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股票研究 /
[Table_Date]
GPU 供电趋势：多相 DrMOS 价值量倍增
[Table_Industry] 电子元器件
[Table_Invest]
评级： 增持
上次评级: 增持
重点覆盖公司列表
[Table_Company] 代码 公司名称 评级
688141 杰华特 增持
688368 晶丰明源 增持
[Table_Report]
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[table_Authors]
舒迪(分析师) 王美懿(研究助理)
021-38676666 021-38031385
shudi@ wangmeiyi029955@
登记编号 S0880521070002 S0880124070042
本报告导读：
随着 AI 芯片等高性能计算芯片的发展，其能耗日益攀升；多相控制器与 DrMOS 用
量与 AI 芯片能耗成正比，价值量成倍增长。
投资要点：
[Table_Summary0] 随着 GPU 能耗的不断攀升，单卡配套的 DrMOS 和多相控制器的
价值量呈现出显著的增长趋势。在 AI 服务器领域，高算力需求导致
GPU 功耗大幅提升，以英伟达的 H100 芯片为例，其单颗功耗较高，
对电源供应方案的要求也随之提高。在 PC 供电方面，小模型本地
部署的兴起将带动具备独立显卡的高配置游戏本电脑的销量增长。
由于游戏本的能耗是办公本的数倍，其配套的 DrMOS 和多相控制
器的价值量也相应是办公本的数倍。上述趋势直接推动了单卡配套
的 DrMOS 和多相控制器价值量的持续增长，这一趋势为相关企业
带来了广阔的市场空间和发展机遇。推荐标的：杰华特、晶丰明源。
随着 AI 芯片等高性能计算芯片的发展，其能耗日益攀升。以英伟
达 H100 芯片为例，其热设计功耗高达 700 瓦，远超英特尔
Skylake/Cascade Lake 系列 CPU 的不足 200 瓦。未来芯片为承载更
高计算密度，能耗需求将进一步提升，导致电力传输与转换过程中
的损耗大幅跃升，且损耗增幅远超功耗增长比例。鉴于电力成本在
数据中心运营成本中占据大头，降低电力损耗对于优化总体拥有成
本至关重要，促使从机架层级到芯片层级的供电网络架构被重新规
划与设计，以攻克高耗能计算任务所衍生的电力难题。
企业纷纷从 12V 供电转向 48V 供电以降低整体电阻损耗。以 240W、
工作电压 伏的 AMD CPU 和 700 瓦、工作电压 伏的英伟达
GPU 为例，从 12 伏输入降至芯片所需电压时，电流大幅增加，电
阻损耗呈指数级飙升，而从 12 伏提升至 48 伏，所需电流减为四分
之一，损耗随之降低 16 倍。谷歌于 2016 年提出 48V 架构，48V 架
构可以有效提升效率，降低损耗。针对第一阶段降压，英伟达 DGX
服务器采用中间总线转换器模块，GB200 服务器改用配电板模块实
现降压。针对第二阶段降压，通常采用电压调节模块（VRM），将
12V 输入电压转换为适配 SoC 运行所需电压。
多相控制器与 DrMOS 的组合已成为第二阶段最主流的供电方案，
AI 渗透率提升驱动相关电源芯片价值量提升。DrMOS 核心壁垒在
BCD 工艺，该工艺充分发挥了 Bipolar 驱动能力、CMOS 高集成度
和低功耗、DMOS 高压大电流通流能力的优势。BCD 未形成统一工
艺标准，各厂家将自己研发的 BCD 工艺视为核心竞争力之一。在价
值量方面：①服务器供电，DrMOS +多相在不同类型服务器上的价
值量存在明显差异，通用服务器中单台电源管理芯片价值量约 80 美
元，AI 服务器中单台多相电源芯片价值量相较于通用服务器有数倍
提升，随着 AI 服务器渗透率持续上升，相关供电芯片价值量上升。
②PC 供电，大模型本地部署促使 PC 硬件升级，功耗成倍增长，供
电芯片价值量亦成倍增长，高配置 PC 出货占比有望持续上升。
风险提示。竞争格局恶化；GPU 供电架构变化。
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目录
1. AI 芯片功耗持续上升 ..................................................................................... 4
. 能耗攀升与供电压力 ................................................................................ 4
2. 供电方案的演进 .............................................................................................. 5
. 从 12V 到 48V：效率突破 ....................................................................... 6
. 48V 至 12V：高效降压 ............................................................................ 7
. 12V 至 SoC：精准供电 ............................................................................ 9
3. 多相控制器+DrMOS：SoC 供电主流方案.................................................. 10
. 多相 Buck 电源架构优势 ........................................................................ 10
. 核心壁垒在 BCD 工艺 ............................................................................ 12
. 应用场景：服务器供电 .......................................................................... 14
. 应用场景：PC 供电 ................................................................................ 16
4. 投资建议：AI 芯片能耗上升带来供电部件价值量倍增 ........................... 18
5. 行业可比公司选择 ........................................................................................ 19
6. 风险提示 ........................................................................................................ 19
. 竞争格局恶化 .......................................................................................... 19
. GPU 供电架构变化 ................................................................................. 20
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表1：本报告覆盖公司估值表（截止 2025 年 3 月 28 日收盘价）
公司名称 代码 收盘价
盈利预测(EPS) PE
评级 目标价
2024E 2025E 2026E 2024E 2025E 2026E
晶丰明源 / 增持
杰华特 / 增持
数据来源：国泰君安证券研究
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1. AI 芯片功耗持续上升
. 能耗攀升与供电压力
AI 芯片能耗日益攀升，供电网络架构重要性凸显。英伟达 H100 芯片热设
计功耗（TDP）高达 700 瓦，与之相比，全球数据中心广泛部署的英特尔
Skylake/Cascade Lake 系列 CPU，热设计功耗尚不足 200 瓦。展望未来，
下一代芯片为承载更高的计算密度，能耗需求将进一步提升。以英伟达
（NVIDIA）为例，新一代的 GB200 架构中，NVL36 机柜功率密度为 72kW。
伴随功耗上扬，诸多棘手挑战纷至沓来。其中尤为突出的是高功耗会致使电
力传输与转换过程中的损耗大幅跃升，且损耗的增幅远超功耗增长比例。鉴
于电力成本在数据中心运营成本中占据大头，降低电力损耗对于优化总体
拥有成本举足轻重。有鉴于此，当下从机架层级到芯片层级的供电网络架构
正在被重新规划与设计，力求攻克人工智能训练及推理等这类高耗能计算
任务所衍生的电力难题。
表2：英伟达不同芯片架构对应参数表
架构 A100 H100 H200 GH200 B100 B200
Full
B200 GB200
Ampere Hopper Blackwell
显存大小 80GB 80GB 141GB 96/144GB 180/192GB 180/192GB 192GB 384GB
显存带宽 2TB/s 4/ 8TB/s 8TB/s 8TB/s 16TB/s
FP16 稠密算力
(FLOPS)
312T 1P 1P 1P 5P
INT8 稠密算力 (OPS) 624T 2P 2P 2P 5P 10P
FP8 稠密算力
(FLOPS)
X 2P 2P 2P 5P 10P
FP6 稠密算力
(FLOPS)
X X X X 5P 10P
FP4 稠密算力
(FLOPS)
X X X X 7P 9P 10P 20P
NVLink 带宽 600GB/s 900GB/s 900GB/s 900GB/s
功耗 400W 700W 700W 1000W 700W 1000W 1200W 2700W
备注
1 个
Die
1 个
Die
1 个
Die
1 个 Grace
CPU
1 个 H200
CPU
2 个 Die 2 个 Die
2 个
Die
1 个 Grace CPU
2 个 Blackwell
CPU
数据来源：NVIDIA，国泰君安证券研究
表3：英伟达不同规格服务器架构对应参数表
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架构
Ampere Hopper Blackwell
HGX A100 HGX H100 HGX H200 HGX B100 HGX B200
8 x A100 SXM 8 x H100 SXM 8 x H200 SXM 8 x B100 SXM 8 x B200 SXM
显存大小 640GB
显存带宽 8 x 2TB/s 8 x 8 x 8 x 8TB/s 8 x 8TB/s
FP16 稠密算力
(FLOPS)
8P 8P 14P 18P
INT8 稠密算力
(OPS)
16P 16P 28P 36P
FP8 稠密算力
(FLOPS)
X 16P 16P 28P 36P
FP6 稠密算力
(FLOPS)
X X X 28P 36P
FP4 稠密算力
(FLOPS)
X X X 56P 72P
GPU - to - GPU
带宽
600GB/s 900GB/s 900GB/s
NVLink 带宽
以太网网络 200Gb/s 400Gb/s + 200Gb/s 400Gb/s + 200Gb/s 2 x 400Gb/s 2 x 400Gb/s
IB 网络 8 x 200Gb/s 8 x 400Gb/s 8 x 400Gb/s 8 x 400Gb/s 8 x 400Gb/s
GPU 功耗 8kW 8kW
总功耗
备注 ConnectX - 6 NIC ConnectX - 7 NIC ConnectX - 7 NIC
BlueField - 3 DPU
ConnectX - 7 NIC
BlueField - 3 DPU
ConnectX - 7 NIC
数据来源：NVIDIA，国泰君安证券研究
2. 供电方案的演进
计算与存储芯片采用直流电供电，由电压调节模块（VRMs）把控输出电压，
确保输出至芯片的电力参数匹配芯片需求。在电力系统中，电网以交流电
形式承载并传输电力，其电压幅值可高达数十万伏特。然而，计算芯片与存
储芯片作为现代电子设备的核心算力与数据存储载体，所适配的电力为稳
定、纯净且呈低电压特性直流电。过高的电压输入会致使芯片内部精密且脆
弱的电路结构因过载而遭受不可逆的损坏，而过低的电压则无法驱动芯片
电路实现正常的逻辑切换与信号传导。因此在电力适配链路中，变压器承担
着初次电压变换职能，依据电磁感应原理将电网高压交流电转换为适配后
续环节的中间电压等级；电源供应单元（PSUs）则进一步整合、净化电源，
为后续的精细调压做准备；最终，电压调节模块（VRMs）精准把控输出电
压，确保输送至芯片的电力参数精准匹配芯片需求。
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图1：供电的 12V 方案与 48V 方案
数据来源：国泰君安证券研究
. 从 12V 到 48V：效率突破
SoC 供电电压降低引发电流增大、电阻损耗剧增等效率问题，促使企业从
传统 12V 供电转向 48V 供电网络，并通过靠近负载降压以降低整体电阻
损耗。随着未来架构与工艺技术的演进， SoC 供电电压持续走低，为维持
功率恒定，电流需依电压下降倍数相应增大。以 240W、工作电压 伏的
AMD CPU 为例，从 12 伏输入降至芯片所需的 伏（降压 10 倍），电
流从 12 伏时的 20 安攀升至 伏时的 200 安（增加 10 倍）；700 瓦、工
作电压 伏的英伟达 GPU，若将 12 伏输入降至 伏（降压 15 倍），电
流会从 12 伏时的 60 安激增至 伏时的 875 安（增加 15 倍），相较于耗
电量少的 CPU，GPU 电流高出许多，由公式可知，电流越大电阻损耗越大，
降至 伏时，电流增大 15 倍，电阻损耗更是呈指数级飙升至 225 倍，凸
显出近几代数据中心芯片的效率损耗已成大患，且随着工艺缩减、电压继续
降低，以及先进封装技术使芯片封装变大、耗电量剧增，情况愈发严峻。长
期以来， PSU 多以 12 伏直流电为标准，以往功率低时，效率损失微乎其
微，如今低电压 SoC 对高功率需求渐长，反倒使效率遭受双重打击，相对
廉价且常见的 12 伏组件优势不再。从 12 伏提升至 48 伏，所需电流减为四
分之一，损耗随之降低 16 倍，这便是诸多公司转向 48 伏供电网络的缘由，
虽说最终仍要降压至 1 伏左右，但将 48 伏电压尽可能靠近 SoC 处降压，走
线长度缩短，电阻损耗减小，进而降低整体电阻损耗。
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图2：谷歌于 2016 年首次提出 48V 架构 图3：48v 架构可以有效提升效率，降低损耗
数据来源：MPS 数据来源：MPS
两阶段配电方案相较于现有的数据中心配电模式，在效率、可扩展性以及
成本控制上优势尽显。谷歌的 48V 方案虽然有效解决了损耗和效率问题，
却在提出初期面临了缺乏下游适配方案的问题。具体而言，就是缺少将 48
伏精准降至板载负载点（POL），以满足处理器、内存条及其他专用集成电
路供电需求的有效方式。在此背景下，两阶段配电方案崭露头角。两阶段配
电方案相较于现有的数据中心配电模式，在效率、可扩展性以及成本控制上
优势尽显，既能巧妙化解不同负载对电压、电流差异化需求带来的配电难题，
又能满足电路板对高效能、小尺寸元件的严苛要求，为优化数据中心电源架
构，实现性能、成本与可扩展性的全方位跃升筑牢根基。
图4：服务器的两阶段供电方案
数据来源：MPS
. 48V 至 12V：高效降压
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第一阶段：48 伏直流电输入各计算托架（compute tray）后，首要任务是精
准降压至 12 伏，以满足后续电子元件工作电压要求。该降压环节有两种
主流应用模块。英伟达 DGX 服务器长期采用中间总线转换器（intermediate
bus converter）模块实现 48 伏到 12 伏转换。传统 DGX 服务器每个计算
托盘均匀配备 8 个 IBC 模块，单个模块功率约 1 千瓦，与 1 张通用并行图
形处理器（SXM 模块，即 GPGPU）精准对应供电，保障其稳定运行。随
着技术与服务器性能升级，英伟达 GB200 服务器改用配电板（power
distribution board）模块降压，GB200 服务器每个计算托盘内集成 8 千瓦
PDB 模块，由两个 4 千瓦直流-直流转换器组成，协同将 48 伏直流电高效
稳定转换为 12 伏，为元件供电。
图5：GB200 中的 PDB 模块
数据来源：semianalysis
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第一阶段到第二阶段的链接：配电板从机架级母线获取 48 伏直流电，并
将其降压至适用于比安卡（Bianca）板的 12 伏直流电。在 CPU 和 GPU
各自的电压调节模块（VRM）周围设有 4 个快速锁定 12 伏直流电源连接
器和 4 个快速锁定接地（GND）电源连接器。这些 12 伏和接地电源连接
器将连接至计算托架的配电板（PDB）。配电板将 48 伏直流电精准降至适配
比安卡板运行的 12 伏直流电，传输到电压调节模块的电源连接器。
图6：GB200 的两阶段供电方案
数据来源：semianalysis
. 12V 至 SoC：精准供电
第二阶段：电压调节模块（VRM）将 12 伏输入电压转换为适配 SoC 运行
所需电压。在常规的硬件架构布局中，VRM 通常被安置于承载芯片的印刷
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电路板（PCB）之上，以实现对芯片供电的有效管控。就现代 VRM 的内部
构造而言，其主要由三个核心部分协同构成：电容、电感以及功率级（power
stage）。其中，电容用于存储及缓冲电能，接收输入电能后能以稳定速率释
放，平抑输送至处理器的电力波动，保障供电稳定连续。电感则凭借自身特
性抑制电流突变，抵抗电流尖峰脉冲，防止对处理器造成不可逆损坏，护航
处理器安全稳定运行。功率级作为 VRM 架构中的重中之重，肩负着核心
的电压转换。以常见的供电场景为例，接入 12 伏的输入电压后，功率级将
依据处理器类型启动相应的转换机制。对于中央处理器（CPU）而言，鉴于
其运行特性与功耗需求，传统上所需的供电电压范围通常处于 伏 伏
区间；而在面向 GPU、FPGA、ASIC 或是人工智能加速器等对电压有着特
殊要求的高性能芯片时，功率级则需将输入电压转换至 伏至 伏的适
配区间。
图7：简化的电压调节模块
数据来源：semianalysis
3. 多相控制器+DrMOS：SoC 供电主流方案
. 多相 Buck 电源架构优势
多相控制器与 DrMOS 的组合已成为第二阶段最主流的供电方案。这种方
案通过多相电源的架构，能够有效满足 SoC、CPU、GPU 等芯片对大电流、
高效率和快速瞬态响应的需求。多相 Buck 电源包含控制器和 DrMOS，是
一种多路交错并联的同步 Buck 拓扑，每相 Buck 对应的半桥 MOSFET 可由
包含驱动和温度/电流检测的 DrMOS代替。由一个控制器采集反馈的电压、
电流、温度/错误等信号，并发出各 PWM 波实现功率的闭环控制，提高了
电源的功率密度，还在同等功率下有效降低了系统的发热量。控制器可通过
特定协议的通信接口和信号指示 I/O 与系统上位机或负载处理器进行信号
交互。
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图8：最主流的 SoC 供电方案为多相控制器+Drmos
数据来源：MPS
DrMOS 本质上是一种采用外部脉宽调制控制器且为降压配置的电压调节
模块。与传统的降压式 DC-DC 转换器不同的是，DrMOS 将 MOSFET 驱动
器与功率 FET 直接集成在芯片上。按照英特尔的规范，在现代应用中，这
些芯片组的封装大多固定为 5mm×5mm，这使得电压调节模块能够被放置
在距离负载更近的位置。这两个功率级部件的集成以及与负载的接近，减少
了寄生元件和传导损耗，使得在优化的多相拓扑结构中，效率可提升至 95%
以上。在工作原理上，外部脉冲宽度调制控制器产生特定占空比的脉冲信号，
该信号被传输至 DrMOS 内部的 MOSFET 驱动器，MOSFET 驱动器依据
此信号精准地控制功率 FET 的导通和关断时间。当功率 FET 导通时，电流
从输入电源流向负载，使负载电压上升；当功率 FET 关断时，负载通过续
流回路放电，负载电压下降。通过不断调整 PWM 信号的占空比，持续调
节功率 FET 的工作状态，从而实现对负载电压的精确调控，确保为负载提
供稳定且符合要求的供电。
图9：DrMOS 将 MOSFET 驱动器与功率 FET 直接集成在芯片上
数据来源：all about circuits
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图10：在优化的多相拓扑结构中，效率可提升至 95%以上
数据来源：all about circuits
. 核心壁垒在 BCD 工艺
DrMOS 核心壁垒在 BCD 工艺。BCD 工艺是 1986 年由 ST 首次推出的一
种单晶片集成工艺技术，该技术在同一芯片上制作双极管 Bipolar，CMOS
和 DMOS 器件，大大减小了芯片的面积。BCD 工艺充分发挥了 Bipolar 驱
动能力、CMOS 高集成度和低功耗、DMOS 高压大电流通流能力的优势。
其中，DMOS 是提升功率和集成度的关键。随着集成电路工艺的进一步发
展，BCD 工艺已经成为 PMIC 的主流制造技术。DrMOS 的性能优势得益
于 BCD 工艺， BCD 工艺中 DMOS 器件的特性，使 DrMOS 具有低导通
电阻和开关损耗，能够在开关模式下工作，功耗极低。此外，BCD 工艺减
少了组件数量和内部互连长度，有助于 DrMOS 降低寄生电感，减少电磁干
扰，提升稳定性。
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图11：Drmos 核心壁垒在工艺
数据来源：半导体材料与工艺设备
BCD 未形成统一工艺标准，各厂家将自己研发的 BCD 工艺视为核心竞争
力之一。由于不同应用场景对芯片的电压要求差异很大，如汽车电子可能需
要几百伏的高压，而消费电子中的一些芯片则只需几伏到几十伏的低压。这
使得晶圆厂难以制定统一的 BCD 工艺来满足所有需求。此外，在性能侧重
上，如在电源管理芯片中，可能更注重低功耗和高效率；而在电机驱动芯片
中，则更关注大电流驱动能力和开关速度等，不同的性能侧重导致工艺要求
不同。相关芯片大厂均在发展自己的工艺。意法半导体作为 BCD 技术的发
明者，在 BCD 工艺技 术的开发方面一直保持领先，有先进 BCD、绝缘体
上硅 BCD 和高压 BCD 等多种工艺平台。TI、ADI、安森美等也均有自己
的 BCD 工艺技术，在相关市场中占据重要地位。
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图12：BCD 工艺广泛运用于电源管理（电源和电池控制）、显示驱动、汽车电子、工业控制等
数据来源：半导体材料与工艺设备
. 应用场景：服务器供电
DrMOS +多相在不同类型服务器上的价值量存在明显差异。（1）通用服务
器：一般用于常规的数据处理和业务运营，对电源的要求相对较低。在标准
配置中，普通服务器通常搭载两颗 CPU。鉴于 CPU 运行时对供电的特定
要求，需依据其功耗规格，精确匹配并部署多套多相电源系统。一套完整的
多相电源由一颗多相控制器和 8 至 12 颗 DrMOS 构成，通过这种配置确
保 CPU 能够获得稳定、高效的电力供应，以保障服务器的稳定运行，根据
MPS，单台通用服务器中电源管理芯片价值量约 80 美元，其中 DrMOS +
多相电源是主要组成部分。（2）AI 服务器：通常配备多颗高算力的 GPU 以
及 1-2 颗 CPU，对供电要求极高。根据英飞凌，单张 AI 加速卡上电源芯
片价值量为 50-200 美元，因此单台 AI 服务器多相电源芯片价值量相较于
通用服务器有数倍提升。
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图13：单台通用服务器中电源管理芯片价值量约 80 美元
数据来源：MPS
以英伟达 H100 为例，根据测算，单颗 GPU 的 Drmos+多相的用量可以达
到 50-60 美金。H100 的功耗为 700w，工作在 ，由于为 CPU 与 GPU 供
电的 Drmos 基本都工作在 33A，根据电功率公式计算，一颗 GPU 需要 27
颗 Drmos，考虑到实际情况下会涉及一定的备用和冗余，按照 -1 倍的备
用 Drmos 来计算，合计约 50-55 颗 Drmos，对应 5-6 颗多相。考虑一颗
DrMOS 或多相控制器的价格均为 1~2 美金（以 1 美金/颗进行测算），价值
量约为 50-60 美金。
图14：英伟达 H100 中的 Drmos 与多相价值量较高
数据来源：NVIDIA
AI 服务器渗透率持续上升，相关电源管理芯片价值量上升。根据 TrendForce
的最新研究， 2024 年整个服务器行业的总价值达到 3060 亿美元。其中，
行业公司更新
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与 AI 服务器相关的行业价值估计约为 2050 亿美元，与标准服务器相关
的行业价值相比，增长更为强劲。展望 2025 年，由于需求持续旺盛且产品
平均售价较高，预计 AI 服务器细分市场的价值将升至 2980 亿美元。此
外，预计 2025 年 AI 服务器将占整个服务器行业总价值的 70% 以上。
图15：预计 2025 年 AI 服务器将占整个服务器行业总价值的 70% 以上
数据来源：TrendForce
. 应用场景：PC 供电
大模型本地部署兴起，对 PC 硬件提出了较高要求。尤其是对于大模型版
本，需要强大的 GPU 支持和足够的内存与存储空间。随着用户对更大模型
的需求增加，PC 硬件的升级将成为必然趋势，以确保模型能够高效运行并
发挥其最佳性能。
表4：Deepseek 本地部署的硬件要求，根据模型大小有所不同
模型
参数
(B)
VRAM 需求
(GB)
推荐 GPU
DeepSeek-R1-
Zero
671B ~1,342 GB
多 GPU 设置（例如，NVIDIA A100 80GB
x16）
DeepSeek-R1 671B ~1,342 GB
多 GPU 设置（例如，NVIDIA A100 80GB
x16）
DeepSeek-R1-
Distill-Qwen-
~ GB NVIDIA RTX 3060 12GB 或更高
DeepSeek-R1-
Distill-Qwen-7B
7B ~ GB NVIDIA RTX 3060 12GB 或更高
DeepSeek-R1-
Distill-Llama-8B
8B ~4 GB NVIDIA RTX 3060 12GB 或更高
行业公司更新
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DeepSeek-R1-
Distill-Qwen-
14B
14B ~7 GB NVIDIA RTX 3060 12GB 或更高
DeepSeek-R1-
Distill-Qwen-
32B
32B ~16 GB NVIDIA RTX 4090 24GB
DeepSeek-R1-
Distill-Llama-
70B
70B ~35 GB 多 GPU 设置（例如，NVIDIA RTX 4090 x2）
数据来源：Ollama，国泰君安证券研究
PC 硬件升级带来了功耗成倍增长，供电芯片价值量亦将成倍增长。普通办
公 PC 以日常办公应用为主，硬件配置相对基础，运行常规办公软件时，
功耗通常稳定在 15 - 30W，如联想小新在轻度使用时功耗 20-35W。游戏本
为满足大型 3A 游戏、专业图形渲染等高负载任务需求，通常配备高性能
处理器和独立显卡，例如联想拯救者 Y9000P 2024 在运行大型游戏时，功
耗可达 180 - 210W 甚至更高，相比普通办公 PC，功耗呈数倍增长。功耗
的大幅提升对电脑供电系统提出更高要求。供电芯片作为保障硬件稳定供
电的关键部件，需具备更强的功率处理能力，以实现精准的电能调控，其价
值量成倍增长。
表5：联想办公本和联想游戏本功耗对比
类型 型号 大致功耗 日常办公功耗表现 游戏时功耗表现
办公本
联想小新
Pro16 GTAI
元启版
预计搭载酷睿
Ultra7 255H 或
Ultra9 285H 处理
器，功耗限制达
85W
在处理文档、网页浏
览、视频会议等常规
任务下，功耗一般在
20W-35W 左右
不适合运行大型游
戏，若运行简单小
游戏，功耗在 35W-
50W 左右
办公本
联想
ThinkPad X1
Carbon Aura
AI 元启版
基础 TDP 为
17W，最高可达
37W，高性能模式
下单拷机功耗
23W
Web 浏览、视频会
议、应用程序启动等
场景，功耗稳定在
15W-20W 左右
运行简单游戏可能
在 30W-40W 左
右，难以运行大型
游戏
办公本
联想
ThinkPad
T14 2024
搭载英特尔酷睿
Ultra 5 125H
处理文档、使用办公
软件等，功耗通常在
12W-18W 左右
运行小游戏功耗约
30W 左右，大型游
戏难以运行
办公本
联想
ThinkPad
Neo 14（酷
睿 i5
12500H
款）
爆发功率高达
80W，最终在
50W-64W 波动
日常办公在 40W-50W
左右
勉强运行小游戏时
可能达到 50W-
60W，大型游戏运
行困难
游戏本
联想拯救者
Y9000P 2024
整机最高可达
210W 的性能释
放，多轮 R23 测
试中首轮功耗接近
180W，随后稳定
在 145W 左右
日常办公如简单的文
档编辑、网页浏览
时，功耗一般在 30W-
50W 左右
运行大型 3A 游戏
时，功耗可达到
180W-210W 甚至更
高
行业公司更新
请务必阅读正文之后的免责条款部分 18 of 20
游戏本
联想拯救者
R9000P 2024
CPU 单烤功耗可
达 112W，GPU
单烤功耗高达
140W，双烤时总
功耗较高
日常办公时功耗大概
在 35W-60W 左右
运行主流大型游
戏，功耗通常在
160W-200W
游戏本
联想
ThinkBook
16p 2024
处理器可实现
130W 功耗释放，
双烤功耗高达
200W
日常办公场景下，功
耗大致在 40W-70W
运行游戏时功耗一
般在 140W-200W
数据来源：联想，国泰君安证券研究
随着大模型本地部署推动电脑配置升级需求，高配置 PC 出货占比有望持
续上升。目前具备独立显卡的高配置游戏 PC 出货量占 PC 整体比重仍处
于较低水平，2020-2023 年间占比在 % - % 之间，2024 年占比达
到 %。随着大模型本地部署的推进，其对电脑配置的要求显著提升，
将有力带动具备独立显卡的高配置游戏本电脑的销量增长，未来游戏 PC
出货占比有望持续上升。
图16：目前游戏 PC 占全球 PC 出货量比重仍较小
数据来源：IDC，国泰君安证券研究
4. 投资建议：AI 芯片能耗上升带来供电部件价值量倍
增
随着 GPU 能耗的不断攀升，单卡配套的 DrMOS 和多相控制器的价值量呈
现出显著的增长趋势。在 AI 服务器领域，高算力需求导致 GPU 功耗大幅
提升，以英伟达的 H100 芯片为例，其单颗功耗较高，对电源供应方案的要
求也随之提高。在 PC 供电方面，小模型本地部署的兴起将带动具备独立显
卡的高配置游戏本电脑的销量增长。由于游戏本的能耗是办公本的数倍，其
行业公司更新
请务必阅读正文之后的免责条款部分 19 of 20
配套的 DrMOS 和多相控制器的价值量也相应是办公本的数倍。综上所述，
能耗的不断上升直接推动了单卡配套的 DrMOS 和多相控制器价值量的持
续增长，这一趋势为相关企业带来了广阔的市场空间和发展机遇。
海外大厂垄断供应，国产替代突破在即。在竞争格局方面，Drmos 与多相的
供应主要被 MPS、英飞凌、ADI、STMicro 等欧美大厂主导。上述厂商凭借
其在技术研发、生产工艺、品牌影响力等方面的优势，占据了较大的市场份
额。以 MPS 为例，其在多相电源管理领域具有较高的知名度和技术实力，
其产品广泛应用于服务器、PC 等高性能计算设备中，能够提供高性能、高
可靠性的产品，满足不同客户的需求。且 Drmos 和多相为大电流产品，产
品可靠性与验证周期长，确认供应商后不会轻易更换，因此市场集中度高。
国内方面，目前 Drmos 和多相的一供均为海外大厂，急需国产替代。目前
国内部分企业在 Drmos 和多相芯片领域不断加大研发投入，国产替代突破
在即。例如，杰华特已实现 30A 至 90A DrMOS 及 6 相、8 相、12 相等多相
控制器的量产爬坡，并在 PC、服务器、AI、自动驾驶形成完整的 DrMOS+
多相的产品矩阵；晶丰明源多款 DrMOS 产品进入批量出货环节，16 相多
相控制器量产，可适配国内外多家 GPU 客户产品。随着国内技术的不断进
步和市场认可度的提高，国产替代的空间巨大，国内厂商有望逐步扩大市场
份额。
5. 行业可比公司选择
选择艾为电子、圣邦股份、思瑞浦、南芯科技为杰华特与晶丰明源的可比公
司。（1）在产品线上，杰华特和晶丰明源均以电源管理芯片为核心产品，并
向信号链芯片等领域拓展。艾为电子、圣邦股份、思瑞浦、南芯科技同样在
电源管理芯片及信号链芯片领域有丰富的产品布局。如圣邦股份的电源管
理与信号链产品广泛应用于消费电子、通讯设备、工业控制、汽车电子等领
域；思瑞浦专注于模拟集成电路研发，其信号链和电源管理产品在信息通讯、
工业控制、监控安全、医疗健康等领域有应用；艾为电子的产品线涵盖高性
能数模混合芯片、电源管理芯片、信号链芯片等，产品型号达 1200 余款。
（2）在下游应用上，杰华特和晶丰明源的产品在汽车电子、通讯电子、工
业应用、消费电子等多个领域有广泛应用。可比公司同样覆盖这些市场，如
圣邦股份的产品应用于消费电子、通讯设备、工业控制、汽车电子等领域；
思瑞浦的产品在信息通讯、工业控制、汽车电子等市场有较强竞争力；艾为
电子的产品广泛应用于消费电子、AIoT、工业、汽车等领域。综上所述，可
比公司与杰华特和晶丰明源具备一定可比性，但上述可比公司下游主要在
消费和工业，市场竞争激烈，产品可替代性较强。杰华特与晶丰明源在多相
与 Drmos 上的产品壁垒高，未来预期市场空间广阔，产品可替代性弱，因
此相较可比公司存在一定的估值溢价。
表6：行业可比公司估值表（截止 2025 年 3 月 28 日收盘价）
公司名称 代码 收盘价（元）
盈利预测（EPS 元） PE
2024E 2025E 2026E 2024E 2025E 2026E
艾为电子
圣邦股份
思瑞浦 /
南芯科技
均值
数据来源：国泰君安证券研究
6. 风险提示
. 竞争格局恶化
随着 AI 技术发展，GPU 供电芯片市场需求快速攀升，吸引众多参与者，
行业公司更新
请务必阅读正文之后的免责条款部分 20 of 20
竞争加剧可能导致市场份额分散、产品价格下跌、盈利空间压缩。若相关企
业无法保持技术领先与成本优势，可能面临业绩下滑风险。
. GPU 供电架构变化
若 GPU 供电架构发生重大变化，如采用更集成化的供电解决方案或优化
电源管理芯片设计，可能会降低对 Drmos 和多相电源的需求，进而导致其
价值量下降。
请务必阅读正文之后的免责条款部分
股股
票
研
究
行
业
公
司
更
新
（
公
司
首
次
）
证
券
研
究
报
告
股票研究 /
[Table_Date]
国内虚拟 IDM 厂商，Drmos 多相产品矩阵完整
杰华特(688141)
[Table_Industry] 电子元器件/信息科技
[Table_Invest]
首次覆盖
评级 增持
目标价格
[Table_CurPrice] 当前价格：
[Table_Market]
交易数据
52 周内股价区间（元）
总市值（百万元） 12,884
总股本/流通A股（百万股） 447/264
流通 B 股/H 股（百万股） 0/0
[Table_Balance]
资产负债表摘要(LF)
股东权益（百万元） 2,243
每股净资产（元）
市净率（现价）
净负债率 %
[Table_PicQuote]
[Table_Trend]
升幅(%) 1M 3M 12M
绝对升幅 -23% -14% 73%
相对指数 -23% -13% 62%
[Table_Report]
相关报告
[table_Authors]
舒迪(分析师) 王美懿(研究助理)
021-38676666 021-38031385
shudi@ wangmeiyi029955@
登记编号 S0880521070002 S0880124070042
本报告导读：
虚拟 IDM 模拟 IC 领先厂商，产品品类和下游领域不断丰富。DrMOS 和多相业务
持续推进，已形成 PC、服务器、AI、自动驾驶等应用领域完整产品矩阵。
投资要点：
[Table_Summary] 给予“增持评级”，给予目标价 42 元。公司为虚拟 IDM 模拟 IC 设
计公司，给予公司 2024-2026 年 EPS 至 元。考虑到可
比公司均为 fabless 形式的 IC 设计企业，而公司作为虚拟 IDM 公司
虽然前期研发费用投入高，但后期自有工艺迭代成熟后产品性能具
有不可替代性，壁垒高，参考可比公司行业估值的 35 倍，给予公司
一定估值溢价，给予公司 2026 年 70 倍 PE，目标价 42 元。
虚拟 IDM 模拟 IC 领先厂商，产品品类和下游领域不断丰富。公司
已形成覆盖广泛的多元产品矩阵，包括 AC-DC、DC-DC、线性电源
和电池管理等四大类电源管理产品线，以及检测产品、接口产品、
转换器产品、时钟产品和线性产品等五大类信号链产品线，涵盖模
拟芯片的主要类别，实现了多品类、多层次的发展格局。
公司自研 BCD 工艺，深耕多年迭代升级数次，为公司核心竞争力。
公司借鉴了国际领先的模拟芯片公司的发展经验以及研发模式，主
要采用虚拟 IDM 模式，在主要合作晶圆厂均开发了国际先进的自
有 BCD 工艺平台用于芯片设计制造。公司将自研工艺技术的迭代
升级作为自身发展的核心竞争力之一。公司掌握的自研工艺技术不
仅提供了长期技术优势，通过工艺优化更好地提升了产品性能，已
切入通讯电子、汽车电子、计算、新能源等新兴应用领域，是公司
与国际龙头厂商进行竞争的重要支撑。
DrMOS+多相业务持续推进，已形成 PC、服务器、AI、自动驾驶等
应用领域完整的 DrMOS+多相的产品矩阵。公司已实现 30A 至 90A
DrMOS 及 6 相、8 相、12 相等多相控制器的量产爬坡，并在 PC、
服务器、AI、自动驾驶形成完整的 DrMOS+多相的产品矩阵。DrMOS
产品具有高效率、高可靠性和低导通电阻等特点，能够满足高性能
计算和数据中心等领域的严苛要求。多相控制器则通过多相电源架
构，有效提升了电源转换效率和系统稳定性。随着 AI 服务器计算能
力的快速提升，对高性能 DrMOS 和多相控制器的需求将持续增长，
公司在这一领域的布局和产品优势将为其带来广阔的市场空间。
风险提示。产品研发不及预期；市场竞争加剧；行业景气度下滑。
[Table_Finance] 财务摘要（百万元） 2022A 2023A 2024E 2025E 2026E
营业收入 1,448 1,297 1,702 2,445 3,532
(+/-)% % % % % %
净利润（归母） 137 -531 -441 7 269
(+/-)% % % % % 3,%
每股净收益（元）
净资产收益率(%) % % % % %
市盈率(现价&最新股本摊薄） — —
-21%
8%
38%
68%
98%
127%
2024-03 2024-07 2024-11 2025-03
52周股价走势图
杰华特 上证指数
杰华特(688141)
请务必阅读正文之后的免责条款部分 2 of 3
[Table_Forcast]
财务预测表
资产负债表（百万元） 2022A 2023A 2024E 2025E 2026E 利润表（百万元） 2022A 2023A 2024E 2025E 2026E
货币资金 2,186 1,821 1,926 1,834 1,905 营业总收入 1,448 1,297 1,702 2,445 3,532
交易性金融资产 0 0 100 50 70 营业成本 870 941 1,217 1,608 2,237
应收账款及票据 325 325 346 497 718 税金及附加 1 2 2 2 4
存货 783 874 671 663 613 销售费用 62 94 128 147 212
其他流动资产 332 343 434 505 625 管理费用 72 109 153 122 177
流动资产合计 3,626 3,363 3,477 3,550 3,931 研发费用 305 499 681 611 706
长期投资 37 45 45 45 45 EBIT 147 -532 -448 3 270
固定资产 77 101 107 106 87 其他收益 44 26 34 49 71
在建工程 184 264 251 238 226 公允价值变动收益 0 0 0 0 0
无形资产及商誉 30 31 66 126 211 投资收益 -1 1 2 2 4
其他非流动资产 406 420 318 320 323 财务费用 10 -1 -2 -4 -2
非流动资产合计 734 862 787 836 892 减值损失 -34 -209 -5 -2 -1
总资产 4,360 4,225 4,264 4,386 4,824 资产处置损益 0 0 0 0 0
短期借款 364 414 414 414 414 营业利润 136 -530 -446 7 272
应付账款及票据 230 238 254 335 466 营业外收支 0 -4 0 0 0
一年内到期的非流动负债 17 92 383 383 383 所得税 0 0 -4 0 3
其他流动负债 77 92 112 151 212 净利润 136 -533 -441 7 269
流动负债合计 689 837 1,163 1,284 1,475 少数股东损益 -1 -2 0 0 0
长期借款 525 683 683 683 683 归属母公司净利润 137 -531 -441 7 269
应付债券 0 0 0 0 0
租赁债券 5 7 10 5 9 主要财务比率 2022A 2023A 2024E 2025E 2026E
其他非流动负债 0 32 54 54 54 ROE(摊薄,%) % % % % %
非流动负债合计 530 722 748 743 747 ROA(%) % % % % %
总负债 1,219 1,559 1,911 2,026 2,222 ROIC(%) % % % % %
实收资本(或股本) 447 447 447 447 447 销售毛利率(%) % % % % %
其他归母股东权益 2,695 2,220 1,906 1,912 2,155 EBIT Margin(%) % % % % %
归属母公司股东权益 3,142 2,667 2,353 2,359 2,602 销售净利率(%) % % % % %
少数股东权益 -1 0 0 0 0 资产负债率(%) % % % % %
股东权益合计 3,142 2,667 2,353 2,359 2,602 存货周转率(次)
总负债及总权益 4,360 4,225 4,264 4,386 4,824 应收账款周转率（次）
总资产周转周转率（次）
现金流量表（百万
元）
2022A 2023A 2024E 2025E 2026E 净利润现金含量
经营活动现金流 -823 -291 -223 20 294 资本支出/收入 % % % % %
投资活动现金流 -136 -300 -86 -75 -169 EV/EBITDA — —
筹资活动现金流 2,910 229 414 -36 -54 P/E(现价&最新股本摊薄) — —
汇率变动影响及其他 5 0 0 0 0 P/B(现价)
现金净增加额 1,955 -363 105 -92 71 P/S(现价)
折旧与摊销 30 39 62 79 96 EPS-最新股本摊薄(元)
营运资本变动 -1,041 -34 121 -96 -100 DPS-最新股本摊薄(元)
资本性支出 -84 -124 -91 -126 -152 股息率(现价,%) % % % % %
数据来源：Wind，公司公告，国泰君安证券研究
杰华特(688141)
请务必阅读正文之后的免责条款部分 3 of 3
表1：可比公司估值表（截止 2025 年 3 月 26 日收盘价）
公司名称 代码 收盘价（元）
盈利预测（EPS 元） PE
2024E 2025E 2026E 2024E 2025E 2026E
艾为电子
圣邦股份
思瑞浦 /
南芯科技
均值
数据来源：国泰君安证券研究
请务必阅读正文之后的免责条款部分
股股
票
研
究
行
业
公
司
更
新
（
公
司
首
次
）
证
券
研
究
报
告
股票研究 /
[Table_Date]
电源管理 IC 厂商，AC/DC、DC/DC 打开新成长曲线
晶丰明源(688368)
[Table_Industry] 电子元器件/信息科技
[Table_Invest]
首次覆盖
评级 增持
目标价格
[Table_CurPrice] 当前价格：
[Table_Market]
交易数据
52 周内股价区间（元）
总市值（百万元） 8,282
总股本/流通A股（百万股） 88/88
流通 B 股/H 股（百万股） 0/0
[Table_Balance]
资产负债表摘要(LF)
股东权益（百万元） 1,259
每股净资产（元）
市净率（现价）
净负债率 %
[Table_PicQuote]
[Table_Trend]
升幅(%) 1M 3M 12M
绝对升幅 0% 2% 84%
相对指数 -1% 3% 72%
[Table_Report]
相关报告
[table_Authors]
舒迪(分析师) 王美懿(研究助理)
021-38676666 021-38031385
shudi@ wangmeiyi029955@
登记编号 S0880521070002 S0880124070042
本报告导读：
LED 驱动为基本盘，AC/DC、DC/DC 打开新成长曲线。DC/DC 产品研发推广进度
符合预期，多款 Drmos 批量出货，多相控制器实现量产。
投资要点：
[Table_Summary] 给予“增持评级”，给予目标价 元。公司为电源管理芯片厂商，
给予公司 2025-2027 年 EPS 预测 元。参考可比公司
2026 年行业估值的 35 倍 PE，考虑到公司 DC-DC 业务的稀缺性，
给予公司 2026 年 60 倍 PE，目标价 元。
LED 驱动为基本盘，AC/DC、DC/DC 打开新成长曲线。公司是国
内领先的电源管理芯片设计企业之一，业务分为电源管理芯片和控
制驱动芯片两大类，具体包括 LED 照明电源管理芯片、电机驱动
与控制芯片、AC/DC 电源管理芯片和 DC/DC 电源管理芯片四大
产品线。在 LED 照明驱动领域，公司具备深厚的技术积累和市场基
础，凭借卓越的产品性能与稳固的客户资源，该业务已成为公司 稳
健发展的基本盘。此外，公司积极拓展新的业务增长曲线，重点布
局 AC/DC 与 DC/DC 电源管理芯片领域。其中，AC/DC 产品受益于
手机快充及大小家电内置电源需求的持续增长，经过三年的精心布
局，已进入快速放量阶段；DC/DC 产品则聚焦于 GPU/CPU 的大电
流供电需求，公司已成功实现多相控制器等关键产品的量产，成为
国内少数在该领域取得突破的企业之一。AC/DC 与 DC/DC 业务有
望接棒 LED 照明，成为公司未来增长的核心驱动力。该业务板块具
备高技术壁垒与高附加值的特点，其发展预期将显著提升公司的盈
利水平与核心竞争力。
DC/DC 产品研发推广进度符合预期，多款 Drmos 批量出货，多相
控制器实现量产。公司 DC/DC 电源芯片产品已进入市场推广阶
段，已获得两家国外知名主芯片厂商以及国内多家主芯片厂商认证，
在 AI、PC、服务器等领域实现量产。公司自研低压工艺成熟度提升，
已助力公司多款 DrMOS 产品进入批量出货环节。公司推出高功率
密度电源模块产品并同步量产。16 相多相控制器量产，可适配国内
外多家 GPU 客户产品。公司总体 DC/DC 电源管理芯片研发推广
进度符合预期，为公司未来长期增长奠定基础。
催化剂。Drmos+多相进入大客户放量。
风险提示。LED 驱动竞争格局恶化，模拟芯片行业景气度下降。
[Table_Finance] 财务摘要（百万元） 2023A 2024A 2025E 2026E 2027E
营业收入 1,303 1,504 1,951 2,577 3,443
(+/-)% % % % % %
净利润（归母） -91 -33 127 212 240
(+/-)% % % % % %
每股净收益（元）
净资产收益率(%) % % % % %
市盈率(现价&最新股本摊薄） — —
-19%
14%
46%
79%
112%
145%
2024-03 2024-07 2024-11
52周股价走势图
晶丰明源 上证指数
晶丰明源(688368)
请务必阅读正文之后的免责条款部分 2 of 3
[Table_Forcast]
财务预测表
资产负债表（百万元） 2023A 2024A 2025E 2026E 2027E 利润表（百万元） 2023A 2024A 2025E 2026E 2027E
货币资金 245 280 184 94 8 营业总收入 1,303 1,504 1,951 2,577 3,443
交易性金融资产 63 1 11 31 41 营业成本 969 945 1,225 1,575 2,086
应收账款及票据 302 349 338 447 597 税金及附加 5 5 2 3 0
存货 247 233 304 391 517 销售费用 40 62 78 103 138
其他流动资产 286 237 346 417 514 管理费用 102 128 156 206 275
流动资产合计 1,143 1,100 1,183 1,379 1,677 研发费用 294 400 390 515 689
长期投资 26 77 77 77 77 EBIT -74 14 138 225 255
固定资产 58 53 81 102 97 其他收益 28 45 38 49 0
在建工程 0 2 2 2 2 公允价值变动收益 31 -22 0 0 0
无形资产及商誉 560 527 587 672 752 投资收益 13 8 2 2 0
其他非流动资产 587 389 391 394 394 财务费用 29 7 9 11 13
非流动资产合计 1,230 1,047 1,138 1,247 1,322 减值损失 -5 5 -2 -1 -1
总资产 2,373 2,147 2,321 2,625 2,999 资产处置损益 0 0 0 0 0
短期借款 245 299 299 299 299 营业利润 -68 -6 128 214 242
应付账款及票据 207 235 221 284 377 营业外收支 -6 1 0 0 0
一年内到期的非流动负债 92 64 64 64 64 所得税 6 -1 1 2 2
其他流动负债 139 143 220 266 331 净利润 -79 -4 127 212 240
流动负债合计 683 742 804 914 1,071 少数股东损益 12 29 0 0 0
长期借款 120 14 14 14 14 归属母公司净利润 -91 -33 127 212 240
应付债券 0 0 0 0 0
租赁债券 40 35 30 34 34 主要财务比率 2023A 2024A 2025E 2026E 2027E
其他非流动负债 58 40 40 40 40 ROE(摊薄,%) % % % % %
非流动负债合计 218 89 84 88 88 ROA(%) % % % % %
总负债 902 830 888 1,001 1,159 ROIC(%) % % % % %
实收资本(或股本) 63 88 88 88 88 销售毛利率(%) % % % % %
其他归母股东权益 1,318 1,171 1,287 1,478 1,694 EBIT Margin(%) % % % % %
归属母公司股东权益 1,381 1,259 1,375 1,566 1,782 销售净利率(%) % % % % %
少数股东权益 91 58 58 58 58 资产负债率(%) % % % % %
股东权益合计 1,471 1,317 1,434 1,624 1,840 存货周转率(次)
总负债及总权益 2,373 2,147 2,321 2,625 2,999 应收账款周转率（次）
总资产周转周转率（次）
现金流量表（百万
元）
2023A 2024A 2025E 2026E 2027E 净利润现金含量
经营活动现金流 267 286 69 112 93 资本支出/收入 % % % % %
投资活动现金流 -136 22 -135 -170 -141 EV/EBITDA —
筹资活动现金流 -183 -278 -32 -31 -38 P/E(现价&最新股本摊薄) — —
汇率变动影响及其他 1 2 2 0 0 P/B(现价)
现金净增加额 -51 32 -96 -90 -86 P/S(现价)
折旧与摊销 72 77 36 44 56 EPS-最新股本摊薄(元)
营运资本变动 278 192 -109 -157 -218 DPS-最新股本摊薄(元)
资本性支出 -23 -1 -126 -152 -131 股息率(现价,%) % % % % %
数据来源：Wind，公司公告，国泰君安证券研究
晶丰明源(688368)
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表1：可比公司估值表（截止 2025 年 3 月 25 日收盘价）
公司名称 代码 收盘价（元）
盈利预测（EPS 元） PE
2024E 2025E 2026E 2024E 2025E 2026E
艾为电子
圣邦股份
思瑞浦 /
南芯科技
均值
数据来源：国泰君安证券研究
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评级说明
评级 说明
投资建议的比较标准
投资评级分为股票评级和行业评级。
以报告发布后的 12 个月内的市场表现为比
较标准，报告发布日后的 12 个月内的公司
股价（或行业指数）的涨跌幅相对同期的
沪深 300 指数涨跌幅为基准。
股票投资评级
增持 相对沪深 300 指数涨幅 15%以上
谨慎增持 相对沪深 300 指数涨幅介于 5%～15%之间
中性 相对沪深 300 指数涨幅介于-5%～5%
减持 相对沪深 300 指数下跌 5%以上
行业投资评级
增持 明显强于沪深 300 指数
中性 基本与沪深 300 指数持平
减持 明显弱于沪深 300 指数
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