨 6-12 上涨 6-12 上涨 6-12 上涨
2-6 上涨 4-6 上涨 4-6 上涨 4-6 上涨 4-6 上涨 4-6 上涨 6-12 上涨 6-16 上涨 6-12 上涨 24-26 上涨
2-10 稳定 2-10 上涨 2-10 上涨 2-10 上涨 2-10 上涨 2-10 上涨 4-6 上涨 4-6 稳定 6-12 上涨 6-12 上涨
4-8 上涨 4-8 上涨 4-8 上涨 4-8 上涨 4-8 上涨 4-8 上涨 4-8 上涨 4-8 上涨 6-12 上涨 24-26 上涨
8-12 视市场情况 8-12 视市场情况 8-12 视市场情况 8-12 视市场情况 8-12 视市场情况 8-12 稳定 8-12 稳定 8-12 上涨 18-20 上涨 30-32 上涨
8-12 视市场情况 8-12 视市场情况 8-12 视市场情况 8-12 视市场情况 8-12 视市场情况 8-12 视市场情况 8-12 稳定 8-12 上涨 18-20 上涨 30-32 上涨
18-26 稳定 18-26 上涨 18-26 上涨 18-26 上涨 18-26 上涨 18-26 上涨 8-12 稳定 24-26 上涨 20-22 上涨 30-52 上涨
4-11 稳定 4-11 稳定 4-11 稳定 4-11 稳定 4-11 稳定 4-11 稳定 4-11 稳定 4-11 稳定 4-11 稳定 4-11 稳定
4-52 稳定 4-52 稳定 4-52 稳定 4-26 稳定 4-26 稳定 4-26 稳定 4-26 稳定 4-26 稳定 4-26 稳定 4-26 稳定
4-52 稳定 4-52 稳定 4-25 稳定 4-25 稳定 4-25 稳定 4-25 稳定 4-25 稳定 4-25 稳定 4-25 稳定 4-25 稳定
12-26 上涨 12-26 上涨 12-26 上涨 12-26 上涨 12-26 上涨 12-26 上涨 12-26 上涨 12-26 上涨 12-26 上涨 12-26 上涨
20-40 稳定 20-40 稳定 20-40 稳定 20-40 稳定 20-40 稳定 20-40 稳定 20-40 稳定 20-40 稳定 20-40 稳定 20-40 稳定
20-30 稳定 20-30 稳定 12-20 稳定 12-20 稳定 12-20 稳定 12-20 稳定 12-20 稳定 12-20 稳定 12-20 稳定 12-20 稳定
20-22 稳定 18-22 稳定 12-14 稳定 12-14 稳定 12-14 稳定 12-14 稳定 12-14 稳定 12-14 稳定 12-14 稳定 12-14 稳定
18-40 稳定 18-22 稳定 12-14 稳定 12-14 稳定 12-14 稳定 12-14 稳定 12-14 稳定 12-14 稳定 12-14 稳定 12-14 上涨
28-30 稳定 28-30 稳定 12-14 稳定 12-14 稳定 12-14 稳定 12-14 稳定 12-14 稳定 12-14 稳定 12-14 稳定 12-14 稳定
Renesas 14-28 上涨 14-28 上涨 14-28 上涨 14-28 上涨
罗姆半导体 20-26 稳定 20-26 稳定 8-12 稳定 8-12 稳定 8-12 稳定 8-12 稳定 8-12 稳定 8-12 稳定 8-12 稳定 8-12 稳定
6-10 视市场情况 6-10 稳定 6-10 稳定 6-10 稳定 6-10 稳定 6-10 稳定 6-10 稳定 14-16 上涨 14-16 上涨 16-26 上涨
8-12 稳定 8-12 上涨 8-12 上涨 8-12 上涨 8-12 上涨 8-12 稳定 8-12 稳定 12-30 上涨 14-52 上涨 52+ 上涨
SMART Modular Technologies 18-30 稳定 18-30 上涨 18-30 上涨 12-18 上涨 12-18 上涨 12-18 上涨 12-18 上涨 12-18 上涨 18-20 上涨 26-52 上涨
意法半导体（ST） 12-26 稳定 12-26 稳定 6-12 稳定 4-8 稳定 4-8 稳定 4-8 稳定 4-8 稳定 12-14 上涨 12-14 上涨 12-14 上涨
8-12 稳定 8-12 上涨 8-12 上涨 8-12 上涨
6-10 视市场情况 6-10 上涨 8-12 上涨 12-26 上涨
25Q3 25Q4 26Q1
存储器模块
eMMC
24Q2 24Q3 24Q4 25Q1 25Q223Q4 24Q1
存储卡
SSD
PC DRAM（商用）
移动RAM
SRAM
NOR 闪存
NAND 闪存
eMMC
存储器模块
SSD
USB
存储卡
SRAM
NOR 闪存
FRAM和NVSRAM
NOR 闪存
DATA 闪存
MRAM
NOR 闪存
eMMC
存储卡
SSD
PC DRAM（商用）
移动RAM
存储器模块
eMMC
存储卡
SSD
NOR 闪存
NAND 闪存
eMMC
SRAM
NOR 闪存
EEPROM
EPROM
存储器模块
SRAM
EEPROM
SRAM
NOR 闪存
数据闪存
瑞萨电子
Renesas
SkyHigh Memory
SRAM
FRAM和NVSRAM
NAND 闪存
eMMC
兆易创新
产品
EEPROM
NOR 闪存
NAND 闪存
厂商
威刚科技
ADATA
Alliance Memory
Centon
赛普拉斯&英飞凌
Cypress&infineon
Dialog Semiconductors
绿芯
Greenliant
金士顿
Kingston
旺宏电子
Macronix
微芯科技
Microchip
安森美
Onsemi
敬请阅读末页的重要说明 29
行业深度报告
DRAM：服务器端短期内供给仍维持紧缩，手机、PC 端 26Q2 价格将持续坚挺。
根据 TrendForce 数据，①PC：尽管整机需求出现下修，但原厂同步缩减对 PC
OEM、模组厂的供货，导致原厂满足率较低的 PC OEM 需加价向原厂或模组厂
采购，对价格形成支撑；②服务器：北美云端服务供应商对 AI 推理的应用情境
逐渐明确，带动 AI Server、通用型 Server 需求上升，大容量 RDIMM 成为主要
采购目标。供给方面，原厂考量 Server DRAM 的获利居各类产品之首，优先分
配位元产出至此。目前原厂也正与主要客户洽谈长期协议，作为未来扩产依据，
然而短期供给仍维持紧缩；③手机：品牌因存储器成本压力持续累积，不排除自
2026 年第二季起调整生产计划，但预估上半年对手机 DRAM 的拉货力道暂不致
出现大幅收缩。整体而言，随着原厂与指标客户谈定第二季价格、立下涨幅基准，
加上原厂欲借由补涨缩小各应用间价差，手机 DRAM 合约价将较前一季持续走
升。
预计 26Q2 消费类 DRAM 合约价环增 45-50%。根据 TrendForce 数据，大厂逐
步退出成熟 DDR4 以下产品制造的策略不变，在市场供给结构持续收敛下，过去
几个月整体价格已累积惊人涨幅。考虑到供给持续缩减、订单转移，以及成熟制
程供应商产能扩张不及等因素，预估 2026 年第二季消费类 DRAM 合约价格仍将
持续环增 45-50%。
图 38：DRAM 合约价（月度，美元）
资料来源：iFind，招商证券（更新至 2026 年 3 月）
NAND：服务器端需求持续旺盛，当前 NAND 各品类供给缺口仍在二季度价格
涨势将延续。根据 TrendForce 数据，2026 年第二季 NAND Flash 原厂虽通过制
程升级、调升 QLC 比例提高位元产出，但增加幅度有限。来自 AI Server 的需求
保持强劲，PC、智能手机厂商则被迫缩减产品容量，以抑制 NAND Flash 需求
量。随着生成式 AI 进入大规模应用阶段，高效能 SSD 需求显著增长，企业级
SSD 订单成长未见放缓。供给方面，2026 年将明显缺货，新产能预计要到 2027
年底或 2028 年才能大规模开出。CSP 为确保供货稳定，愿意接受涨价并签订
LTA，更增添原厂上调价格动力。
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DDR5 16Gb 2Gx8 DDR5 16GB SO-DIMM DDR5 8GB SO-DIMM DDR4/4GB/256Mx16
DDR4 8Gb 1Gx8 DDR4 16Gb 2Gx8 DDR4 8Gb 512Mx16 DDR4 8GB SO-DIMM
DDR4 16GB SO-DIMM DDR3/4GB/256Mx16
敬请阅读末页的重要说明 30
行业深度报告
即便 PC 需求不见好转，但买方预期 Client SSD 价格将持续上行，且担心产能
遭 Server 完全排挤，出现库存回补需求。然而供应商为追求营业利益最大化，
持续缩减对 Client SSD 的供给，第二季价格涨势不减。
eMMC/UFS 部分，即使智能手机市场低迷，旗舰机 AI 功能对高速传输的需求维
持刚性，车用、工控需求也小幅回温。从供给面来看，eMMC/UFS 与 Enterprise
SSD 在部分制程上高度重叠，但单位利润远低于后者，导致供给缺口最大，预
计第二季价格也将大幅提升。
图 39：NAND 合约价（月度，美元）
资料来源：iFind，招商证券（更新至 2026 年 3 月）
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DDR5 16GB SO-DIMM DDR5 8GB SO-DIMM DDR5 16Gb 2Gx8 DDR4 16GB SO-DIMM
DDR4 8GB SO-DIMM DDR4 16Gb 2Gx8 DDR3/4GB/256Mx16
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行业深度报告
五、销售端：多年期长协持续加固业绩能见度，存储
供需紧缺或将延续至 2027 年
26Q1 全球存储行业量价齐升，各环节营收与利润均创历史新高，供需紧缺格局
或延续至 2027 年。原厂端，三星、海力士、美光、南亚科 26Q1 营收与毛利率
同步突破历史纪录，DRAM ASP 环比上涨 mid-60%、NAND ASP 环比上涨
mid-70%，业绩超出市场预期；各原厂已积极与客户推进多年期战略协议
（SAC/NBM/LTA），部分合同期限已延伸至 2029 年，业绩能见度与稳定性显
著提升。供需方面，美光、三星等均明确指出，存储器供需紧缺有望持续至 2027
年甚至更久，行业有望迎来史上持续时间最长的上行周期之一。
中国台湾与大陆各环节亦全面受益，3/4 月单月营收普遍创历史新高。中国台湾
利基型厂商（华邦、旺宏、晶豪科等）产能持续满载，合约价涨幅倍数以上，eMMC
等细分品类缺货尤为突出；模组厂（群联、威刚、创见等）受 AI 驱动的高容量
需求带动，26Q1 单季营收创新高，普遍对全年维持正向展望。大陆方面，兆易
创新、江波龙、德明利、佰维存储等头部厂商 26Q1 营收与归母净利润大幅增长，
三家模组厂平均单月利润约 10 亿元，盈利能力大幅跃升；随着海外大厂逐步退
出 2D NAND 及利基 DRAM 市场，大陆厂商亦有望持续扩大市场份额。
1、原厂：26Q1 营收与利润再创新高，签署多年期协议业绩
能见度提高
海外存储大厂 26Q2 业绩指引再创新高，全年盈利能力将进一步提升。①美光：
2026 年 DRAM、NAND 行业位元需求均将受供应限制，且 DRAM、NAND 供需
紧张格局将持续至 2026 年之后；②闪迪：需求端，2027 年数据中心增长预期从
三个月前的 60%区间上调至 mid-70s。数据中心之外，由于出货量下滑，市场有
些收缩，预计 2027 年会有反弹。供应端，公司可以维持 mid to high-teens 的
BiCS 增长而不需要大量新建产能；③西部数据：26Q1 每 TB 定价同比增长约
8%-9%，每 EB 成本同比下降约 10%；④希捷：公司有信心将未来几年的年化
营收增长目标从 low to mid-teens 显著上调至最低 20%。公司的技术战略优先考
虑面密度创新而非增加数量，为客户提供更优的每 TB 成本和功耗效率，公司将
数据中心 EB 增长目标设定在 mid-20%。
敬请阅读末页的重要说明 32
行业深度报告
表 3：海外存储大厂业绩及指引汇总
三星 海力士 美光 闪迪 西部数据 希捷
26Q1 营收 万亿韩元 万亿韩元 亿美元 亿美元 亿美元 亿美元
同比 69% 198% 196% 251% 45% 44%
环比 43% 60% 75% 97% 11% 10%
26Q1 业绩
具体表现情
况
DS：营收 万
亿 韩 元 ， 同 比
+225%/ 环 比 +
86%，其中存储业
务营收达 万
亿 韩 元 ， 同 比
+292%/ 环 比
+101%
DRAM：26Q1 出
货量环比持平，
ASP 环 比 上 涨
mid-60%；
NAND：26Q1 出
货量环比下降约
10%，ASP 环比
上涨 mid-70%
DRAM：营收 188
亿美元，同比 +
207%/ 环 比 +
74%；
NAND：营收 50
亿 美 元 ， 同 比
+169%/ 环 比
+82%
数据中心：营收
亿美元，同
比 +645%/环比 +
233%；
边缘计算：营收
亿美元，同
比 +295%/ 环 比
+118%；
消费级：营收
亿 美 元 ， 同 比
+44%/环比-10%
云：营收 亿
美元，同比+48%/
环比+11%；
客户端：营收
亿 美 元 ， 同 比
+31%/环比+ 2%；
消费级：营收
亿 美 元 ， 同 比
+24%/环比+11%
数据中心：营收
25 亿美元，同比
+55%/ 环 比 +
12%；
边缘物联网：营收
亿美元，环比
+2%
26Q2 业绩
指引
26Q2 预计营收
亿美
元 ， 中 值 同 比
+260%/环比 40%
26Q2 预计营收
亿 美
元，中值同比 +
321%/环比+34%
26Q2 预计营收
亿 美
元 ， 中 值 同 比
+40%/环比+9%
26Q2 预计营收
亿 美
元 ， 中 值 同 比
+41%/环比+19%
资料来源：各公司法说会，招商证券
存储器原厂龙头：四大原厂 26Q1 营收与利润再创历史新高，存储器价格持续上
涨且 AI 需求旺盛，各原厂已开始签订多年期 SAC 协议，进一步提高业绩的能见
度与稳定性，预计存储行业供需紧缺或将延续至 2027 年。
1） 三星电子：HBM 业务收入预计 26 年同比增长 3 倍，2027 年行业供需缺口
或将进一步扩大。26Q1 营收 万亿韩元，同比+69%/环比+43%，毛利
率 %，同比+ 万亿韩元，同比
+756%/环比+185%，创历史新高，其中存储业务收入 万亿韩元，同比
+292%/环比+101%。公司 HBM 收入预计今年同比将实现三倍增长，26Q3
开始 HBM4 的收入将占 HBM 总收入的一半以上。行业供需紧缺持续，客户
已开始预定 2027 年需求，基于当前情况，预计 2027 年供需缺口将较 2026
年进一步扩大；
2） 海力士：26Q1 业绩再创新高，当前现货价波动并非市场见顶信号。26Q1
营收 万亿韩元，同比+198%/环比+60%；毛利率为 79%，同比+22pcts/
环比+10pcts；净利润 万亿韩元，同比+398%/环比+165%，营业利润
率高达 72%，净利率达 77%，同比+31pcts/环比+31pcts。公司业绩再创新
高，主要系 DRAM 和 NAND 价格持续上涨及高附加值产品占比提升。现货
市场在整体 DRAM 市场中占比极小，交易的产品类型和数量与公司业务差异
较大，现货市场变化不能反映整体市场情况。当前企业级存储需求旺盛，同
时供应商短期内难以增加供应，供需失衡持续存在，现货价格温和波动并非
市场见顶的信号，而是近期价格上涨后部分分销渠道库存进入市场导致的暂
时性现象；
3） 美光：26Q1 营收与毛利率大超预期，已成功签署五年期 SCA 协议。26Q1
（FY26Q2）营收 亿美元，同比+196%/环比+75%，大超此前指引
（183-191亿美元）；Non-GAAP毛利率%，同比+37pcts/环比+，
大超此前指引（67-69%），毛利率提升主要源于产品均价上涨，同时受益于
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行业深度报告
产品结构优化与成本管控成效。运营利润率为 %，同比+44pcts/环比
+22pcts。公司持续与客户推进战略客户协议，该协议不同于以往的 LTA，
包含多年期明确承诺，以提升业务模式的可见性与稳定性，目前已成功签署
首份五年期战略客户协议；
4） 南亚科：26Q1 营收与毛利率高增，预计 DRAM 供不应求将至 2027 年。26Q1
营收 亿美元，同比+608%/环比+60%，创单季历史新高，毛利率为 68%，
同比+83pcts/环比+19pcts。公司预计 Q2 可维持高毛利率表现，未来第 3、4
季也会延续，DRAM 供不应求将至 2027 年。
图 40：四大存储原厂营收（亿美元）及累计同比情况
资料来源：彭博，招商证券（注：美光营收按自然年划分）
图 41：存储原厂季度毛利率情况 图 42：存储原厂季度净利率情况
资料来源：彭博，招商证券（注：美光按自然年划分） 资料来源：彭博，招商证券（注：美光按自然年划分）
分业务来看，海力士与美光 DRAM 业务收入占比均在七到八成，26Q1 DRAM
与 NAND 价格环比分别增长约 mid-60%、mid-70%。
1） 海力士：①DRAM：26Q1 出货量环比持平，符合公司此前指引，公司在供
应受限下优先向 HBM 和 128GB 及以上高密度服务器模块分配产能。ASP
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三星电子 海力士 美光 南亚科
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行业深度报告
方面，受常规存储器价格加速上涨带动，DRAM ASP 环比上涨 mid-60%。
②NAND：26Q1 出货量环比下降约 10%，主要系上一季度高基数效应、减
少分立器件销售以及转向高附加值产品导致生产提前期延长所致。ASP 方面，
受益于全线产品强劲定价，NAND ASP 环比上涨 mid-70%；
2） 美光：①DRAM：FY26Q2 营收 188 亿美元，同比+207%/环比+74%，位元
出货量环比中个位数增长，ASP 环比增长 mid-60%。②NAND：FY26Q2 营
收 50 亿美元，同比+169%/环比+82%，位元出货量环比低个位数增长，ASP
环比增长 high-70%。
图 43：海力士季度营收占比拆分 图 44：美光季度营收占比拆分
资料来源：彭博，招商证券 资料来源：彭博，招商证券（注：美光按自然年划分）
海外 NAND/HDD 厂：受益 AI 推理需求激增各家业绩营收与毛利均高增，长协
已取得实质性进展，涵盖量价要求与财务担保，公司业绩能见度进一步提高，多
家已签至 2028 年及以后。
1） 闪迪：FY26Q3 业绩大超预期，公司签署五份 NBM 协议涵盖 27 财年超三分
之一的位元生产量。FY26Q3 收入 亿美元，同比+251%/环比+97%，
超此前指引（44-48 亿美元），主要由产品结构向高价值客户的迁移以及更
高的定价驱动。公司的 BiCS 出货量同比持平，环比下降 high-teens，主要
是为了建立更高的库存水位，以支持下季度强劲的 BiCS8 QLC 需求、
Stargate 放量以及为近期签署的新商业模式做准备；Non-GAAP 毛利率
%，同比+
NBM，本季度公司签署了三份协议，第四财季迄今又额外签署了两份，目前
与多家客户的谈判仍在积极推进。协议期限各异，最长合同延伸至五年。总
体合同期内的交付量承诺逐步递增，按季度结算，定价采用固定与浮动相结
合的模式。本季度签署的三份合同提供的 RPO 约为 420 亿美元。签署的五
份协议合计包含逾 110 亿美元财务担保，这五份 NBM 覆盖了 2027 财年公
司预计生产的位元量超三分之一，未来有望达到 50%以上；
2） 西部数据：部分 LTA 已延伸至 2029 年，预计长期数据存储增长 CAGR 将
超过 25%。FY26Q3 营收 亿美元，同比+45%/环比+11%，超指引上
限（31-33 亿美元），受所有终端市场强劲需求及改善的定价环境驱动；毛
利率为 %，同比+
主要系高容量驱动器产品结构持续优化、定价策略执行及严格成本管控共同
驱动。公司预计长期数据存储容量增长 CAGR 将超过 25%。关于 LTA，公
司与客户的长期协议能见度持续改善，协议期限现已延伸至 2028 年和 2029
年。LTA 基本包含约定的 EB 出货量，以及与之挂钩的定价。根据协议期限，
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行业深度报告
可能设有随新容量节点或新能力引入而调整定价的阶段性机制；
3） 希捷：FY26Q3 营收与利润持续增长，公司与客户合作已延伸至 2028 年及
以后。FY26Q3 营收 亿美元，同比+%/环比+%，超此前指
引（28-30 亿美元）；Non-GAAP 毛利率为 47%，同比+
+，创历史新高；Non-GAAP 营业利润率为 %，同比+14pcts/环
比+，超此前指引（35%）。公司正与大客户敲定直至 2027 财年末的
按单定制合约，合约明确约定了具体产品配置与定价。公司采用价值定价策
略，既让客户可以安心做长期采购规划，也能支撑希捷自身利润持续增长。
同时公司已主动开展战略规划洽谈，合作规划已延伸至 2028 年及以后。
图 45：海外 NAND/HDD 厂季度营收及累计同比情况（亿美元）
资料来源：彭博，招商证券（注：营收数据转换为自然年）
图 46：海外 NAND/HDD 厂毛利率情况 图 47：海外 NAND/HDD 厂净利率情况
资料来源：彭博，招商证券（注：毛利率数据转换为自然年） 资料来源：彭博，招商证券（注：净利率数据转换为自然年）
2、台厂：利基缺货持续或将延续至 27 年，存储涨价趋势持
续
存储模组：26Q1各家营收均创单季历史新高，积极管库全年营运保持正向看法。
1） 群联电子：26Q1 营收再创单季新高，市场对高性能存储需求持续升温。公
司 26Q1 营收 亿新台币，同增 196%。近期营运动能持续受惠于 AI
应用快速扩展，市场对高效能与高容量存储的需求持续升温；
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行业深度报告
2） 创见信息：26Q1 营收创单季历史新高，传统存储器仍供不应求。2026Q1
营收 136 亿新台币，环增 100%，单季毛利率 %，较上季度 %大
幅成长。创见表示，受到 AI 需求爆发引发结构性缺货，传统规格存储器仍供
不应求，存储器市场维持高度景气。未来透过供应链及库存管理、自动化产
线优化制造效率，以及费用精实管理，展现高获利的营运成果，并将持续稳
定供货，维持长期客户关系及提升服务价值；
3） 威刚：26Q1 营收与利润均创新高，公司新增工规与企业级客户。2026 年第
1 季营收为 亿新台币，同增 %。DRAM 占达 68%仍为第一大产
品项；SSD 约 %；其他产品 %。DRAM 及 NAND Flash 合约价仍将
至少 40%以上涨幅，公司因工控及企业级新客户加入，单季营收及利润均新
高；
4） 十铨：26Q1 营收创历史新高，下半年整体营运保持正向看法。2026 年第 1
季营收为 亿新台币，环增 %，单月及单季营收同步创历史新高。
展望 2026 年第 2 季至下半年，十铨表示，DRAM 与 NAND Flash 需求预期
维持强劲，将透过长期采购策略与安全库存管理机制确保稳定供货，对于整
体营运保持正向看法。
图 48：群联电子季度营收及同比情况（亿美元） 图 49：创见信息季度营收及同比情况（亿美元）
资料来源：彭博，招商证券 资料来源：彭博，招商证券
图 50：威刚季度营收及同比情况（亿美元） 图 51：十铨季度营收及同比情况（亿美元）
资料来源：彭博，招商证券 资料来源：彭博，招商证券
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行业深度报告
图 52：台股模组厂毛利率对比 图 53：台股模组厂净利率对比
资料来源：彭博，招商证券 资料来源：彭博，招商证券
月度营收来看，模组厂 3/4 月营收同比均高增创单月历史新高，普遍认为当前存
储缺货或将持续至 2027 年，涨价趋势也将延续，同时，短期现货价波动不代表
整体存储器价格会下跌。
1） 群联电子：3 月营收高增创单月历史新高，NAND 位元出货环比增长。3 月
营收 亿新台币，同比+221%/环比+50%，群联表示，受惠于 AI 推论
带动的高容量 NAND 存储需求及供应紧缩，PCIe SSD 控制芯片总出货量同
增 25%，同时 NAND 位元出货量也呈现环增 18%的稳健成长；
2） 创见信息：4 月营收创单月历史新高，2027 年供应缺口是否改善仍不确定。
4 月营收 亿新台币，同比+594%/环比+31%，公司表示，2026 年存储
器的全年供给紧张情况并不易改善。预期第 2、3 季价格将维持高档，第 4
季供应情况亦不改善，整体市况有望呈现较以往更长的上行循环。至于 2027
年是否改善，仍高度不确定；
3） 威刚：2027 年存储持续缺货，预计价格将延续上涨趋势。4 月营收
亿新台币，同比+170%/环比+%，NAND Flash 合约价涨势扩大。威刚表
示，从全球 AI 布建速度，2027 年存储器持续缺货没有疑问，2026 年上半
DRAM 涨势较早启动，下半年将由 NAND 接棒续涨，预计 2026 年下半年
-2027 年，DRAM 与 NAND 两大存储器价格将延续上涨趋势；
4） 十铨：3 月营收环比增长 3 倍，当前现货价波动不代表整体存储价格会下跌。
3 月营收 亿新台币，同比+120%/环比+327%，十铨指出，存储器产业
进入结构性超级景气，预计涨价延伸至 2027 年底，近期消费性需求降温，
但现货市场价格的短期波动下滑，只是反应出代理端已无法承受高价，并不
代表整体存储器价格会下跌。
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群联电子 创见信息 威刚 十铨
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行业深度报告
图 54：群联电子月度营收及同比（亿新台币） 图 55：创见信息月度营收及同比（亿新台币）
资料来源：Wind，招商证券 资料来源：Wind，招商证券
图 56：威刚月度营收及同比（亿新台币） 图 57：十铨月度营收及同比（亿新台币）
资料来源：Wind，招商证券 资料来源：Wind，招商证券
利基型存储：25Q3 各家营收、毛利环比改善，随着大厂逐渐退出利基型市场，
存储涨价预计将在 25Q4 及 2026 年的各公司业绩上体现更明显。
1） 华邦：26Q1 盈利水平大幅增长，公司产能利用率维持满载。26Q1 营收
亿美元，同比+37%/环比+18%，毛利率 53%，同比+28pcts/环比+12pcts，
净利率 26%，同比+32pcts/环比+14pcts。公司存储器事业产能利用率持续
维持约 100%满载水准。
2） 旺宏：26Q1 扭亏为盈，公司 2026 年业绩将呈现逐季向上。26Q1 营收
亿美元，同比+31%/环比-6%，毛利率 41%，同比+23pcts/环比+17pcts，净
利率 17%，同比+31pcts/环比+21pcts，主要是 3 月起价格大幅调涨，以及
存货去化回转收益。公司表示 2026 年将呈现逐季向上，第 1 季仅为营运回
温起点，后续毛利率仍具成长空间。
3） 晶豪科：本次存储缺货或将以往更久，2026 上半年合约价涨幅至少一倍以
上。26Q1 营收 亿美元，同比+30%/环比+14%，毛利率 48%，同比+36pcts/
环比+15pcts，净利率 28%，同比+31pcts/环比+7pcts，受益于产品组合优
化与市场需求回升。此次存储器周期成长是 30 年来最猛烈的一次，将较 2021
年受疫情造成的假性缺货影响更久，2026 年上半合约价涨幅至少倍数以上；
4） 钰创：受益存储价格上涨及需求旺盛，公司 25Q4 单季实现扭亏为盈。25Q4
营收 亿美元，同比+145%/环比+44%，毛利率 %，同比+13pcts/
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行业深度报告
环比+10pcts，净利率 %，同比+24pcts/环比+，受益于存储价格
上涨与需求旺盛，公司实现扭亏为盈。
图 58：华邦季度营收及同比情况（亿美元） 图 59：旺宏季度营收及同比情况（亿美元）
资料来源：彭博，招商证券 资料来源：彭博，招商证券
图 60：晶豪科季度营收及同比情况（亿美元） 图 61：钰创季度营收及同比情况（亿美元）
资料来源：彭博，招商证券 资料来源：彭博，招商证券
图 62：台股利基型存储厂商毛利率情况 图 63：台股利基型存储厂商净利率情况
资料来源：彭博，招商证券 资料来源：彭博，招商证券
月度营收来看，各家 3/4 月营收均创单月历史新高，利基存储整体需求旺盛，部
分利基产品缺货明显且将持续。
1） 华邦：3 月营收创单月新高，DDR4 与 NOR Flash 需求旺盛。3 月营收
亿新台币，同比+91%/环比+21%，创单月营收新高。受惠于 NOR 与 SLC
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华邦 旺宏 晶豪科 钰创
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行业深度报告
NAND 畅旺需求，高容量产品线整体出货占比持续提升；
2） 旺宏：4 月营收创历史新高，eMMC 存在明显缺口未来持续供不应求。4 月
营收 亿新台币，同比+154%/环比+34%，旺宏表示，未来透过扩产，
将 NOR 与 NAND（含 eMMC）比重逐步提升接近 1：1，而目前市面上的
4~32 GB eMMC 应用，正是公司能提供的规格。整体而言，MLC eMMC 产
品存在明显缺口，未来将持续供不应求，预计新进者加入也要等到 3 年后；
3） 晶豪科：4 月营收创历史新高，客户更担心缺货而不是价格。4 月营收
亿新台币，同比+349%/环比+53%，晶豪科指出，目前客户端提供的订单能
见度已谈到 3~6 个月，普遍更担心的是缺货问题，而不是价格；
4） 钰创：4 月营收创历史新高，持续受益存储价格上涨。4 月营收 亿新
台币，同比+417%/环比+21%，存储价格快速上涨，供应持续紧缺，公司营
收快速增长。
图 64：华邦月度营收及同比（亿新台币） 图 65：旺宏月度营收及同比（亿新台币）
资料来源：Wind，招商证券 资料来源：Wind，招商证券
图 66：晶豪科月度营收及同比（亿新台币） 图 67：钰创月度营收及同比（亿新台币）
资料来源：彭博，招商证券 资料来源：Wind，招商证券
3、大陆：26Q1 利基与模组盈利能力大幅提升，存储价格上
涨对公司全年业绩有显著拉动
模组厂：26Q1 存储涨价对公司营收与盈利能力提升明显，三家模组厂平均单月
利润达 10 亿元左右，盈利能力大幅提升，预计全年业绩有望持续高增。
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行业深度报告
1） 江波龙：Q1 营收与利润高增创历史新高，公司与多家原厂签订 LTA 锁定供
应链资源。26Q1 营收 亿元，同比+133%/环比+64%，毛利率 %，
同比+ %，同比+
+；归母净利润 亿元，环比+443%，扣非归母净利润
亿元，环比+387%。公司与多家原厂顺利续签 LTA 与 MOU，深度锁定核心
供应链资源，为未来的长远发展夯实了资源基础；
2） 德明利：Q1 公司经营业绩大幅提升，存储价格持续上涨。26Q1 营收
亿元，同比+502%/环比+83%，归母净利润 亿元，环比+368%，在
AI 需求爆发式增长、AI 应用快速落地背景下，行业供应整体保持偏紧态势，
行业景气度持续上行，存储价格持续上涨，公司经营业绩大幅提升；
3） 佰维存储：Q1 利润大幅增长，行业进入高景气周期。26Q1 营收 亿元，
同比+342%/环比+44%，归母净利润 亿元，同比+1568%/环比+252%，
扣非归母净利润 亿元，同比+1406%/环比+251%。本季公司毛利率
%，同比+ %，环比+。
公司单 3 月营收约 亿元，归母净利润 亿元，净利
率约 %；1-2 月平均单月营收约 亿元，平均单月归母净利润约
-9 亿元，平均净利率约 %。单 3 月营收与利润环比进一步增长，主
要受益于 AI 算力爆发，存储行业进入高景气周期，市场需求旺盛推动产品价
格持续上涨。
图 68：江波龙季度营收及同比情况（亿元） 图 69：江波龙季度归母净利润情况（亿元）
资料来源：Wind，招商证券 资料来源：Wind，招商证券 c
图 70：德明利季度营收及同比情况（亿元） 图 71：德明利季度归母净利润情况（亿元）
资料来源：Wind，招商证券 资料来源：Wind，招商证券
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行业深度报告
图 72：佰维存储季度营收及同比情况（亿元） 图 73：佰维存储季度归母净利润情况（亿元）
资料来源：Wind，招商证券 资料来源：Wind，招商证券
图 74：国内存储模组季度毛利率情况 图 75：国内存储模组季度净利率情况
资料来源：Wind，招商证券 资料来源：Wind，招商证券
利基型存储：存储行业周期上行，供需结构优化推动量价齐升，26Q1 头部厂商
营收与利润同环比增幅明显，随着海外大厂逐步退出 2D NAND 市场，给利基厂
带来新的增量空间。
1） 兆易创新：26Q1 利润大幅增长，公司 26 年与长鑫关联交易达 亿元。
26Q1 营收 亿元，同比+119%/环比+77%；毛利率 %，同比
+ %，同比+
归母净利 亿元，同比+522%/环比+159%。公司 26 年与长鑫科技关联
交易采购额达 亿元，远超去年水平，随着海外大厂退出 2D NAND 及
利基 DRAM 市场，公司未来有望进一步抢占份额实现业绩高增；
2） 普冉股份：26Q1 SHM 营收占比超 50%，公司各产品线价格持续修复。26Q1
营收 亿元，同比+256%/环比+63%，归母净利润 亿元，同比
+1260%/环比+69%，其中 SHM Q1 营收 亿元，净利润 亿元。经过
连续季度去库存，以及海内外大厂等龙头厂商受 AI 需求爆发导致的产能挤
占和传导，公司产品线价格企稳修复；
3） 东芯股份：26Q1 营收创历史新高，存储主业盈利水平提升带动公司整体业
绩上行。26Q1 营收 亿元，同比+237%/环比+37%；毛利率 %，
同比+39pcts/环比+，净利率为 %；归母净利 亿元，环比
扭亏。上海砺算本季投资亏损约 2100 万元，公司存储主业盈利水平的显著
提升带动整体业绩上行；
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行业深度报告
4） 北京君正：一季度盈利水平大幅提升，客户为保供往往需求迫切。26Q1 营
收 亿元，同比+47%/环比+20%，归母净利润 亿元，同比+332%/
环比+165%。一季度收入增长的贡献中，大部分是价格贡献的。就供货而言，
市场很缺货的时候，客户为了保供，往往对需求还是比较迫切，由于计算芯
片的原材料之一 KGD 比较缺货，目前我们计算芯片也是采用分货方式，无
法保证所有客户的需求；
5） 聚辰股份：公司持续完善非易失存储布局，汽车、工业等领域出货快速增长。
26Q1 营收 亿元，同比+7%/环比-3%，归母净利润 亿元，同比-69%/
环比-29%，营收同比增长主要受益于近年来公司持续完善在非易失性存储芯
片市场的产品布局，并不断加强对产品的推广、销售及综合服务力度，公司
应用于汽车电子和工业控制领域的高可靠性 EEPROM 芯片、NOR Flash 芯
片和 NFC 芯片的出货量较去年同期实现快速增长，较好缓解了 PC 和智能手
机市场需求短期波动对公司产品销售带来的影响，成为公司收入规模扩张的
重要驱动力；
6） 恒烁股份：26Q1 营收与利润高增，公司 NOR 业务稳步发展。26Q1 营收
亿元，同比+192%/环比+30%，归母净利润 亿元，同比+285%/环比扭
亏，公司 NOR Flash 业务围绕技术平台升级、产品结构优化及重点应用市
场拓展持续推进，整体经营保持稳步发展态势。
图 76：兆易创新季度营收及同比情况（亿元） 图 77：兆易创新季度归母净利润情况（亿元）
资料来源：Wind，招商证券 资料来源：Wind，招商证券
图 78：普冉股份季度营收及同比情况（亿元） 图 79：普冉股份归母净利润情况（亿元）
资料来源：Wind，招商证券 资料来源：Wind，招商证券
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行业深度报告
图 80：东芯股份季度营收及同比情况（亿元） 图 81：东芯股份归母净利润情况（亿元）
资料来源：Wind，招商证券 资料来源：Wind，招商证券
图 82：北京君正季度营收及同比情况（亿元） 图 83：北京君正归母净利润情况（亿元）
资料来源：Wind，招商证券 资料来源：Wind，招商证券 c
图 84：聚辰股份季度营收及同比情况（亿元） 图 85：聚辰股份归母净利润情况（亿元）
资料来源：Wind，招商证券 资料来源：Wind，招商证券
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图 86：恒烁股份季度营收及同比情况（亿元） 图 87：恒烁股份归母净利润情况（亿元）
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行业深度报告
六、投资建议：建议关注海外存储/国内原厂/模组/利
基和上游产业链公司
26Q1 存储产业链各公司业绩表现均亮眼，具备约束力的长协落地对存储公司业
绩能见度与增长提供显著保障。当前存储缺货持续加剧，供应很难在短时间内大
幅增加，预计供需缺口或将持续至 2027 年，存储合约价涨势同样将延续，后续
市场价格趋势和各环节公司业绩增长持续性是核心关注点，建议关注存储+设备+
产业链三大核心环节相关公司：
1、海外存储：盈利能力持续提升，逐步退出低端产品线，大幅扩充 HBM、DDR5
等先进制程产能，未来产品结构有望进一步优化，叠加 AI 需求旺盛及价格持续
上涨，带动公司业绩进一步高增，建议关注：闪迪、美光、SK 海力士、三星、
西部数据、希捷、铠侠等；
2、国内原厂：价格上涨带来盈利能力提升，积极扩产满足国产替代需求，IPO
募资助力产能提升加速，建议关注长鑫科技（IPO 中）、长江存储；
3、模组：全年售价有望逐季上行，本轮周期业绩上行时间延长，利润望再创新
高，建议关注：江波龙、佰维存储、德明利、大普微、朗科科技等；
4、利基存储：海外大厂加速退出 DDR3/4 及 SLC NAND 等利基市场以转攻
HBM/DDR5，导致供给端出现紧缺。随着供需错配加剧推动利基产品价格补涨，
叠加国产化替代加速，相关公司有望迎来量价齐升，建议关注：兆易创新、普冉
股份、北京君正、东芯股份、恒烁股份、聚辰股份等；
5、代工和封测：需求激增传导至上游导致对应代工和封测产能紧张，上游缓解
涨价带来对应业务对业绩产生正向贡献，同时部分公司逐步深度参与国产存储产
业链环节，建议关注中芯国际、华虹公司、长电科技、通富微电、华天科技、汇
成股份、深科技等；
6、存储设备和材料：国内存储原厂扩产加速有望带动国内半导体制造资本开支
重回上行周期，关注客户卡位良好及存储敞口较高的存储设备公司如北方华创、
中微公司、拓荆科技、华海清科、微导纳米、芯源微、精测电子、中科飞测、矽
电股份、金海通、精智达、强一股份、ASMPT 等。材料领域建议关注江丰电子、
神工股份、鼎龙股份、兴福电子、上海新阳、安集科技、艾森股份等。
表 4：存储产业链海内外上市梳理
细分领域 标的
海外存储 闪迪、美光、SK 海力士、三星、西部数据、希捷、铠侠等
国内原厂 长鑫科技（IPO）、长江存储
模组 江波龙、佰维存储、德明利、大普微、朗科科技等
利基存储 兆易创新、普冉股份、北京君正、东芯股份、恒烁股份、聚辰股份等
代工和封测 中芯国际、华虹公司、长电科技、通富微电、华天科技、汇成股份、深科技等
存储设备
北方华创、中微公司、拓荆科技、华海清科、微导纳米、芯源微、精测电子、中科飞测、
矽电股份、金海通、精智达、强一股份、ASMPT 等
存储材料 江丰电子、神工股份、鼎龙股份、兴福电子、上海新阳、安集科技、艾森股份等
资料来源：招商证券整理（中科飞测/矽电股份/金海通/精智达为机械组联合次覆盖，鼎龙股份为化工组覆盖，安集科技/艾森股份为化工
组联合覆盖）
敬请阅读末页的重要说明 47
行业深度报告
风险提示：
AI 算力资本开支不及预期：本轮存储上行周期高度依赖 AI 服务器对 HBM 及大
容量 NAND 的结构性拉动。若北美 CSP 缩减资本开支，或 AI 应用商业化变现
路径受阻导致算力建设放缓，将导致原厂高端产能利用率不足，进而动摇当前“供
需紧平衡”的行业基础。
库存减值风险：当前利基型存储与模组厂商库存普遍处于历史高位（库存周转天
数偏高）。虽然目前高库存是享受涨价红利的资产，但若行业景气度发生逆转或
价格出现松动，高额的战略库存将迅速转化为巨大的资产减值损失及流动性压力。
国际贸易摩擦与供应链波动：存储产业链高度全球化。若地缘政治博弈加剧，导
致半导体设备、原材料出口管制进一步收紧，或关税政策发生重大变化，将影响
国内存储厂商的供应链安全及海外市场拓展。
行业竞争加剧：虽然原厂产能转向 HBM 和 DDR5 导致通用型产能紧缺，但若国
内晶圆厂在利基型 DRAM（如 DDR3/4、SLC NAND）领域扩产激进，可能导致
该细分市场在 2026 年出现结构性供过于求。届时，利基型存储价格可能与高端
存储价格走势“脱钩”，压缩相关厂商的盈利空间。
汇率波动风险：存储行业具有典型的全球化特征，原厂采购多以美元结算，而国
内厂商销售涉及人民币与美元的转换。若人民币汇率出现大幅波动，可能对由于
库存囤积带来的汇兑损益产生显著影响，进而侵蚀模组厂商的净利润水平。
价格下行的风险：当前存储市场已进入急涨阶段，短期内价格涨幅巨大。若下游
终端需求（尤其是 PC、智能手机及非 AI 服务器市场）复苏力度疲软，且终端厂
商无法将上游存储成本的飙升顺利传导至消费者，可能引发下游模组厂及 OEM
厂商的激烈抵触或削减采购订单。此外，若原厂在高利润驱动下过早打破供应纪
律、产能释放速度超预期，可能导致供需关系在短期内重新转松，进而引发存储
价格涨幅不及预期甚至高位回落，对产业链公司业绩修复造成不利影响。
敬请阅读末页的重要说明 48
行业深度报告
参考报告：
1、《存储行业深度跟踪报告—26 全年预计供给偏紧状态持续，产业链公司整体
展望乐观》2026-02-05
2、《存储行业深度报告—AI 时代存储需求推动周期上行，涨价浪潮下厂商盈利
能力逐季提升》2026-01-21
3、《存储行业深度跟踪—长鑫 IPO 募投拉动产能升级，把握存储产业链自主可
控机遇》2026-01-01
4、《存储行业深度报告—AI 时代存储需求推动周期上行，涨价浪潮下厂商盈利
能力逐季提升》2025-11-09
5、《存储行业深度报告—供需改善下 NAND 价格拐点趋近，高端存储和端侧创新带
来增量需求》2025-03-17
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行业深度报告
分析师承诺
负责本研究报告的每一位证券分析师，在此申明，本报告清晰、准确地反映了分析师本人的研究观点。本人薪酬的
任何部分过去不曾与、现在不与，未来也将不会与本报告中的具体推荐或观点直接或间接相关。
评级说明
报告中所涉及的投资评级采用相对评级体系，基于报告发布日后 6-12 个月内公司股价（或行业指数）相对同期当地
市场基准指数的市场表现预期。其中，A 股市场以沪深 300 指数为基准；香港市场以恒生指数为基准；美国市场以
标普 500 指数为基准。具体标准如下：
股票评级
强烈推荐：预期公司股价涨幅超越基准指数 20%以上
增持：预期公司股价涨幅超越基准指数 5-20%之间
中性：预期公司股价变动幅度相对基准指数介于±5%之间
减持：预期公司股价表现弱于基准指数 5%以上
行业评级
推荐：行业基本面向好，预期行业指数超越基准指数
中性：行业基本面稳定，预期行业指数跟随基准指数
回避：行业基本面转弱，预期行业指数弱于基准指数
重要声明
本报告由招商证券股份有限公司（以下简称“本公司”）编制。本公司具有中国证监会许可的证券投资咨询业务资
格。本报告基于合法取得的信息，但本公司对这些信息的准确性和完整性不作任何保证。本报告所包含的分析基于
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