（环境管理）水分散环境友
好型纳米结构漆
国家 863 计划“十五”科技成果选编
★第三部分、新材料★
【编号：0261】 水分散环境友好型纳米结构漆
单 位：吉林大学
地 址：长春市前进大街2699号
邮 编：130012
联系人：张万喜、张国
电 话：0431—5829292
电子信箱：sc@
成果简介：
该项目所研制出的产品适用于建筑、汽车、铁路、化工等工业用漆。主要采用的是水性
纳米丙烯酸改性聚酯树脂作为成膜材料，采用特殊的方法聚合而成，不含乳化剂，采用氧化
交联的方式成膜，使漆具有优异的耐水性及耐盐雾性并且环保。
获得中国发明专利 1项，申请发明专利 4项。发表学术论文 10篇。鉴定成果 3项。其
产品获得国家重点新产品证书和环保十环证书。已建成年产 1000吨的水分散环境友好型纳
米结构工业漆生产线 2条，已建成年产 1000吨的水分散环境友好型纳米结构汽车漆生产线 1
条，产品各项指标达到或超过国家相关行业标准，并通过了新产品的鉴定验收。提供了 1000
吨水分散环境友好型纳米结构漆工业化生产线的全套技术参数。已建成年产 1万吨水分散环
境友好型纳米结构建筑漆生产线 1条。
国内涂料(漆)年产量约为 400多万吨，且传统的溶剂性涂料仍占 58．5％以上，环保型
涂料则仅占 41 5％，并且其中大多数为建筑涂料，功能性涂料所占比例极少。
我国的工业用漆年消费量，据不完全统计在 270万吨左右，其中可由纳米环保型工业漆
替代的可达 200万吨，产值为 600亿人民币左右。在石油化工、火车、船舶、冶金、五金交
电、电力、等各领域具有巨大的市场应用空间和良好的产业化前景。据统计，我国年消费建
筑乳胶漆 100多万吨，销售额达 200多亿人民币。如果用水分散环境友好型纳米结构漆替代
高档乳胶漆的百分之十，就是 10万吨，销售额可达 20多亿人民币所以水分散环境友好型纳
米结构漆拥有非常大的市场前景。
【编号 0262】 基于纳米晶生物探针的免疫层析检测技术乙肝、艾滋病病毒检测用纳米
晶免疫试纸
单 位：吉林大学、云南大学
地 址：长春市前进大街 2699号
邮编：130012
联系人：杨文胜、马岚
电话：0431—8499234
电子信箱：wsyang@
成果简介：
课题采用新型纳米晶来高效标记抗原／抗体，提升免疫层析检测技术，使其的灵敏度较
传统金标极大提高，并实现了对其的定量检测。由云南大学、吉林大学及昆明云大生物技术
有限公司共同研制的改性金乙肝诊断试纸、改性金 HIV-l／2抗体诊断试纸、纳米磁乙肝诊
断试纸和纳米磁 HIV-1／2抗体诊断试纸，其准确性均在 99％以上；改性金乙肝试纸的灵敏
度可达 HIV-1
／2抗体诊断试纸的测试性能达到 SFDA标准血清盘的检测标准；磁性乙肝诊断试纸的灵敏
度可达 ／ml，超过 SFDA规定的检测标准。
通过该项目的实施，建成了自主创新的集纳米晶批量制备、抗原／抗体的制备及批量生
产、纳米晶与抗原／抗体的高效偶联及纳米晶免疫试纸研发生产的技术体系，并形成了年产
50g单克隆抗体、10g重组抗原、5L改性金纳米晶溶胶、5L荧光纳米晶溶胶及 5L磁性纳米
晶溶胶的生产能力，项目产业化实施单位云大生物公司通过扩充生产设备及改造厂房，已形
成年产 3000万条乙肝诊断试纸的生产能力。
该课题的完成，在基于纳米晶标记的免疫层析检测试纸研制生产方面为我国创立了一套
自主创新的知识产权体系和技术平台，并在该领域取得国际领先地位。同时，通过该项目研
制开发的乙肝、艾滋病等系列检测试纸将为重大传染病、癌症、心血管等疾病、畜禽检疫、
食品安全、环境保护及其它工农业质量检测领域提供一类方便快捷、准确廉价的新型检测方
法，进而产生良好的社会及经济效益。
【编号 0263】 zno单晶膜上 GaN基纳米光电子材料生长及 lED器件研发
单 位：南昌大学
地 址：南昌市南京东路235号
邮 编：330047
联系人：江风益
电 话：0791—8305673
电子信箱：Jiangfy0915@163．com
成果简介：
该课题发明了一种厚度为1纳米的特殊过渡层和一种特定的硅表面加工技术，克服
了外延材料和衬底之间巨大的晶格失配和热失配，在第一代半导体硅材料上，制备出高质量
的第三代半导体GaN材料，成功地解决了硅衬底上制备的GaN单晶膜材料龟裂这一世界难
题。
课题组发明了一种高可靠性LED外延材料结构，通过优化生长技术，制备了高质量的具
有纳米量子阱结构的第三代半导体GalN基LED材料，攻克了硅衬底上GaN基LED可靠性差
这一世界难题。
课题组突破了硅衬底GaN基LED外延材料焊接与转移技术，解决了氮面CaN的欧姆接
触技术，研制成功光输出功率1-9毫瓦(20毫安)的垂直结构的GalN基紫光、蓝光LED，其20
毫安时的工作电压小于3．5伏，5伏反压时漏电流小于微安，10微安时的反压大于30伏，并
实现了小批量生产，每天产能40万只。
该课题申请发明专利11项。
该课题成果已达到国际领先水平。目前硅衬底成本仅为蓝宝石衬底和碳化硅衬
底的1／10—1／100，在硅衬底上制备CaN LED的生产成本是蓝宝石衬底GaN LED的
1/2、硅衬底CaN LED的1/4，所以硅衬底上GalN LED作为一条新的半导体照明技
术路线，具有广泛的发展空间和很强的国际竞争力。
【编号：0264】 硅基镓氮固态光源关键技术研究
单 位：南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心
地 址：南昌市北京东路 339号
邮 编：330029
联系人：方文卿
电 话：0791—8325572
电子信箱：fwq@．cn
成果简介：
由南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心承担的 863计划课题“硅基镓氮固态光
源关键技术研究”于 2005年 11月 22日在武汉通过了验收。该课题在第一代半导体材料硅
衬底上研制成功第三代半导体材料氮化镓基蓝色发光二极管，处于国际领先地位，并在全球
率先实现了小批量生产。
目前市场上出售的氮化镓发光二极管都是以蓝宝石或碳化硅作为衬底，其基本专利分别
为日美发达国家所垄断。以第一代半导体材料硅作为衬底生长氮化镓发光材料是业界的梦想，
但因为存在诸多难以克服的困难，全球许多研发机构无功而返。南昌大学教育部发光材料与
器件工程研究中心通过近二年的不懈努力，在科技部、教育部、信息产业部和江西省政府的
大力支持下，成功地解决了国际上存在的硅衬底氮化镓发光材料龟裂、发光二极管亮度低、
工作电压高、可靠性差等问题，研制的硅衬底氮化镓发光二极管材料的质量和器件性能均处
于国际同类材料与器件中的领先水平，生产的硅衬底蓝光 LED 6-9毫瓦，达到了市场上蓝宝
石或碳化硅衬底 CaN蓝光 LED中等水平，其中电学性能和可靠性可以和世界顶尖级蓝宝石或
碳化硅衬底 CaN发光器件媲美。目前产能达到了 40万只／天，在制造成本、可靠性等方面
具有明显优势。该产品的研制成功，改变了日美等发达国家垄断 LED核心技术的局面，走出
了一条有我国特色的 LED发展之路。
【编号 0265】 ZnO短波长激光器若干关键技术研究
单 位：南京大学
地 址：南京市汉口路 22号
邮 编：210093
联系人：顾书林
电 话：025—83593554
电子信箱：slgu@
成果简介：
该项成果发展了研制 ZnO晶体、薄膜及发光器件的技术与方法，形成了一整套具有自主
知识产权的技术，包括自行研制的 ZnO单晶衬底、自行研制的 ZnO金属有机化学气相淀积
(MOCVD)系统、ZnO材料的 MOCVD同质外延技术、ZnOp型掺杂原位控制技术与激活技术等。
提出了提高水热法生长 ZnO晶体生长效率和质量的方法与技术，通过将两块晶片按照-C面
相对拼装在一起或直接在晶片的-C面涂覆上一层金属涂层，大大提高了晶体的生长速度，
生长出晶体杂质量优良的 英寸的 ZnO单晶。研制出 MOCVD生长技术与方法及相关设备，
成功地解决了 MOCVD ZnO材料生长中存在的预反应与材料均匀性之间的矛盾。发展了低温缓
冲层技术，掌握了在蓝宝石和硅衬底上 ZnO的异质外延技术，实现了较高质量的 ZnO异质外
延。实现材料了的 n型原位掺杂控制，并较好的实现了对 P型掺杂的控制。研究了 ZnO基短
波长光电子器件的关键工艺，重点是刻蚀、腐蚀控制与欧姆接触等工艺。在 ZnO单晶衬底上
成功的制备出室温下发光的 ZnO同质 pn结。
该项成果申请国家发明专利 5项，发表论文 22篇，其中包括 Appl．Phys．Lett．，
J．Appl．Phys．等 SCI论文 14篇，被 EI收录论文 12篇，IEEE论文 1篇，1篇中国电子学
会 2002年度受奖论文。被 SCI收录引文 30篇，其中被国际国内同行在 Appl．Phys．Lett
等刊物上引用 22篇 38次。
【编号：0266】 高质量大尺寸自支撑GaN衬底技术
单 位：南京大学
地 址：南京市汉口路22号
邮 编：210093
联系人：修向前
电 话：025—83597378
电子信箱：xqxiu@
成果简介：
在国内率先研制出2英寸毫米级、低位错密度的高质量自支撑GaN衬底，在光照明、光存
储、光显示、光探测等半导体光电子器件及微电子器件领域有重要应用。研制出国内第一台用
于高质量CaN生长的多源多片氢化物气相外延生长系统；GaN厚膜生长速率超过200μm／
h，横向外延GaN薄膜位错密度低于106／cm2；2英寸GaN，蓝宝石激光剥离技术快速(不超过30
分钟)、稳定、可重复，剥离后获得的GaN衬底表面平整光滑几无翘曲；初步研究并掌握
了获得低表面粗糙度的自支撑CaN衬底的表面抛光处理技术。
通过该项目的研究，掌握了获得高质量CaN衬底所需的所有关键技术(横向外延、厚
膜均匀生长和激光剥离技术等)并拥有全部自主知识产权，已获得国家发明专利8项，正在申
请发明专利超过10项。项目执行期间，正式发表学术论文25篇。
【编号：0267】 面向应用过程的陶瓷膜材料设计与制备技术研究
单 位：南京工业大学
地 址：南京市中山北路 200号
邮 编：210009
完成人：徐南平
联系人：杨 刚
电 话:025-83587173
电子信箱：yanggang@njut．
成果简介：
针对陶瓷膜应用过程中膜通量快速下降的普遍问题，以及中药与植物加工醇沉工艺资源、
能源消耗高的现状，提出陶瓷膜法新工艺，希望通过材料与过程的交叉研究，实现陶瓷膜新
技术在中药与植物提取领域的大规模工业应用。
提出面向应用过程的陶瓷膜材料设计与制备的新构思和陶瓷膜法中药加工新工艺，获得
发明专利 11项。
初步构建了面向颗粒体系与胶体体系的陶瓷膜材料的设计方法，专著“面向应用过程的
陶瓷膜材料设计与制备”由科学出版社出版；开发出低温烧结支撑体制备技术，成本降低 70
一 90％；陶瓷膜法中药加工新工艺节约乙醇 2／3以上，缩短加工周期 40％。
建成 5000平方米／年低温烧结陶瓷膜生产线，占国内产品市场 2／3以上，迫使国外产
品价格降到原来的 l／3左右。实现了陶瓷膜在中药与植物提取等领域的成功应用，推广应
用数十项工程，经济、社会效益显著。研究成果获得国家发明二等奖、中国石化行业技术发
明一等奖。
面向国家资源、能源、环境领域的重大需求，开发专用的陶瓷膜材料，通过材料与过
程的交叉研究，实现陶瓷膜新技术在化工、水资源、能源领域的大规模应用。
【编号：0268】 多晶硅TFT有机发光有源驱动技术的研究
单 位：南开大学
地 址：天津市南开区卫津路 94号
邮 编:300071
完成人：孟志国
联系人：熊绍珍
电 话：022—23501620
电子信箱：xiongsz@
成果简介：
该课题成成功研制出具有动态显示效果的 5英寸彩色有机发光显示器(AM—OLED)模块，
有效显示对角尺寸为 5英寸，分辨率为 QVGA。显示器基板的整体结构为单边扫描电极、单
边功率电极、双边数据电极的简单结构，能降低信号传输的频率要求。整个基板的制备采取
6光刻掩膜过程的简化流程，主要技术包括溶液法制备大晶粒多晶硅薄膜、多晶硅内镍的 PSG
动态吸除技术、金属栅多晶硅薄膜晶体管技术和有机绝缘层技术。像素由选址管、驱动管和
存储电容组成并含扫描线、数据线和功率线、像素的开口率大于 50％，彩色化的实现方案
为彩色膜上沉积 ITO、再沉积白光二极管和金属阴极。外围驱动采用子场叠加的方式来实现
灰度显示，驱动灰度为 16级。
该成果将制备 poly—si TFT AMOLED的总掩膜板数降低到 6个，大幅简化了 poly—si
TFT AMOLED的制备流程，这必将明显地降低生产成本，在大规模生产方面可与 a-siTFT
AMOLED抗衡的发展潜力。 使用该技术制备的有机发光有源驱动基板具有结构简单、开口
率高等特点，可适用于图象手机、掌上电脑、数码相机、摄像机、监视器等便携显示屏。
【编号 0269】 40Gb／s超高速光纤传输系统可调谐色散补偿器
单 位：清华大学
地 址：北京市清华大学
邮 编：100084
联系人：陈向飞
电 话：010—62789363
电子信箱：chenxf@
成果简介：
该课题研究突破 40Gbs速率高速光纤通信系统色散关键技术，开发 40Gbs可调谐色散目
标产品。该课题采用的技术是基于本课题组在 2000年率先提出的等效啁啾概念，使用的技
术是我们 2004年自主发明的重构-等效啁啾技术(REC技术)（戴一堂．陈向飞等，“一种实
现具有任意目标响应的光纤光栅”，中国发明专利，申请号 200410007530．5）。
REC技术是自光纤光栅 1979年发明以来在高级光纤光栅器件上性价比极高的设计／制
作技术，也是最强大的技术之一。利用 REC技术我们成功地研制出 40Gbs可调谐色散光纤光
栅，结合开发的光栅镀膜技术，该课题组研制出国内第一个拥有自主知识产权的 40Gbs电控
可调谐色散补偿器，并在清华大学和北京大学／中兴的 40Gbs实验系统上进行了光纤传输测
试，获得的功率代价分别为 和 ，完全符合要求。
除了按期实现该项目的既定目标，凭借该项目继续发展的 REC技术和 REC修正技术，该
课题组基于普通实验平台突破了国外精密技术的壁垒，研制出 511码片光 CDMA编解码器，
平了由日本 OKI公司，日本通信研究所／大阪大学创造的光 CDMA编解码片数最高世界记录!
到目前为止，即使国际上最好的光电子技术研究中心之一—英国南安普顿大学光电子
中心的最高水平也才 255码片!这说明该课题组真的做到了使用国产“发动机”研制出强劲
的“法拉利跑车”。凭借 REC技术不仅能够制作出高性能光 CDMA码片，同时成本比国外低的
多，有机会大大推动光 CDMA系统的商用化进程以及为国防关键光纤网络提供物理层的核心
保密技术。
【编号 0270】 GaN半导体光电材料的规模化关键生产技术的检测设备
单 位：清华大学
地 址：北京市清华大学
邮 编：100084
联系人：董占民
电 话：010—62794643
电子信箱：dongzm@
成果简介：
GaN半导体光电材料的规模化关键生产技术的检测设备是 LED外延片生产的必备设备，
作为生产、销售的主要依据，因为其无损检测的速度快，成本低，结果直观，可以在外延片
出炉后马上检测，成为下一炉工艺参数调整的依据。检测的结果也是销售数据。
该成果的光致发光采用 400nm半导体激光器，比国外采用的气体激光器，具有成本低、
易操作、光强稳定、寿命长、能耗低等特点；光致发光可以给出积分光强、峰值波长、光谱
半宽、主波长等参数，电致发光的检测方法是国际首创，其检测结果在提供光参数同时也提
供电参数，并且可以测量单只 LED，直接与外延片进行比较。利用白光反射谱测量外延片膜
厚，也获得了满意效果。所有参数以 mapping形式显示，同时显示各个参数的统计结果，并
且根据生产单位要求，增加了去孤立点、去边、局部扫描、单点测量等独有功能。
该成果研发的设备已经成功应用于国营南昌 746厂、方大福科信息材料有限公司、南昌
大学材料所、深圳奥伦德公司、江西联创光电、杭州士兰明芯等六条生产线。
该设备是国内唯一，价格是进口设备的五分之一左右。为企业降低了生产成本。
【编号：0271】 新型非线性光学高分子材料及器件应用研究
单 位：清华大学
地 址：北京市清华大学
邮 编：100084
联系人：王晓工
电 话： 010—62784561
电子信箱：wxg-dce@
成果简介：
二阶非线性光学材料是光电信息领域所需的关键材料之一，应用于电光调制器、光关、频
率转换装置等方面，在光通讯、信息处理、射频分配等方面发挥着不可替代的重要作用。二阶
非线性光学高分子材料具有高速(宽带)、低驱动电压和优良的加工性能等特点，并具有能与
超大规模集成的半导体电子器件很好兼容的优点。具体成果包括：
(1)设计出了一系列低ug、大生色团，包括：2-给体-6-受体取代奠类衍生物及其共轭
延长的衍生物；含环戊二烯基的1，4一苯二取代的一维生色团体系；以吡嗪为母体的X型生
色团及其含锁环结构的衍生物，等二十多种，其u g在—范围，绝大部分设计生色团
值均大于典型的一维生色团DANS，最大可达DANS的2倍以上。
(2)制备的掺杂膜的最高非线性系数d33=
生色团的极化膜(1627pm/V)提高1020pm／V的考核指标。
(3)利用酯化反应、重氮偶合反应等方法合成了多种具有新颖结构的超支化非线性光学
高分子，使非线性光学聚合物中生色团基本不存在生色团聚集问题。
(4)利用M20S作为交联剂，在电场极化后，进一步交联固化，使材料非线性光学等性能
可在200℃下稳定，达到了预定100℃下稳定的目标。
(5)对聚合物电光调制器进行优化设计，并优化低损耗单模光波导的制造工艺。在光波
长为微米(或微米)上制得了3dB光调制带宽20GHz的电光强度调制器。最近，在器件
研究上又取得了重要进展，制得了调制器直流半波电压(Vp)为的原型器件。
综上所述，上述研究领域获得创新性成果，得到一批具有自主知识产权的新材料、新工
艺和新技术。
【编号：0272】 新型深紫外倍频晶体CLBO及实用化技术研究
单 位：清华大学
地 址：北京市清华大学
邮 编：100084
完成人：王晓青、沈德忠
联系人：王晓青
电 话：010—62772109
电子信箱：xqwang@
成果简介：
该课题针对新型非线性光学晶体CLBO实用化存在的问题，开展了晶体生长、器件加
工、使用寿命和应用研究，圆满完成或超额完成合同书的各项任务。主要成果有：
(1)解决了晶体生长中管状缺陷问题，能稳定生长大尺寸、高光学质量的CLBO晶体。
其中一块尺寸达146×132×118mm3,是目前公开报道中质量最好、尺寸最大的CLBO单晶。
(2)解决了CLBO晶体抛光中水浸蚀和抛光剂残留等难题，加工的CLBO倍频器抗
266nm激光损伤阈值大于／cm2，尺寸达80×60×lOmm3，远远超过任务合同书规定的验
收指标。在瑞士进口的GE-100-XHP激光器系统上进行CLBO四倍频实验，产生1200mW的
266nm激光，大大超过该激光器原配四倍频器BBO晶体的额定最大功率180mW，超额完成
合同书200mw的验收指标。
探明CLBO晶体的开裂机理，找到克服晶体开裂，延长使用寿命的简单易行的方法：将
CLBO倍频器放置在小恒温套管内，保持温度130oC，隔绝水汽进行倍频实验，其使用寿命已超
过两年。与中科院物理所光物理实验室合作，用CLBO倍频器研制成266nm输出的激光器
实用样机，现正在深圳有关企业进行集成电路清洗的工业应用实验。在大尺寸、高质量CLBO
晶体的生长技术方面处于国际领先水平；在CLBO晶体倍频器件的加工技术与应用方面取得
突破性进展；倍频器尺寸、输出功率和使用寿命等可满足CLBO晶体的实用化要求，将大大
促进全固态紫外激光器在光电子和集成电路等领域的应用。
【编号：0273】 高可靠性陶瓷部件批量化成型关键技术及装备的研究
单 位：清华大学
地 址：北京市清华大学
邮 编：100084
联系人：杨金龙
电 话：010—62772857
电子信箱：jlyang@
成果简介：
由清华大学承担的“高可靠性陶瓷部件批量化成型关键技术及装备”项目主要研究和
开发陶瓷微珠，用于无机非金属矿超细粉体的研磨，涂料、油漆、油墨的分散，以及金属零件
的区毛刺和抛光，食品和制药行业的无污染研磨等领域，市场潜力巨大。
该项目攻克了胶态注射成型生产线关键技术，批量化陶瓷水基瘠性浆料关键工艺参
数的调控技术，浆料的抑泡、消泡技术以及模具的排气结构控制，浆料储存的稳定性技术，陶
瓷坯体的有害缺陷控制技术，陶瓷复杂异形零部件在成型和烧结过程中的质量控制技术，无
应力陶瓷坯体的控制技术，高精度陶瓷无滚珠轴承和笔珠专用加工设备的研制等。建立了
年产5000吨陶瓷微珠的生产线，完成了8种型号、60余台工业化装备的制造，形成大规模批
量生产能力，产品在60余家生产企业得到应用，出口至日本、韩国、台湾等国家和地区。2004
年10月份法国圣戈班集团寻求合作，在2005年9月份正式与世界500强法国圣戈班集团完成
交割。这也是进驻邯郸的第一家世界500强企业，对邯郸当地的经济发展起到了重要的作用。
圣戈班集团将在邯郸建立世界最大、最强的陶瓷微珠及上下游产品生产基地，预计年销售额
至少在3亿元人民币以上。
该项目获得国家发明专利4项，申请国家发明专利10项，“陶瓷胶态成型新工艺”
获国家技术发明二等奖。
【编号：0274】 新一代高性能低成本多层陶瓷片式电容器(MLCC)材料与工艺
单 位：清华大学
地 址：北京市清华大学
邮 编：100084
联系人：王晓慧
电 话：010—62784579
电子信箱：wxh@singhua．edu cn
成果简介：
该课题组在高性能低成本大容量贱金属内电极片式电容(BME MLCC)、大容量高可
靠高稳定性军用片式电容材料及其制备技术方面取得了高水平的研究成果和自主知识产
权的专利。
突破了新一代高性能BME MLCC薄层化、微型化关键技术：纳米粉体技术（30～
100nm)；亚微米级细晶化技术(陶瓷晶粒100～400 nm)；微米级薄层流延技术(单层膜厚度
3-5¨m)和高层数叠层技术。已研制出具有自主知识产权的、性能指标居国际同类产品领
先水平的BME MLCC亚微米晶抗还原(X7R和Y5V型)材料。开发出具有细晶结构特性的
军用高介、高可靠性X7R型MLCC瓷料，综合性能达到国际先进水平。
成果已在山东国腾、风华、宇阳公司、715厂成功转化，生产出一系列高性能BMEMLCC电
容器产品，介质单层厚度3-5微米；制备出军用高可靠大容量MLCC产品，已在国防军工等
部门使用。形成以广东风华为核心的高水平贱金属内电极MLCC示范生产线(产能为220亿只
／年)。
课题成果共申请国家发明专利19项，美国专利2两项。该成果为我国实现高端片式电容
材料的国产化，促进我国片式电容器产业产品结构的升级换代，提高国际市场竞争力提供了
关键的材料与技术，具有重要的战略意义。
【编号：0275】 高性能 PLZST 弛豫反铁电单晶的研制
单 位：清华大学
地 址：北京市清华大学
邮 编：100084
联系人：李强
电 话：010—62781694
电子信箱：qiangli@
成果简介：
1、发展了一种利用化学共沉淀技术来有效地改善PLZST体系组分均匀性的低温化
学合成方法。该方法具有合成温度低(700℃／lh即可成相)，成相组分均匀性好，粉体平
均粒径小(一μm)，分散性好等优点。
2、针对PLZST体系的非一致熔难题，在广泛筛选助熔剂组分的基础上，采用
PbO—PbF2-B2O3，复合助熔剂在国际上首次生长出了××发育完整的PLZST
弛豫反铁电单晶(. G.，283(3-4)：378—383，Oct 12005，ISDN．：968PT)；部分
条件下生长单晶最大尺寸可达××,但其完整性仍有待改进。系统地分析了
PLZST单晶中的各种缺陷及其形成机制, 发现非稳态生长是引起晶体内部生长缺陷的主
要原因。
3、所制备的PLZST单晶具有复合钙钛矿结构，各组元分布均匀，并具有典型的弛
豫可逆结构相变特征；在PLZST单晶的高分辨像观察中首次证实了其结构中存在着
极性纳米微区和超晶格，它们被公认为是PLZST单晶产生弥散结构相变的物质基础。
4、通过探讨助熔剂法生长PLZST单晶的结晶习性与生长机制发现：PLZST单晶
的生长基元为多种[B06]配位八面体，【B06】生长基元向{111}面的叠合采用法向机制生
长。
5、该课题共完成研究论文18篇(其中：SCI收录论文12篇)；申报国家发明专利
一项(申请号：)。进一步优化生长工艺，提高生长单晶尺寸，制备
出能满足以爆电换能器为代表的应用器件研制需求的高质量PLZST弛豫反铁电单
晶。
【编号：0276】新一代高性能片式元件与关键技术
单 位：清华大学
地 址：北京市清华大学
邮 编：100084
联系人：周济
电 话：010—62772975
电子信箱：zhouji@ cn
成果简介：
片式电子元件是一大类重要的电子信息产品，是现代电子信息技术的重要基础。目前全
世界片式电子元件的年需要量在一万亿只以上。进入 21世纪以来，电子信息技术的高速发
展不断向元件技术提出新的要求，使得片式电子元件成为一个创新十分活跃的高技术领域，
高性能、小型化、低成本、多功能、集成化成为片式元件发展和升级换代的重要方向。我国
是电子元件生产大国，但高端材料和和关键技术主要依赖国外。该项目旨在发展具有自主知
识产权的新一代片式元件关键材料和核心技术，促进我国从电子元件大国走向电子元件强国。
该课题主要成果包括：发展出了若干种拥有自主知识产权、性能指标居国际先进水平的
片式元件关键材料，包括贱金属内电极(BME)MLCC材料、军用高可靠性 X7R型 MLCC瓷料、
高频宽带抗 ENI元件用低烧 Y型平面六角铁氧体、低温烧结高感量片式电感器材料、高频电
感器和 LTCC用低烧低介陶瓷材料，以及片式 LC滤波器用共烧陶瓷材料。在国内首次研制出
了贱金属内电极片式电容器，使我国企业成功进入这一新的元件领域；成功地解决了我国军
用大容量 X7R瓷料长期依赖进口的问题；研制出了拥有自主知识产权的高频宽带抗 EMI材料
和元件，使我国企业成为世界上第二个拥有这类重要元件生产能力的厂家，技术水平进入世
界前列；首次生产出大感量系列．填补了国内相关产品的空白；在国内首次推出了基于 LTCC
技术的片式滤波器和片式天线。
【编号：0289】 片式压电变压器、传感器及相关材料产业化关键技术
单 位：清华大学
地 址：北京市清华大学
邮 编：100084
联系人：褚祥诚
电 话：010—62786189
电子信箱：chuxiangcheng@
成果简介：
背光电源是用来点亮液晶显示器背景照明的冷阴极荧光灯，将电池低的直流电压转变为
高频高电压，输出电压开始时超过1000V，稳定工作时约500Vrms。采用多层压电陶瓷变压器
由于具有能量转换效率高、体积小、升压比高、无电磁干扰、适合表面安装等显著特点，它的
推广应用将具有十分广阔的市场前景。
创新点：目前国内外压电变压器的烧结温度一般为11500C以上，所用内电极为钯含量超
过30％的银钯电极，价格昂贵、成本高，且变压器的变形大、合格率低。该项目采取过渡液相
烧结技术，烧结温度低至9600C，所用内电极为钯含量在10～15％的银钯电极，价格只有3070
银钯电极1/3—1/2，成本大幅下降且变压器的变形小，良品率高。低温烧结技术在多层压电变
压器的应用研究属国际领先水平。大功率压电变压器是实现驱动LCD—TV背光电源的核心部
件和关键设计技术。国内尚未见到一支变压器驱动2支或以上CCFL。
技术突破：新提供一种以PZT—PZN—PMN为主晶相的优质压电陶瓷材料，既可兼顾低烧，
又保有优异的大功率应用电气特性。已确定三种系列，十种规格的多层压电陶瓷变压器，功率
涵盖5-15W，覆盖灯管长度规格从100—1200mm的CCFL。
重要应用：所研制开发的液晶显示器用压电变压器背光电源生产技术先进，性能居国际
先进水平，是笔记本电脑、PDA、液晶PC、LCD-TV等产品的关键零部件。
【编号：0278】 大直径SiGe／Si外延材料研究及产业化开发
单 位：清华大学
地 址：北京市清华大学
邮 编：100084
联系人：刘志弘
电 话：010—62783906
电子信箱：lzh@
成果简介：
课题目标为利用具有自主知识产权的RTP／UHV—CVD装置，解决国内大直径SiGe／
Si外延材料的制备的工艺规范，工艺流程，及相关测量标准。研究8英寸锗硅外延材料生长技
术及手段，并提供高质量8英寸SiGe／Si外延片样品。
主要研究内容：改进具有自主知识产权的红外加热超过真空化学气相淀积L UHV
／CVD)锗硅外延设备以适用小批量制作5-6英寸锗硅外延材料。研究满足大功率锗硅HBT和
锗硅外延单片集成电路需要的材料。研究(UHV／CVD)大直径锗硅外延片的工艺规范，工
艺流程和测量方法。研究8英寸锗硅外延生长技术并提供样品。锗硅外延片中锗含量控制在
0-15％以内，片内均匀性±5％，片间均匀性±5％。课题目标：耍研究硅基SiGe应变异质结外
延生长方法和特性，最终要实现为SiGe微波器件和集成电路产业化提供一定量的外延材料。
【编号：0279】 铋系高温超导线材的实用化及其大规模生产技术的开发
单 位：清华大学
地 址：北京市清华大学务员
邮 编：100084
联系人：韩征和
电 话：010—62785730
电子信箱：@
成果简介：
高温超导线材通电能力超出相同截面积铜导线100倍以上，应用Bi系线材制备的超导
电缆、超导变压器、超导电机、超导限流器、超导储能系统等产品具有常规产品无法比拟的体
积小、重量轻、能耗低、容量大、无环境樗染等优点。该课题设计及建成了国内第一条实现产业
化批量生产的300公里级Bi系高温超导长线材生产线，截至目前批量生产的Bi系高温超
导长线材(约300米)临界电流超过110A，工程临界电流密度超过12000A／cm2，短样临界电
流超过160A。允许拉伸应力达到120MPa，加强型高温超导线材允许拉伸应力达到230Mpa。产品
的综合性能及产品种类，主要性能与技术指标达到国际先进水平。该课题在超导粉体制备、前
驱粉预处理、机械成形加工、形变热处理和产品多样化等方面形成了具有自主知识产权的核
心技术，打破了发达国家的技术垄断。
研制出的Bi系线材已被成功应用在国家科技部863计划超导专项、北京市重大科技计
划高温超导电缆、高温超导变压器、高温超导磁体、高温超导大电流引线和军工等项目中。该
项目研制的Bi系高温超导长线材在2004年7月10 13我国第一组正式并网的实用高温超导
电缆系统中的应用，使我国成为继美国、丹麦之后，世界上第三个将高温超导电缆投人电网运
行的国家。该项目的成功实施，使我国超导线材产业化水平迈人世界领先行列，对于推动我国
高温超导产业的发展，促进材料、能源、信息、交通等领域的产业结构优化。
【编号 0280】 移动通信用超导滤波器系统的研制和应用示范
单 位：清华大学
地 址： 北京市清华大学
邮 编：100084
联系人：曹必松
电 话：010—62772765
电子信箱：bscao@
成果简介：
由于高温超导薄膜的微波表面电阻比铜等金属低 2—3个数量级，用其制备的滤波器插
损小、矩形系数好、带边陡峭。将超导滤波器、前置放大器和小型电制冷机组成的超导滤波
器系统应用于微波通信，可以同时大幅度地提高接收机的灵敏度和选择性，可广泛应用于移
动通信、军事通信、卫星通信和其他各种微波通信。将其应用于移动通信，可以大幅度地提
高基站的容量和覆盖范围，增强抗干扰能力，提高通话质量，减小手机的发射功率。清华大
学先后先后研制成功我国第一台适合于 GSMl800、GSM900和 CDMA移动通信系统的高温超导
滤波器系统，经鉴定，技术性能达到国际先进水平。超导滤波器系统的关键技术指标如下：
插损小于 ；带边陡峭度大于 50dB／MHz，系统噪声系数小于 ，带外抑制大于
80dB。
2004年 3月，研制的两套高温超导滤波器系统安装于中国联通 CDMA移动通信基站现场
通信试验获得成功，大幅度地改善了通信网络的性能。2005年，在北京以大钟寺为中心的
地区建成了我国第一个高温超导滤波器移动通信应用示范小区。小区包括 5个 CDMA移动通
信基站，使用 30路高温超导滤波器系统。测试结果表明，改用超导滤波器后，手机的发射
功率平均下降 分贝。移动通信的性能得到较大幅度的提高，小区工作稳定，自 2005
年 12月以来未发生任何故障。
超导滤波器在军事上可广泛应用于雷达、军事通信、电子战和精确制导等，以提高灵敏
度和抗干扰能力，增加探测距离提高制导精确度等。美国在军事上已广泛使用超导滤波器并
已投入战场。
【编号：0282】 近场高密度光存储材料及器件
单 位：清华大学
地 址：北京市清华大学
邮 编：100084
联系人：陆达
电 话：010—8239098
电子信箱：ld—om@
成果简介：
1、经过充分的分子设计，在国内首次合成出用于近场存储的，能与激光器波长
良好匹配的高灵敏、快速响应的光子型二芳烯类有机光致变色材料二十余种，并培
养了八种二芳烯分子的晶体，通过X-射线衍射测定了其晶体结构。
2、筛选出适合用于Super—RENS超分辨多层膜结构的二芳烯分子，采用真空热
蒸镀和旋涂法，分别制备有良好几何光学质量的超薄Super—RENS多层记录膜片，
应用于近场光存储记录。
3、首次使用非线性吸收强、开环量子产率大；显示了二芳烯具有良好的聚焦作
用和掩膜效应。光孔径开关层对写入激光的聚焦作用显著，对记录点的缩小幅度
达到70％。
4、用异庚基空心酞菁做为记录材料，用有机光致变色二芳烯DTE一9作为光孔
径开关材料，得到记录线宽为50nm的记录点，光孔径开关层对写人激光聚焦作用显
著，对记录点的缩小幅度达到90％以上。
5、结果表明了用二芳烯类有机光致变色材料作为近场Super—RENS光孔径开
关材料，能够极大地缩小记录点尺寸，使得最小记录线宽达到50nm，超额完成了国
家863高科技发展计划“近场光存储材料及器件 (G2003AA311131)”项目中提
出的 100nm的要求。
基于边发射半导体激光器，首次提出并成功制作了近场光学局域场增强L形纳
米孔径激光器。测量结果显示L形纳米孔径激光器的远场光功率是普通矩形纳米孔
径激光器输出光功率的13倍，并通过对一个矩形与一个L形双孔纳米孔径激光器
的近场光场测量进一步展示了L形纳米孔径在输出光场分布上的高度局域性与光
场强度上的局域增强特性。
【编号：0283】 大尺寸半导体SiC单晶衬底材料
单 位：山东大学
地 址：济南山大南路27号
邮 编：250100
完成人：徐现刚、胡小波
联系人：徐现刚
电 话:0531-88364260
电子信箱：xxu@
成果简介：
2英寸SiC单晶衬底
该课题在863的支持下，成功地解决了SiC单晶生长需要的高温环境及其单晶硬度
高难以加工的困难，顺利完成和部分超额完成了863的预定目标，为SiC单晶衬底的产业化
奠定了基础。
该课题对不同生长条件下SiC单晶生长的温度场进行了模拟，以此为依据设计了适
合于大直径SiC单晶生长的坩埚和保温材料。结合晶体生长理论，优化了单晶生长的籽晶温
度、温度梯度、生长室压力等工艺参数，获得的SiC单晶直径达到50至55mm。通过优化生长
工艺，如成核、生长温度、生长速度等工艺参数，与在生长过程中引人掺氮条纹相结合，使SiC
单晶中的微管密度达到低于100个/平方厘米。
碳化硅单晶的加工工艺的瓶颈已经突破，形成了从切割→粗研磨→精研磨→粗
抛光(机械抛光)→精抛光(化学机械抛光)的一整条工艺流程。切割出的SiC晶片的最小
厚度可以达到200m，翘曲度小于30 m，厚度不均匀度小于20 m。经过研磨和抛光，得到平整度
小于25 m、粗糙度小于5rim、无明显表面缺陷的SiC单晶片，经过合作单位的试用，得到了很
好的认可。在研究工作的基础上，申请了SiC晶体生长和加工的专利各一项。
【编号：0284】 大尺寸先进陶瓷部件制备及应用技术
单 位：山东工业陶瓷研究设计院
地 址：淄博市柳泉路西二巷五号
邮 编：255031
联系人：王树海
电 话：0533—3161601
电子信箱：wangsh@
成果简介：
山东工业陶瓷研究设计院开展了大尺寸陶瓷部件工业化制备关键技术与开发研究，大
尺寸薄壁陶瓷部件在烧成过程中极易发生开裂、变形、各部位收缩不一致等缺陷。针对大尺
寸薄壁石英陶瓷坩埚制品不同缺陷产生的原因，探索研究确定了一整套完善的工艺控制制度，
有效地解决了坯体开裂、变形、各部位收缩不一致、出模困难等缺陷，保证了生产的产品一致
性和可靠性。
研究和解决的关键技术包括：高固相含量、高稳定性、流动性好的注凝料浆的制备技术，
优选了一种PC-02分散剂，在保证料浆的高固相含量、高稳定性的前提下大大改善了料浆的
流动性；动态注凝成型技术，将陶瓷的注凝成型与动态的物理场作用结合起来，使注凝成型
陶瓷料浆或成型模型单一地或有重叠地受物理场(如机械振动、超声波等)的作用，从而实现
注凝成型过程的动态化；模具的设计及加工技术研究，采用自行设计的专用的模具工装保证
制品脱模高效、成品率高；均收缩无(少)变形干燥及烧结技术，保证了生产的产品一致性和
可靠性。开发出太阳能多晶硅熔炼用方坩埚、冶金行业用大尺寸坩埚等超大尺寸结构陶瓷制
品研究，均已投人批量生产，获得国家发明专利2项，年生产各类大尺寸陶瓷制品能力达到
1000吨，累计实现产值2300余万元。多晶硅熔炼用大尺寸薄壁高纯石英陶瓷方坩埚被评为
2004年度国家级重点新产品，720×720×420mm3太阳能多晶硅用薄壁大尺寸石英陶瓷方坩埚已
经销往美国、意大利。
【编号：0285】 氧化锆增韧高档骨质瓷的研究与开发
单 位：山东淄博华光陶瓷股份有限公司
地 址：淄博市高新技术开发区鲁泰大道 55号
邮 编：255000
联系人：陈爱华
电 话：0533—3586905
电子信箱：chedward@163．net
成果简介：
山东淄博华光陶瓷股份有限公司承担“氧化锆增韧高档骨质瓷的研究与开发”项目，采
用廉价的硅酸锆为原料通过工艺和配方设计与控制，实现硅酸锆的低温分解生成氧化锆，从
而对骨质瓷进行强韧化，实现陶瓷新材料高新技术在传统陶瓷领域的嫁接，彻底改变骨质瓷
抗弯强度低，断裂韧性小的缺点。推出一批在国际市场上具有竞争力的新一代产品。项目实
现了硅酸锆的低温分解，传统研究一般认为硅酸锆分解温度高于 15000C，该研究通过对硅
酸锆原材料的优选，添加一定数量和种类的促进剂，使硅酸锆较低于 13000C的温度下分解，
首次将价格低廉的硅酸锆代替价格昂贵的氧化锆，实现氧化锆增韧，开辟了一个全新领域；
实现了氧化锆增韧高档骨质瓷的产业化，产品成品率达到 93％以上。经过增韧后骨质瓷的
性能均得到大幅度提高，其中抗弯强度和断裂韧性均提高 60％以上，从已有资料来看处于
国际最好水平。建立起年产 1000万件氧化锆增韧高档骨质瓷的生产线，实现销售收入过亿
元。该项目获得国家发明专利 4项，申请国家发明专利 3项。
“氧化锆增韧高档骨质瓷的研究与开发”项目，是国家自设立“863”计划以来所确立
的第一个日用陶瓷“863”项目，也是第一个把高新技术和传统产业相结合的陶瓷项目，解
决高档骨质瓷易脆、抗热震性差、成品率低等缺点，使骨质瓷的内在质量达到世界先进水平。
【编号：0286】 高强度高抗震高耐火耐候超大规格方矩形管及连接件研究
单 位：上海钢铁工艺技术研究所
地 址：上海市定西路1118号
邮 编：200050
联系人：郁兹
电 话：021—62403990
电子信箱：siist001@
课题首次完成研发并在大生产成功应用了定弯曲弧度变化弯点位置的直接成方冷
弯工艺，解决了生产大规格高强度冷弯型钢成型过程中容易出现角部微裂纹缺陷的技术难
题，确立了直接成方工艺在我国发展大规格冷弯型钢技术中的主导地位。采用直接成方的排
辊及辊弯技术，研制成功大规格冷弯型钢生产线，并根据我国资源条件和生产特点，完成研
发并在大生产成功应用了钢带边部处理工艺、能供两条线使用的水平螺旋活套，提升了我国
冷弯型钢装备制造的技术水平。
采用上述成果建设的大规格冷弯型钢生产线已于2005年初投产，产品最大规格500×500
×19mm、最高抗拉强度630MPa、屈强比小于0．8、最小边厚比8，质量符合相关的国家和国际标
准，可以替代传统的冲压、折弯成型或用四块钢板拼焊成管，应用于建筑领域和制造领域，
取得提高强度、节约钢材、减轻自重、降低能耗的显著效果。大规格生产线2005年产量14758
吨，并出口3500吨。产品已成功应用于北京奥运会场馆——天津奥林匹克中心、铁路上海
南站、秦山核电站二期、南京长江三桥、上海中环线高架桥、黄河滨州大桥等重点工程。
【编号：0287】 耐热镁合金及其在汽车上成用研究
单 位：上海交通大学
地 址：上海市华山路1954号
邮 编：200030
完成人：卢晨
联系人：曾小勤
电 话：021—62932113
电子信箱：xqzeng@
成果简介：
该课题利用我国丰富的稀土资源和镁合金资源，研制出低成本耐1750C高温镁合金和4种
镁-稀土中间合金，形成了年产1000吨低成本镁-稀土中间合金生产技术及3000吨高温镁
合金的生产能力，开发出高温镁合金压铸成型工艺及模具，形成年产30万套轿车用变速箱
生产技术。其中合金的力学性能指标将达到：室温力学性能：σb≥210MPa．σ0．2／
>11OMPa，δ≥3％抗蠕变性能：175℃力学性能：70MPa拉伸蠕变条件下，lOOh的总蠕变量ε≤
01％；压力蠕变性能：符合上海大众P—VW2501技术要求；耐蚀性能：盐雾试验—
／day；成本指标：不超过目前工业上最常用的AZ91镁合金成本的10％。从实验和数值计算两
个方面系统研究了新型耐热镁合金的铸造工艺性能。研究了各种合金的流动性能、热裂倾向
等。完成了自动变速箱壳体铸造过程的充型、凝固模拟，并准确预测了缺陷的发生。成功试
制了耐热镁合金自动变速箱壳体，形成了成熟的压铸生产工艺。所试制的自动变速箱壳体
已经通过台架试验，进入批量试制阶段。
自主开发了陶瓷过滤、精炼剂净化等耐热镁合金净化处理技术，研制了适合于镁液净化
和废料回收的系列净化剂和陶瓷过滤块。净化后镁液的氯含量<10ppm，杂质总量<％，指
标达到合同要求。镁合金废料经净化处理后完全可以重新使用。成功开发了无铬磷酸盐转化
膜、无铬阳极氧化、镍磷化学镀等镁合金表面处理技术。能够有效改善镁合金表面的耐腐蚀
性能和耐磨性能。项目执行过程中共申请发明专利27项，已获授权12项。
【编号：0288】 纳米金刚石复合涂层的应用与产业化
单 位：上海交通大学
地 址：上海市华山路1954号
邮 编：200030
联系人：孙方宏
电 话：021—62932930
电子信箱：Sunfanghong@
成果简介：
该项目采用化学气相沉积法(CVD)，在硬质合金拉拔模具内孔和其他耐磨器件表面
涂覆纳米金刚石复合涂层，研究得到了制备纳米金刚石涂层的成熟工艺，完成了纳米涂层结
构和性能检测工作，利用纳米金刚石复合涂层技术研究开发出各种涂层拉拔模具和耐磨器
件产品，解决了涂层附着力、均匀涂覆和涂层表面光洁度等关键技术问题，产品技术性能达
到国际先进水平。纳米金刚石复合涂层，既具有常规金刚石涂层附着力强、耐磨的特点，又
具有纳米金刚石表面平整光滑、摩擦系数小和容易研磨抛光等优点，纳米金刚石复合涂层拉
拔模具，是以硬质合金为衬底，在内孔表面涂覆常规和纳米金刚石复合涂层，并对涂层进行
研磨抛光后得到的一种全新产品，属国际首创。
该项目开发的纳米金刚石复合涂层拉拔模具产品，已由上海交友钻石涂层有限公司实现
产业化并已在江苏上上电缆集团有限公司、上海华普电缆有限公司等七十几家生产企业应用，
为应用企业带来了显著的经济效益。因此，纳米金刚石复合涂层拉拔模具推广应用前景广阔。
具体应用效果表现为：(1)促进传统产业的技术进步；(2)纳米金刚石复合涂层拉拔模具，
解决了电线电缆产品生产的关键技术，确保国内电网建设对电线电缆愈来愈高的技术质量要
求；(3)线缆工业是用铜大户，纳米金刚石复合涂层拉拔模具应用可有效节约铜材料。(4)节约
大量的资源钨，促进资源合理利用。
【编号：0289】 低 成 本 电 池 极 板 材 料 产 业 化 关 键 技 术 研 究
单 位：深圳市中金高能电池材料有限公司
地 址：深圳市福永镇富桥工业一区10—11栋
邮 编：200030
联系人：郭学益
电 话：0755—27303666—203
电子信箱：kaihua2000@
成果简介：
该项目是用于大功率镍氢和聚合物锂离子电池制造的低成本、高性能新型极板材料。
项目成功研究和开发出具有自主知识产权的超薄镀镍双面毛刺化冲孔钢带和双
面毛化穿孔铝箔、铜箔材二个系列产品，并解决从产品设计、生产工艺到工装设备的全套产
业化技术。
主要创新点包括：(1)首次实现超薄钢带极板的表面毛刺化立体结构，有效提高了极板
的填充量，适应了动力电池对极板的高填充量要求；(2)首次实现了电池用超薄钢带极板表
面合金化改性，改善了电极的电化学性能，能满足镍氢动力电池低成本、低内压、长寿命的
要求；(3)采用多辊自平衡整体链传动和折返式技术，设计成功超薄箔材的连续表面合金化和
电化学毛化的工装设备体系，实现了超薄箔材表面处理的高生产效率；(4)提出并实践电
池极板的全生命周期生态设计与制造，以钢代镍，实现原材料100％利用和易再生；采用自
平衡、内循环之环保处理技术，实现了清洁生产。
该成果产品已实现工业化生产，形成了年产5000吨生产能力，在国际相关电池极板材
料市场中占有相当大的份额(其中占国内市场的80％左右)，已实现销售收人13．57亿元，利
税2．2亿元，产生了显著的经济效益和社会效益。该项目产业化后，降低电池成本10％以上、提
升电池容量20％以上，为中国镍电池成为一个世界性实用电源和我国动力聚合物锂离子电池
的真正实用化提供了关键材料和核心技术。
【编号：0290】 高温酸化压裂添加剂的开发与应用
单 位：石油大学（华东）
地 址：东营市北二路 271号
邮 编：257061
联系人：孙铭勤
电 话：13954670666
电子信箱：13706368080@
成果简介：
针对我国酸化压裂添加剂使用温度低(小于 1200C)的现状，开发了系列耐高温(大于 201
℃)的酸化压裂添加剂，形成了适合我国高温油藏酸化压裂的酸液体系及工艺技术。
研究中合成了聚烯丙基氯化喹啉，利用其多点吸附的特点，提高了缓蚀剂的效率；将现
存的 4种化学剂首次引入酸化领域使用，强化了酸化添加剂的性能。研究中将现存的 3种化
学剂首次引入酸化领域使用，利用了添加剂在高温下发生的化学反应，拓宽了酸化添加剂的
功能。
以新型酸化添加剂的研制为基础，开发了 11类 15个酸化添加剂配方(其中 9个申请国
家发明专利)，可满足高温酸化所需添加剂的功能要求，而且基于分子设计开发的添加剂，
利用了添加剂在高温下的特学反应，取得了同类添加剂在低温下无法实现的优异性能，其研
制思路对行业内高温酸化添加剂的开发有重要指导意义。
以所开发的酸化添加剂为基础，形成了胶凝酸、乳化酸、泡沫酸、胶束酸 4个酸液体系(申
请国家发明专利 1项)及其配套工艺。
以开发的酸化添加剂和酸液体系为技术支撑，建成了年产 2000吨和 3000吨的中试、生
产基地，开发的新型酸化添加剂和酸液体系在中石油塔里木油田分公司、中石化西北分公司
和中石化胜利油田河口采油厂推广使用，生产和应用企业因技术进步新增产值 20l亿元。
【编号：0291】 红外热波无损检测技术在复合材料研究中的应用
单 位：首都师范大学
地 址：北京市西三环北路 105号
邮 编：100037
联系人：张存林
电 话：13910021720
电子信箱：cunlin_zhang@
成果简介：
首都师范大学承担的“红外热波无损检测技术在复合材料研究中的应用”课题研制了红
外热波无损检测系统；通过对多用途、个性化自主控制式热激励方法设计和应用、热波图像
处理技术及相应算法、系统控制、热波图像处理的软件实现、计算机模拟和计算机仿真的进
一步实现等关键技术的研究，成功将红外热波无损检测用于复合材料。
设计并制造了红外热波检测研究的专用标准试件，包括预埋缺陷的碳纤维层压板、铝
合金板、铝蒙皮／铝蜂窝结构、玻璃纤维层压板、玻璃纤维蒙皮／纸蜂窝结构以及钢、塑料、
铝等材料的平底洞实验试件等 20余件，检测结果优于采用超声、射线检测方法所得结果。
开发的热波无损检测技术已经成功用于航天 2院国家某型号项目试件检测、航天 703所国家
某重点型号产品现场检测、西北工业大学国家某重点型号产品现场检测、航空 621所承担的
空军某重点型号产品现场检测、与西飞集团检测中，Ii,合作现场检测试验、北京卫星制造
厂铝蒙皮铝核芯蜂窝板检测、航空 611所国家重点型号的检测等，取得良好结果。该课题的
成果为复合材料的无损检测提供了一个新的方法。课题申请发明专利 3项；软件著作权 2项；
制订企业标准 3项。
【编号：0292】 特种工程塑料制备及应用新技术
单 位：四川大学
地 址：成都市九眼桥望江路 29号
联系人：顾宜
电子信箱：guyi@. cn
邮 编：610064
电 话：028-85405138
成果简介：
特种工程塑料成功完成了高分子量聚芳硫醚砜树脂及改性料的合成研究、高纯度树脂的
制备以及聚芳硫醚砜复合材料加工工艺研究、聚芳硫醚砜薄膜的制备与性能等研究，目前正
与企业合作，在四川省级工程中心的平台上共同进行聚芳硫醚砜 40吨／年中试装置的建设
工作。通过亲核取代反应，采用了溶液三元共聚合成路线，合成聚醚醚酮酮树脂，合成装置
规模为 50吨／年。聚醚醚酮酮树脂具有强度高、模量大以及优良的耐热性、耐腐蚀性、耐
磨性、尺寸稳定性、加工成形性等。
其主要性能指标为：(1)Tg：(2)Tm：3621℃；(3)拉伸强度：118Mpa；(4)断裂
伸长率：％；(5)弯曲强度：164Mpa；(6)体积电阻：1．7×1016Ω.cm；(7)热分解温度：
543℃(TGA法，失重 2 5％)。
含杂萘联苯结构系列高性能树脂建成 500吨／年的树脂生产装置，顺利实现一次试车
成功，相继开发成功成本更低的杂萘联苯聚醚双酮(PPEKK)及其共聚物 PPESKK；以及可功能
化和可交联的带有-CN侧基杂萘联苯聚醚腈砜酮(PPENSK)和杂萘联苯聚醚腈酮酮(PPENKK)。
同时已成功制得含二氮杂萘酮联苯结构二胺、二酸和二酐等系列新单体，进而研制成功含二
氮杂萘酮联苯结构的新型聚芳酰胺（PPEA）、聚酰亚胺 fPeEl、聚酰胺酰亚胺(PPEAI)、聚芳
酉 I(PPE)等几个系列的耐高温可溶解新型高性能树脂，综合性能均优良，形成了一个独具
特色的高聚物体系。部分产品在军工装备上得到应用。已累计销售收人达到 9000多万元。
【编号：0293】 高性能低成本聚氯乙烯化学建材专用料制备和品须复合材料
单 位：四川大学
地 址：成都市九眼桥望江路 29号
联系人：郭少云
电子信箱：nic7702@scu .
邮 编：610064
电 话：028—85405135
成果简介：
由四川大学承担的“高性能低成本聚氯乙烯化学建材专用料制备和晶须复合材料”课题
通过固态力化学技术消除 PVC的石榴结构，并诱导其微晶结构发生改变，解决其难加 T的问
题，实现 PVC自增塑，提高其制品的长期稳定性和耐腐蚀性。PVC力化学自增塑已形成产业
化技术，建成了年产 500吨 MCl00 PVC自增塑加工助剂生产线，通过 PVC自增塑技术制备高
性能低成本聚氯乙烯化学建材专用料已成功实现产业化，与川路塑胶集团、成实福田塑胶有
限公司、湖北凯乐科技有限公司、四川川大殷民新材料有限公司、山东新科高分子材料科技
有限公司，成都新兴富皇高分子材料科技有限公司、广东东莞银禧塑胶有限公司合作生产了
上万吨 PVC化学建材和汽车用高耐热 PVC硬质合金及 PVC热塑性弹性体，实现产值 1亿多元。
研制出环保性复合稳定剂，与进口同类材料相比，其在 2000C的热稳定时间从 9分钟提
高到 14分钟，使 PVC脱出 HCI的速度和释放出的 HCI总量降低了 10-20倍，其烟密度从 85
％降至 48％，其氧指数从 47增加到 60，将提高 PVC的热稳定性和阻燃抑烟性能合二为一。
该课题组开发的 PTW混杂协同增强 PTFE新材料，大幅度提高了中高压压缩机密封元件
的耐磨性能，设计使用寿命 4000—8000小时，经在高压的天然气压缩机和高温的吹塑(瓶)
机以及氢气压缩机上使用表明有的已达到国外同类产品的寿命，是国内同类产品的 2-4倍，
而价格仅是国外同类产品的 1／5—1／10。
【编号：0294】 钢结构超薄膨胀型防腐防火双功能涂料
单 位：同济大学
地 址：上海市四平路 1239号
邮 编：200092
联系人：王国建
电 话：02I一 65989010
电子信箱：Wanggj@
成果简介：
该课题在技术问题上重点解决涂料的防火性能和防腐蚀性能之间的矛盾。
(1)在 2003年上半年得到了第一个完全符合国家防火标准，可供工业化生产的配方和工
艺。并申请了中国发明专利，2005年已获授权(专利号：ZL02137038．9)。其中自行合成了
耐高温有机硅聚合物作为涂料中的辅助基料，对涂层的防火和防腐蚀性能的提高有十分重要
的作用。该有机硅聚合物已经申请中国发明专利(申请号：03141606．3)；
(2)2005年进一步对所研制的产品的配方和工艺进行调整，使产品质量更上一个台阶。
使产品在涂层厚度为 1．98mm时，耐火极限达 98min，耐酸碱性分别达到 840h，耐盐雾性达
30次；
(3)在此基础上，进一步开发了具有良好装饰效果的饰面型钢结构防火防腐涂料和以含
氟聚合物乳液为基料的超薄膨胀型钢结构防烃类火涂料，并分别申请了中国发明专利(申请
号分别为：和 )。
该课题共申请国家发明专利 6项，其中已授权 1项。
由于使用了防火防腐涂料后，不仅可减少每平方米 8元的防腐蚀涂料成本，而且每年
可大量减少因钢结构腐蚀造成的损失，并可减少因火灾引起的经济损失和人员伤亡。
【编号：0295】 抗热冲击、耐侵蚀特种陶瓷蒸发舟的研制与开发
单 位：武汉理工大学
地 址：武汉珞狮路 122号
邮 编：430070
联系人：王为民
电 话：027-87215421
电子信箱：wangwm@
成果简介：
武汉理工大学承担“抗热冲击、耐侵蚀特种陶瓷蒸发舟的研制与开发”项目，抗热冲击、
耐侵蚀导电陶瓷蒸发舟广泛使用于各种材料表面金属化和表面改性，在包装材料、多层膜电
容器及显像管玻壳金属化等方面大量使用，是真空蒸镀行业的关键耗材。目前，大尺寸(长
度>12cm)蒸发坩埚全部依赖从美国和德国进口。
该项目根据使用条件对材料的要求，确定了材料的基本体系，建立了材料组成--制备工
艺--材料性能关系数据库，设计和研制出计算机在线监控的大电流高效快速烧结装备，完成
了大型工业化设备的设计、制造和运行等系统研究工作；开展了陶瓷复合材料蒸发坩埚的制
备工艺优化研究，保证材料制备过程工艺短、效率高、稳定性好，实现了低温、快速烧结。
研制和生产的陶瓷复合材料蒸发舟产品填补了国内高品质蒸发舟的空白，替代进口。
该课题共获得国家发明专利 2项、申请国家发明专利 6项，获得省部级科技进步奖 3
项，建立企业标准 2项；建立了年产 10吨二硼化钛陶瓷微粉生产线和年产 10万只陶瓷蒸发
舟生产线，二项产品填补了国内空白。批量化生产的产品经多家用户单位使用，证明产品质
量和使用性能优良，综合性能与美国 ACC公司和德国 ESK公司的产品性能相当，达到国际先
进水平，产品成本仅为进口产品售价的三分之一。已占领部分国际和国内市场。
【编号：0296】 光纤光栅传感技术及产业化研究
单 位：武汉理工光科股份有限公司
地 址：武汉珞狮路 122号
邮 编：430070
联系人：姜德生
电 话：027—87876032
电子信箱：fosrcwut@. hb .cn
成果简介：
该课题通过自主研发，攻克了特种传感光纤光栅、光纤光栅温度和应变传感器、系列光
纤光栅波长信号解调器等关键器件和传感系统的规模化生产成套技术与装备及工程应用技
术等。取得了一批创新成果，包括 5项鉴定成果，均达国际先进水平，其中 1项属国内外首
创，居国际领先水平；申请发明专利 10项，其中 2项已授权。其标志性成果“光纤光栅传
感系统工业化生产关键技术研究与应用”2004年获国家科技进步二等奖；光纤光栅感温火
灾探测技术已编入“光纤火灾探测器国家标准”报审稿。
这些成果已产业化，实现了年产特种传感光纤光栅5万支、光纤光栅温度和应变传感探
头1万支、解调器500台的批量生产能力，形成了具有我国自主知识产权的成套技术与装备，
打破了国外技术封锁与垄断，为加速光纤光栅传感技术在我国的发展奠定了产业化基础和提
供了示范。
该成果产品已大批量应用于石化、油田、桥梁、大坝、隧道、水下工程、建筑、电力、军工等行
业的数十项大型工程的安全监测，为我国提供了新一代安全监测新技术，累计完成销售收入
亿元以上，取得了显著的经济效益和社会效益。
【编号：0297】 超宽带(S+C+L)光纤放大器
单 位：武汉邮电科学研究院
地 址：武汉市邮科院路 88号
邮 编：430074
联系人：龙浩
电 话：027—87691458
电子信箱：hlong@
成果简介：
该课题主要的研究内容是超宽带(S+C+L波段)光纤放大器和相关无源器件。 在课题
的研究过程中，课题组解决了光放大器在光学结构优化，测试方案选取，复用方案等方面、
光学器件方面在提高器件工作带宽以及提高子带复用，解复用器的隔离度等方面的技术难题，
完成了 L波段 EDFA产品化、S波段 TDFA科研样机及 C波段 EDFA产品的性能改善提高；通
过子带复用／解利用技术实现了超宽带(S+C+L波段)的光放大；实现了 ASE方案的 S波段掺
铥放大器(TDFA)，并申请 1项发明专利；研制并生产了超宽带光放大器用系列光无源器件，
实现了器件自产配置，提高放大器性价比；所开发的 C+L波段光纤放大器已应用到 ／
s(160×10Gb／s)传输系统以及 3000公里超长距离的传输系统。
课题在经济效益方面也取得了巨大的成绩，目前年产各类 EDFA的能力达到一万台，并
大量出口到欧洲，北美，及韩国日本等地，创造了巨大的社会效益。
该项目成果提高了中国在密集波分复用系统用关键光电子器件和新型通信光纤方面的
国际地位，有力地支持了国家重大光纤通信系统和工程项目的研究和开发，对提升我国在相
关高技术领域的国际竞争能力具有至关重要的意义。
【编号：0298】 25GHz光梳状分波器研制
单 位：武汉邮电科学研究院
地 址：武汉市邮科院路 88号
邮 编：430074
联系人：罗勇
电 话：027—8769132
电子信箱：LuoY@..cn
成果简介：
25GHz光梳状分波器是实现超大容量的 DWDM系统及其系统扩容升级的关键器件。光梳
状分波技术(Interleaver)是一种可把一列频率间隔为 f的信号分成两列频率间隔为 2f的信
号分别从两个信道输出的光滤波技术，主要应用于实现信道间隔更密集的波分复用器，实现
多波长的 OADM。25GHz光梳状分波器采用的是基于偏振光干涉技术，新型偏振光干涉滤波结
构，具有隔离度高，损耗小，平坦型滤波谱线，制作的器件结构简单的优点。
该课题是研究可把 25GHz间隔的光波信号分为 50GHz间隔光波信号的光梳状分波器件
(Interleaver)，该器件是实现超大容量的 DWDM系统和 DWDM系统扩容升级的关键器件。在
研制过程中，课题组采用新型的偏振光干涉滤波结构及 PMD补偿、色散补偿、相位调整等技
术研制成功了 25GHz光梳状分波器，具有隔离度高、损耗小、器件结构简洁的优点，此技术
方案属国内外首创，拥有自主知识产权，先后申请了 4项专利，已授权 3项，其中发明专利
2项(包括美国发明专利 1项)及实用新型专利 1项。该器件各项性能指标达到或优于计划任
务书要求，通过了相关 Telcordia可靠性试验，产品性能稳定可靠。
该项目的研制成功和投人生产填补了国内空白，为我国制作 50GHzDWDM或 25GH：DWDM
波分复用器件及开发相应传输系统的研发提供器件基础，提高了我国高新技术开发领域特别
是光纤通信方面的水平，增强我国 DWDM的市场竞争力和占有率。该项目的产业化向社会提
供新的就业机会，促进我国相关产业的发展。
【编号：0299】 平面光波导器件的自动化耦合封装关键技术
单 位：武汉邮电科学研究院
地 址：武汉市邮科院路 88号
邮 编：430074
联系人：马卫东
电 话：027—87691172
电子信箱：mwd@
成果简介：
该项目的主要目的是开发出一套包括波导芯片和光纤阵列自动对准、测试、粘接和固化
等过程的自动化封装系统和混合式快速自动对准软件。项目组开发并掌握了多项波导器件自
动对准的核心技术，申请了三项发明专利，所研制的波导器件自动化耦合封装采用了机器视
觉、混合自动对准算法等先进技术，并采用了精密电动微调架，实现下述四项技术指标：(1)
系统对准精确度：该系统所实现的波导器件对准附加损耗小于 dB；(2)系统的重复性：
同一波导器件的三次重复对准，器件各通道的损耗值变化小于 dB；(3)系统的时间稳
定性：波导器件和光纤阵列对准后，器件各通道的损耗值在 10分钟之内的变化小于 0 05
dB；(4)系统的效率：在利用 CCD等手段实现波导器件和光纤阵列的粗对准后，每个波导器
件的精确对准时问约 2分钟。
该项目开发出具有自主知识产权的实用化平面光波导器件自动化耦合封装系统，获得
并掌握了一系列的用于波导器件自动化封装的关键技术，改变了国内长期以来低效率的手动
耦合封装方式，实现了平面光波导器件的自动化规模生产，形成申请了有关光波导器件和光
纤阵列的自动对准和耦合封装技术方面等 4项发明专利。该项目的实施完成，大大提高平面
光波导器件的封装效率，降低集成光波导器件的成本，并且大大提升光波导器件的质量，增
加集成光波导器件在光通信市场上的竞争力。
【编号：0300】 10千兆以太网用小型化、热插拔光收发器件及模块
单 位：武汉邮电科学研究院
地 址：武汉市邮科院路 88号
邮 编：430074
联系人：沈坤
电 话：027—8769137
电子信箱：shk@..cn
成果简介：
该课题在自主开发高速可插拔光发射器件、高速可插拔光接收器件和高速可插拔模块等
三个方向上取得了重大的研究成果。
10千兆以太网用小型化、可插拔光发射器件，具有自主知识产权。利用同样拥有自主
知识产权的、自制的无制冷高速激光器管芯开发出来。它具有体积小、可插拔、成本低、使
用方便的特点。设计开发了高速信号下的低微波反射和低寄生效应的高频管壳，设计有良好
性能光路器件结构。在狭小的空间里完成直流偏置加载和高速信号的导入，使高速激光器管
芯工作在直接调制状态下。
可插拔的探测器接收器件，具有自主的知识产权。着重解决了以下几个关键技术：高速
信号的同轴封装；噪声的基底处理；同轴封装高密度元件间的电源去耦；高频滤波以及探测
器结电容、引线电感和阻尼电阻等谐振回路的响应等。
小型化的插拔模块拥有自主的知识产权，重点解决了以下几个关键技术：高速光电系
统电路的设计和调试方法；高速信号的板级处理和 EMI／EMC处理；模块抖动性能的优化；
高速大信号对高速小信号的影响；信号的串扰控制；模块的热设计；模块的智能化管理和控
制以及软件的编写和调试等。成果已获得国家发明专利三项，编写国家标准一项。
【编号：0301】 40通道阵列波导光栅(AWG)复用／解复用器芯片及模块目标产品
单 位：武汉邮电科学研究院
地 址：武汉市邮科院路 88号隔
邮 编：430074
联系人：许远忠
电 话：027—87691922
电子信箱：yzxu@
成果简介：
平面光子集成技术(PLC／PIC)是新一代通信光电子器件技术最重要的发展方向之一，也
是中国必须攻克和掌握的战略高技术。阵列波导光栅(AWG)器件是基于 PLC技术的典型器件，
也是“十五”863计划中重点支持的研究课题。
该课题深入研究了波导阵列光栅(AWG)设计的束传播方法(BPM)，结合商用软件成功进
行了 AWG的优化设计，总结出一套完整的成熟的 AWG设计理沦和设计方法；系统研究了平面
光波导器件工艺，实验验证了设计的正确性，最终研制出各项技术指标均满足合同要求的
AWG芯片，并建立建成一条集设计、掩模、光刻、氧化、成膜、刻蚀、退火、切片、抛光、
耦合、封装、测试于一体完整的平面光波导(PLC)器件生产线和一套具有自主知识产权的 AWG
器件自动封装系统，可快速进行光纤阵列与 AWG芯片之间的耦合、对准和测试工作，为 AWG
器件的量产打下了良好的基础；进行了热稳定 AWG模块制作技术的研究，解决了温控电路的
设计与制作、热稳定 AWG模块的可靠性等问题，成功制作了热稳定 AWG模块。通过课题的开
展，培养了一批具备 AWG等 PLC器件的设计、工艺制作、耦合封装等方面成熟的人才队伍。
在课题开展中共申请各类专利多项，在国内外重点刊物上发表文章六篇，其中 SCI三篇。
该课题主要创新点在于研制出具有自主知识产权的波导阵列光栅器件，是“十五”863
期间，中国在 PLC技术和器件方面的一个重要标志性成果。AWG器件产品的成功开发，打破
了国外公司对我国 DWDM的技术封锁及市场冲击，提高了我国 PLC器件的整体竞争力。
【编号：0303】 10Gb／s光电收发模块
单 位：武汉邮电科学研究院
地 址：武汉市邮科院路 88号
邮 编：430074
联系人：邹行川
电 话：027—87693470—8859
电子信箱：xczou@
成果简介：
10Gb／s光电收发模块是一个双向的高速模块器件，适用于光物理与电段层之间提供标
准的电光接口。
它采用高速 CMOS方案设计和非线性温度控制电路，实现模块低功耗(典型值 4．5瓦)，町
稳定工作于℃范围；运用信号完整性方法和自动判决门限设计，实现高接收灵敏度；
它具有优异的抖动性能(典型值 @4MHz-80MHz；@20kHz-80MHz)。
该产品按照应用可分为长距离、中程和短程三种系列产品，可覆盖几乎所有光传输需
求．传输代价小于 2分贝。它可工作于不同的传输速率，可广泛应用于以太网、高速城域网、
SDH／DWDM传输网络。目前，该系列产品已通过国内外众多系统制造厂商测试，得到广泛的
应用。到目前为止，该系列产品已实现生产总值超过 2000万元。
依托项目开发的 10Gb／s自主开发的高速激光器管芯和光电直调器件及时填补国内空
白和国外同类产品同时面向市场，取得良好的市场和社会效益。
项目组起草并通过两个国家行业标准同时申请获得一项国家发明专利。该项目成果通
过了湖北省科技厅和信息产业部组织的鉴定，认为该成果达到了国内领先水平和国际同类产
品的先进水平，获得省部科技进步二等奖。
【编号：0304】 1310／1550nm大功率超辐射发光二极管目标产品与规模化生产
单 位：武汉邮电科学研究院／中国科学院半导体研究所
地 址：武汉市邮科院路 88号
邮 编：430074
联系人：李传文
电 话：027—87691458
电子信箱：cwli@
成果简介：
研究目标是突破针对大功率超辐射发光二极管的量子阱结构设计和材料生长、波导设计
与制作工艺，腔面增透膜、保偏对轴耦合、高温度稳定性等技术，制作大功率、高稳定性保
偏光纤输出超辐射发光二极管组件。
在管芯方面主要的成果：(1)采用量子阱有源区结构，能有效提高器件的量子效率，代
表超辐射发光二极管的研究方向，具有较强的先进性；(2)采用 MOCVD外延是量子阱结构实
现的主要技术，也是国际上最先进的生长技术；(3)光学膜淀积技术采用 ECR CVD方法代替
普通的电子束蒸发技术，折射率和膜厚的控制精度均大大提高，代表国际前沿的技术。
在封装方面主要的成果：(1)在激光焊接工艺上创新采用四光束平衡焊接技术，并开发
出四光束激光焊接工作台，改进后的工艺有效减小了焊接后位移，提高了器件的一致性和稳
定性；(2)封装工艺中所有的组装均采用无助焊剂焊接技术，实现了无胶封装，在开发工艺
的同时考虑到国际社会在环境方面的要求，均采用无铅封装，以减轻工艺和器件对环境造成
的影响，符合国际潮流；(3)通过有限元模拟方法分析器件的封装结构，最终达到了极限工
作温度-40到 90℃，全温范围出光功率稳定性优于 3％的水平，远超过国际商用器件的技术
水平；(4)找到了侧面分辨保偏光纤极轴的方法，结合创新的封装工作台旋转机构实现了保
偏光纤对轴耦合，达到国内先进水平；(5)按照国际通行的 Telcordia标准，对器件进行可
靠性考核，并通过所有测试条目，达到了国进先进水平；(6)按照系统要求，对器件进行了
稳定性考核，所有测试条目，达到了国内先进水平。
【编号：0305】 高性能片式压电陶瓷变压器的研究与开发
单 位：西安康鸿信息技术股份有限公司
地 址：西安市高新六路 40号
邮 编：710075
联系人：陈耀强
电 话：029—88327970
电子信箱：@
成果简介：
近年来，由于液晶显示器背光电源市场需求迅速增长，MPT作为这类电源极具应用价值
与发展前景的新型元器件迅速发展。
创新点：(1)材料的配方技术：通过低熔点化合物的加入，使机电耦合系数和密度在较
低温度下烧结达到最佳值；(2)低温烧结技术：过度液相烧结技术，温度低于 9600C，成本
大幅下降且良品率高，处于国际领先地位；(3)专用 IC控制回路技术：使变压器工作状态达
到最佳效果，LCD屏亮度均匀；(4)连续极化技术：在空气中连续极化，极化充分、效率高，
处国际先进水平；(5)大功率压电变压器结构设计技术：国内尚未见到一支变压器驱动 2支
或以上 CCFL；(6)拥有 7项国外专利和 20多项国内专利，具有独立的知识产权。
技术突破：(1)大功率多灯压电背光模组(电源)技术；(2)反相输出交错极化压电变压器
技术、反相驱动CCFL技术国际首创的专利技术；(3)Inverter能量转换效率高，可达82～90％，
比传统 Inverter高 6～10％；(4)安全可靠性大幅提高，使用寿命延长。
重要应用：所研制开发的液晶显示器用压电变压器背光电源生产技术先进，性能居国际
先进水平，是笔记本电脑、PDA、液晶 PC、LCD—TV等产品的关键零部件。公司已同韩国的
三星、日本理光、OHM、台湾友达光电、冠捷科技、英业达、德国西门子等海内外知名企业
签订了合同和合作意向。
【编号：0306】 与硬组织生物力学相容的新型钛合金及其生物涂层技术开发
单 位：西北有色金属研究院
地 址：西安市未央路 96号
邮 编：710016
联系人：于振涛
电 话：029—86264213
电子信箱：yzt@
成果简介：
开发低模量、生物及力学相容性优良的新型医用钛合金是目前国际生物材料领域研究的
前言和热点，我国无自主知识产权的医用金属材料及相关产业体系，无法满足量大、面广的
人体硬组织修复与替代外科植入产品的重大需求。
创新点：自主设计开发的两种新型医用钛合金及两种表面生物活性及耐磨涂层，实现了
合金加工低成本化、材料类型多品种化、产品用途多功能化；新涂层易在形状复杂的钛合金
植人体表面均匀成膜，综合效能优于传统涂层。项目取得 9项专利技术。
技术突破：合金设计时不含 V、Al等任何有毒元素，开发出了可同时兼顾人体软、硬组
织修复与替代产品使用的材料的加工和热处理工艺技术；采用微弧氧化技术实现了在形状复
杂的钛植入件表面均匀制备生物相容性好、结合力强的高性能涂层。
重要应用：TLM(Ti-Zr-Sn-Mo-Nb)新合金材料已通过中试扩大化验证，可以成为现有医
用钛合金材料的优良替代品；同时利用常规模锻、铸造及精密机械加工已研制出可用于人体
软组织(心脑血管、非血管等)和硬组织(骨科、齿科)的修复与替代的实验产品如血管内支架、
人工关节、齿科修复产品、内固定器械等典型件，经过国家药检局新产品注册申批后即可投
入市场。
【编号：0307】 铌钛超导线材短流程制备技术
单 位：西北有色金属研究院
地 址：西安市未央路 96号
邮 编：710016
完成人：刘向宏
联系人：阎 果
电 话：029—86231079
电子信箱：gyan@
成果简介：
NhTi超导材料应用最广泛的是医用磁共振成像装置(MRI)中的关键部件——超导磁体
是由NbTi／Cu超导线绕制而成。目前全世界每年约有2000台超导MRI投放市场，使用的 NbTi
／Cu超导线约 1500吨，NbTi棒约 300吨，产值达 30亿元。
该项目利用合金化铌钛超导体制备技术和新型非合金化铌钛超导体制备技术，改进铌钛
合金熔炼技术，获得了大尺寸、高均匀、低杂质的铌钛合金锭；大气下封焊铜包套技术可以
满足大尺寸、多芯丝铜包套的焊封，包套内的高真空度可以保证基体材加应变等处理工艺，
在铌钛合金中形成大量的弥散第二相，增强了铌钛超导材料的磁通钉扎能力；3特斯拉、4．2K
下，铌钛超导线材的临界电流密度超过 4000A／mm2，满足了 MRI磁体对超导线材的要求；
非合金工艺缩短了铌钛超导体的制备周期并降低了成本，该项目系统的研究了非合金化铌钛
超导体制备过程中复合体的组装、加工工艺、扩散过程及其磁通钉扎机理。
该课题获得的 NbTi合金熔炼技术已经用于西部超导材料科技有限公司的大批量 NbTi
锭棒生产；大气下封焊技术以及新型时效热处理和附加应变相结合的热处理技术在西部超导
公司线材生产线建成后，将应用于 NbTi超导线的生产。生产的 NbTi超导线材可以满足国内
外 MRI市场需求和国际热核聚变反应堆的订货要求。
【编号：0308】 电子材料精铝制备新工艺及成套设备研制
单 位：新疆众和股份有限公司
地 址：乌鲁木齐喀什东路 18号
邮 编：830013
联系人：卢惠民
电 话：1300192804
电子信箱：lhm0862002@
成果简介：
北京科技大学和新疆众和股份有限公司组成的科研队伍系统地研究了精铝电解技术，他
们以新疆众和股份有限公司精铝厂为工业化基地，研制开发了电子级高纯铝关键制造技术和
设备，所制备的精铝电解槽容量已经达到 80kA(目前世界上最大的精铝电解槽)，电流密度
为 ／cm2，阴极电流效率为 98—99％，电解温度为 720—740℃，电子级高纯铝生
产直流电耗 14000kWh／吨、生产成本为 17712元／吨；使用新型纯氟化物电解质体系，阴
极采用异型固体精铝阴极，电解过程连续化和机械化，实现了清洁生产，大幅度降低了能耗；
电子级高纯铝纯度为 4N-5N，其他指标符合 GB/T8644-2000(高于 GB／T8644—88)；特级品
率为 95％。
目前已申请国家发明专利 3项，课题成果获教育部科技进步二等奖、中国有色金属工
业科技进步二等奖、新疆维吾尔自治区科技进步一等奖。建造了 5000吨电子级高纯铝生产
线。2005年产品销售额超过 1亿元、利税达到了近 2000万元／年，基本满足了我国电子制
造行业对电子级高纯铝原料的紧迫需求。 现在新疆众和股份有限公司年产精铝达到 1
7万吨，占国内产量的 85％，仅次于俄罗斯、挪威，居世界第三位。
【编号：0309】 高性能低成本复合材料在现代土术工程中应用的关键技术与材料研究
开发
单 位：冶金集团建筑研究总院
地 址：北京市西土城路 33号
邮 编：100088
联系人：岳清瑞
联系人：杨勇新
电 话：010—82229326
电子信箱：Yangyongxin@
成果简介：
以冶金部建筑设计研究院对 FRP材料在土木工程中的应用进行了系统研究，解决了纤维
混杂改性技术、FRP材料制备技术及与混凝土结构加固技术、FRP混凝土结构和组合结构设
计等工程应用技术。开发出 FRP新产品共 9个品种 30多个规格的 FRP片材、筋(索)材、管
材、型材以及适用于不同环境的粘结材料，实现了低成本材料生产，大部分替代了进口材料；
开发出预应力张拉设备、预应力锚夹具、试验模具等 7种设备，基本建克了 FRP材料在土木
工程中应用的技术标准规范体系。
该课题在常规加固方法的基础上，开展了采用预应力片材、预应力筋、预应力索等新
型预应力技术进行结构加固的技术研究，目前在碳纤维布预应力加固、体外碳纤维索预应力
加同方面已形成具有自主知识产权的配套成熟技术。利用这些技术成果目前已完成 200多个
工程项目的加固、修复、检测及建设，完成产值约 7540万元。已有 FRP片材生产线投人生
产，2004年年产片材已达 40万平米左右。课题组开展了典型环境下应用 FRP材料的试点工
程工作，主要有：在江苏建成我国第一个跨度为 30+18 .4m的 CFRP拉索斜拉桥，目前已建
成投入使用；在金川集团公司冶炼车间的腐蚀环境中应用 FRP型材进行建设，已完成第一期
工程的施工；在西藏高寒地区进行了桥梁加固修复的材料检测等。
【编号：0310】 高性能复合无机抗菌材料
单 位：云南大学
地 址：昆明市翠湖北路 2号
邮 编：650091
联系人：柳清菊
电 话：0871—5036510
电子信箱：liu_qingju@
成果简介：
1、高温无机抗菌材料：研制并获得了系列复合无机抗菌材料，主要指标：Ag+含量≤1％；
对大肠、金葡菌的 MIC≤90ppm，可耐温度 12500C～13500C；安全性指标：急性经口毒性 LD50
≥10000mg/kg，急性经皮毒性：LD50≥5000rng／kg，亚急性毒性≥5000mg／。解决了
无机抗菌材料用于陶瓷制品时的耐高温性差、易变色等问题。
2、纳米锐钛矿型光催化抗菌溶胶：研制出粒度在 20nm以下、透明稳定的锐钛矿型复合
TiO，溶胶，Ag+含量≤0．5％；由该溶胶制备的薄膜透明性及光诱导超亲水性好，不需高温
烧结，对大肠杆菌的灭菌率达 ％，解决了低温制备锐钛矿型 TiO2溶胶及薄膜的技术难
题。
3、可见光激发的复合光催化抗菌材料：研制出的复合 TiO2光催化粉体，其光谱吸收值
为 520nm，在可见光下具有良好的分解甲醛、苯及甲苯的能力；在黑暗处仍具有良好的抗菌
效果。该成果克服了 TiO2的光催化性只能被紫外光激发、太阳光能利用率低的严重不足，
为解决 TiO2光催化材料实用化进程中的关键问题提供了一条新途径。(已申请专利)
4、无机络合抗菌材料：以银络合物及锌离子为抗菌成分、硅胶为载体，制备出了具有
良好抗菌性、抗变色性及耐候性的抗菌材料，MIC≤75ppm，可应用于涂料、油漆中，能有效
克服银系抗菌材料的使用而引起的变色问题。
【编号：0311】 新型微波介质陶瓷材料与元件的研制
单 位：浙江大学
地 址：杭州市浙大路 38号
邮 编：310027
联系人：陈湘明
电 话：0571—87952112
电子信箱：xmchen@
成果简介：
该课题在高介电常数微波介质陶瓷的系列化、中介电常数微波介质陶瓷的系列化、低介
电常数微波介质陶瓷的系列化、新型微波介质陶瓷元件的结构设计及测试技术等方面取得一
系列显著成果。
新型微波介质陶瓷元件的结构设计与加工方面的成果如下：(1)采用电磁场理论和微波
网络理论分析滤波器激励耦合机理，建立了等效电路模型，研究介质滤波器结构参数与其性
能间相互关系的理论依据；(2)采用高频结构模拟软件对微波介质滤波器结构进行模拟仿真，
并讨论滤波器中心频率，插入损耗，外界品质因数，频率漂移系数等随滤波器谐振孔内外径
比、输入输出电极大小及位置、耦合槽直径等的变化规律。(3)解决了复杂形状陶瓷元件制
备工艺难题。同时，还开发了低温烧结片式微波谐振器与滤波器。
此外，还成功地开发出了微波介电性能测试评价技术与系统。其中，开腔法适合于介电
常数及谐振频率温度系数的精确评价，而闭腔法(反射法)适合于低损耗材料 Q值的评价。
课题成果申请发明专利 28项，其中 7项已获授权，自主专利范围已覆盖介电常数 8-175
的微波介质陶瓷体系以及相关元件，为国产微波介质陶瓷产业提供了完整的知识产权保护网。
【编号：0312】 大面积功能薄膜的浮法在线制备技术及新型功能镀膜玻璃开发
单 位：浙江大学
地 址：杭州市浙大路 38号
邮 编：310027
联系人：韩高荣
电 话：13605716101
电子信箱：wengwj@
成果简介：
我国浮法玻璃功能单一，不能满足建筑节能的要求。而国外对我国高档建筑节能镀膜玻
璃技术实施垄断。为此，863设立专项开发拥有自主知识产权的浮法在线高档建筑节能玻璃
镀膜技术，以满足我国对建筑节能玻璃的需求。
创新点：根据浮法玻璃的生产技术和工艺特点，采用热分解化学气相沉积和金属有机化
合物化学气相沉积方法，获得了具有自主知识产权的浮法在线高档建筑节能玻璃镀膜技术。
重要应用：利用该项目成果，浮法在线大面积高档建筑节能镀膜玻璃生产技术，和 1000
万元较小的投入，可以实现对投资达 3亿元以上的浮法玻璃生产线的技术改造，生产出多品
种、多功能的高档建筑节能镀膜玻璃。不仅较小的投入，实现了产品附加值的成倍增加，更
重要的是产品具有节能、环保等特点，有利于我国建筑节能政策的实施。
产业化或重大影响：该项目成果，浮法在线大面积高档建筑节能镀膜玻璃生产技术已在威
海蓝星玻璃股份有限公司等企业的 10余条浮法玻璃生产线上推广应用。新增产建筑节能镀
膜玻璃 2500万平方米、新增产值约 10亿元；替代进口 70％以上，部分产品出口到中东，
欧，美等国家。
【编号：0313】 膨润土纳米复合吸附材料及其在废水处理中的应用
单 位：浙江大学
地 址：杭州市浙大路 38号
邮 编：310027
联系人：朱利中
电 话：0571-88273733
电子信箱：lzzhu@
成果简介：
制备了一系列新型阴-阳离子、阳-非离子有机膨润土、有机-无机复合膨润土，表征了
新型纳米复合膨润土的结构；确定新型纳米有机膨润土制备的中试工艺，并投入批量试产
(500kg/d)。发明微波合成纳米有机膨润土的新方法，可降低制备成本，同时提高纳米有机
膨润土的稳定性，改善其吸附性能及固一液分离效果。纳米有机膨润土吸附处理水中有机污
染物的性能非常好，对水中菲等多环芳烃的去除率大于 90％，对硝基苯酚的饱和吸附容量
大于 350mg/g；合成的有机-无机复合纳米膨润土能同时高效吸附处理水中难降解有机污染
物和 P043一；确定了纳米复合有机膨润土处理高浓度难降解有机废水的工艺条件及设备；实
施的电镀废水处理示范工程(规模 240t／d)运行 6个月，水质稳定达标。利用微波协同有机
膨润土处理有机废水，进一步提高了废水处理的效率。
发明的有机膨润土合成一废水处理一体化方法，大大简化工艺流程，提高废水处理效果，
并降低成本。将废水处理后回收的有机膨润土制成高效多孔吸附材料，解决了废水处理中纳
米有机膨润土回收利用的难题。
该课题基本解决了膨润土纳米复合吸附材料制备及其在废水处理应用中的关键技术问
题，取得了一些具有我国自主知识产权的创新性成果，完成了合同规定的研究任务和各项考
核指标。其成果处于国际先进水平，在环境保护特别是难降解有机废水的处理中具有良好的
应用前景。
【编号：0315】 新一代无线通信用SAW器件及材料研究
单 位：中国电子科技集团公司第二十六研究所
地 址：重庆南坪花园路 14号
邮 编：400060
联系人：刘积学
电 话：023—62839664
电子信箱：sipat4@
成果简介：
以移动通讯为主要特征的通信产业在二十一世纪将有巨大的市场需求和广阔的发展前
景。声表面波(Surface Acoustic Wave-SAW)器件自上世纪六十年代出现以来，已广泛应
用在移动通信系统、电视、广播、第三代 CDMA通信系统以及各类军用雷达、通信系统中。
特别是在以扩频技术为标志的新一代宽带无线系统中，SAW器件以其大宽带、极佳的通带选
择性、极小的带内畸变以及具有实时信号处理能力而获得广泛青睐，已成为新一代各类宽带
无线通信系统中不可替代的关键器件。
创新点：(1)大尺寸 LGS晶体制备；(2)高性能 SAWF的优化设计；(3)微细线条
(0．3—0．5“m1的制备、微细线条的老化保护、大面积超薄铝膜膜厚均匀控制技术；(4)
超硬金刚石膜片抛光；(5)水热条件下生长 KN晶体。
重要应用：课题成果已在二十六所为 TD-SCDMA、WCDMA、CDMA2000等新一代通信系统生
产的 SAW中频、高频、高性能 SAW器件中获得广泛应用，产品提供给广州京信等用户使用，
比较满意，已完成销售额达亿元。
产业化或重大影响：(1)高频、高性能 SAW滤波器可广泛应用于我国新一代无线通信系
统。(2)形成的 SAW器件用新材料、新设计、新工艺等对开发其它军、民用高频、高性能 SAW
信号处理器，先进功能的 SAW信号处理器(如 ACT、OCT、卷积器、相关器等)、SAW传感器等
具有重要意义。
【编号：0316】 直径φ6英寸半绝缘砷化镓单晶晶片制备技术研究
单 位：中国电子科技集团公司 46所
地 址：天津市陈塘庄岩峰路 1号
邮 编：300200
完成人：赖占平
联系人：段曙光
电 话：022—88112657
电子信箱：duanshuguang46@. cn
成果简介：
该项目研制的产品为φ6英寸半绝缘砷化镓单晶双面抛光片，具有位错密度低(小于 8×
104cm-3。)，电阻率径向不均匀性小(小于 20％)，可“开盒即用”等优点，产品主要技术指
标达到了国际先进水平。该产品主要用于制作砷化镓微波、毫米波器件，高速数字电路和微
波单片集成电路等，是支撑微电子行业的重要电子材料之一。
该项目研制出一台具有自主知识产权的常压单晶炉，该单晶炉性能可靠，功能先进。而
且与高压单晶炉相比，制造费用大大降低。采用常压 LEC工艺进行生长砷化镓单晶，成本较
低。我所采用此种工艺，每年可生产 5000片φ6英寸半绝缘砷化镓单晶抛光片。
该项目实施过程中，申报了《一种无液封合成砷化镓多晶材料的工艺方法》、《一种化
合物半导体材料多晶合成装置》、《生长低位错非掺半绝缘砷化镓单晶的装置》等 11项专利，
另外还形成了包含所有工序的齐套的工艺规范、产品标准、分析测试方法、设备操作规程等
技术文件，构成了大尺寸半绝缘砷化镓单晶材料制备的技术工艺平台。
【编号：0319】 硅基高速光波导开关及其集成技术
单 位：中国科学院半导体研究所
地 址：北京市清华东路甲 35号
邮 编：100083
联系人：陈少武
电 话：010—82304027
电子信箱：swchen@
成果简介：
光开关是全光联网的关键器件。SOI光开关具有开关响应速度快、可靠性高、制备工艺
和微电子业标准 CMOS工艺完全兼容等优势，因此具有极大的发展潜力和应用价值。
在 Maflab平台上开发了一套具有自主知识产权的光波导器件 CAD设计工具 BPM_SEMI，
在计算效率、Pade高阶近似、稳定性、差分格式、边界条件等方面性能比现有商品化光波
导 CAD设计软件先进。
设计制备了光波导三维模斑变换器并首次集成到大规模 SOI波导光开关阵列中，大大提
高了光波导同光纤的耦合效率。制作了微型反射镜并集成到光开关阵列中代替传统的 S型弯
曲波导，有效地降低了信道串音，使芯片尺寸减小 3 5倍。采用强限制多模干涉(MMI)耦合
器，降低了光开关的损耗和串音。在光开关波导之间引人了深刻蚀的隔离槽，降低开关功耗，
提高了开关转换速度，降低了相邻波导间耦合引起的信道串音。
在国际上首次研制成功了集成规模为 4×4、8 ×8和 16×16的 SOI光波导开关阵列。光开
关阵列的光纤-芯片-光纤插入损耗为 10～14dB，消光比为 25～32dB，信道串音为-18～
-32dB，单元功耗为 180mW，开关响应时间小于 5μs。与国际上同类型光开关相比，我们研
制的光开关处于领先水平。
SOI光开关阵列的研制成功对我国半导体光电子集成技术特别是硅基光子集成技术的
发展，起到了良好的示范作用和积极的推动作用，研究成果在光联网 OADM和 OXC节点技术
中有极其重要的应用价值。
【编号：0320】 SiGe／Si单片集成高速 OEIC光接收芯片的研究
单 位：中国科学院半导体研究所
地 址：北京市清华东路甲 35号
邮 编：100083
联系人：成步文
电 话：010—82304762
电子信箱：cbw@
成果简介：
该项目研究了 SiGe／Si高速 OEIC光接收芯片中的关键器件 SiGe／Si HBT和光电探测
器，并研制出光接收机模块。主要的研究成果包括：
1、在 SiGe／Si HBT材料生长研究中，采用变温与限制生长相结合的方法，实现了异质
结界面与 PN结界面的精确控制；研究了 B对 SiGe/Si材料的应变补偿作用，得到了 B的收
缩因子为 B=×10-24 crn3／atom，相对于 Ge的应变补偿率为 ；提出了一项实现 Si材
料原位 N型高掺杂的专利技术，将最高载流子浓度提高 4倍；
2、在 SiGe／Si HBT的研制中，提出了横向过腐蚀自对准外基区离子注入新工艺；研制
出了高速 SiGe／Si HBT，截止频率 20GHz，室温电流增益 ；
3、提出了测量 SiGe材料应变状态的带隙法，与用其他方法测得的结果相吻合。该方法
更有测试方便、精度高等优点；
4、研制出一种新颖的薄膜型高速 Si共振腔光电探测器，响应速度为 ，在-4v偏
压下，850nm处响应度为 ，暗电流 ，暗电流密度 ／
m2。
5、研制出光接收机模块，工作波长 850nm，在 5V时，实现了 150Mb／s的光接收。
【编号：0321】 红外量子级联激光器材料和器件研究
单 位：中国科学院半导体研究所
地 址：北京市清华东路甲 35号
邮 编：100083
联系人：刘峰奇
电 话：010—82304026
电子信箱：fqliu@
成果简介：
量子级联激光器是基于半导体耦合量子阱子带间电子跃迁的单极半导体激光器，其波长
可以覆盖从几微米到上百微米的中、远红外波段。在环境监测、空间通信和红外对抗等军、
民两用方面具有重要的应用前景。课题成员曾将能带工程和应变补偿技术相结合，研制成功
室温以上激射 m的应变补偿 InxCa1-xAs/InyAl1-yAs量子级联激光器。
在十五 863的支持下将原有工作拓展深入，截止到 2005年 3月，取得如下主要成果：(1)
研制出短腔长单模应变补偿 InxCa1-xAs/InyAl1-yAs量子级联激光器，波长 ,目前世界上
还没有关于 InP基短腔长单模量子级联激光器的报道，这为实现单模器件提供了一条可选途
径；(2)实现了 应变补偿 InxCa1-xAs/InyAl1-yAs量子级联激光器摄氏 50度激射，连续
工作温度 230K，室温准连续功率 46mW；(3)研制出 二级表面光栅分布反馈应变补偿
InxCa1-xAs/InyAl1-yAs量子级联激光器，工作温度 173K，掩埋光栅器件连续工作温度 128K，
目前国际上对二级光栅分布反馈量子级联激光器的报道很少；(4)研制出亚洲第一个 GaAs／
AIGaAs量子级联激光器，波长 ,其 84K下的准连续功率大于 350mW。
课题成员经过努力，最近又实现了 m应变补偿 InxCa1-xAs/InyAl1-yAs量子级联激光
器解理腔面非镀膜的管芯在大气中存放二百多天后，80K下单腔面输出功率 ，该批器件
的室温准连续功率达 200mW以上。目前，世界上仅有 5个左右的课题组能够实现 1W的 InGaAs
／InAIAs量子级联激光器。
【编号：0322】 12Gb／s硅 CMOS单片集成并行传输光接收机芯片研制
单 位：中国科学院半导体研究所
地 址：北京市清华东路甲 35号
邮 编：100083
完成人：毛陆虹
联系人：陈弘达
电 话：010—82304405
电子信箱：hdchen@
成果简介：
该课题研制 CMOS工艺兼容的光电集成接收机，将光电探测器与 CMOS电路接收机单片
集成，构成 12路并行光电集成接收机，该接收机用于 VSR(Very shortreach)系统。
该课题的光电集成接收机将 CMOS工艺兼容的光电探测器与接收电路单片集成电路，将
光子技术与微电子技术有效地结合起来，用在并行接收机中，改进现有接收机中使用化合物
探测器与 CMOS或双极电路混合集成的方法，避免使用成本较高的化合物探测器，使器件与
电路的制作成本降低。由于使用了单片系统集成，提高了光电电路的整体速度，单片集成还
使模块的耦合与封装更加容易因而成本降低。这对电路和模块的大规模生产都有利。该课题
可以提供并行光电集成接收机芯片和芯片与并行光纤耦合好的模块。
主要技术指标：
光探测器列阵：1～12列阵 工作波长：
工艺实现：深亚微米 CMOS技术单信道传输速率：≥1Gbit／s
总传输速率：≥12Gbit／s 输出电平：LVDS或 PECL
【编号：0323】 ZnO激光二极管研制和紫外激射的研究
单 位：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
地 址：长春市工农大路 6l号
邮 编：130021
联系人：申德振
电 话：0431—5603964
电子信箱：dzshen@
成果简介：
利用等离子体协助分子束(p-MBE)外延方法，在蓝宝石衬底上制备了高质量的 ZnO单晶
薄膜，本征载流子浓度最低达到 ×1016cm-3。量级；在国内首次利用光泵浦实现了 ZnO薄
膜的紫外受激发射。
利用 p-MBE方法实现了六方相 ZnMgO合金薄膜和 ZnO／ZnMgO量子阱结构材料，观测到
了来自阱层的高效激子发光和明显的量子尺寸效应，并实现了光泵紫外受激发射。利用
p-MBE技术、通过 NO和 N2作为掺杂源分别制备了 p型 ZnO薄膜材料，载流子浓度最高达到
×1019cm-3；在国际上首次报道了利用 ZnN氧化制备 p-ZnO的方法。利用分子束外延研制
了 ZnO／GaN异质 p—n结，并获得了来自 ZnO的室温电泵浦下紫外发光；在蓝宝石衬底上成
功地研制出了 ZnO同质 pn结，在国内率先报道了室温下 ZnO同质 pn结的直流电泵浦发光。
开展了 ZnO低维结构的研究，成功地制备出 ZnO纳米管、纳米带、纳米柱和纳米晶等结构，
研究了这些低维结构中 ZnO的受激发射机理，并且在室温下观测到了来自 ZnO纳米管的低阈
值光泵受激发射。
在国内外核心刊物上发表相关文章 60余篇，其中国际刊物 50多篇，被 SCI他引 153次；
申请发明专利 14项，授权 2项。该项目按计划完成任务、部分指标超额完成，目前该研究
与国外同步发展，在国内器件研制方面处于领先水平。
【编号：0324】 有机半导体薄膜晶体管材料与器件技术
单 位：中国科学院长春应用化学研究所
地 址：长春市人民大街 5625号
邮 编：130022
联系人：闰东航
电 话：0431-5262165
电子信箱：yandh@
成果简介：
中国科学院长春应用化学研究所闫东航研究员承担“有机半导体薄膜晶体管材料与器件
技术”项目。经过三年的努力研究，在高迁移率有机半导体材料方面，实现了通过两种或两
种以上有机共轭分子的层状复合、共晶的物理途径制备高迁移率有机半导体薄膜的新方法，
并发展出系列迁移率能够提高一个数量级、综合性能达到非晶硅水平的有机半导体薄膜和能
够降低接触电阻的晶体管器件，被美国贝尔实验室发表的进展综述作为六个子题目之
--(Reduction of Contact Barriers)加以重点介绍和大段评述与引用。
在有机晶体管及其显示技术方面，发展出三类具有自主知识产权的新型晶体管器件结构
(夹心型有机晶体管、双绝缘栅有机晶体管和含缓冲层有机晶体管)，解决了器件性能高与集
成加工困难的问题，获得了在上述相关方面的国际最好结果。例如：夹心器件结构可将 CuPc
的场致迁移率提高 倍，达到非晶硅水平，被美国化学会网站 Heart Cut评述；高介电性
绝缘栅的廉价制备方法被“先进材料”发表的进展综述大段评述与引用；制备出小尺寸高分
辨液晶显示器，标志着所发明的器件结构具有前瞻性和实际开发潜力。
申请中国和国际发明专利 20余项，其中，获权中国发明专利 3项、美国发明专利 3项。
【编号：0325】 用于清洁生产的烃类选择氧化催化新材料
单 位：中国科学院大连化学物理研究所
地 址：大连市中山路 457号
邮 编：116023
联系人：徐杰
电 话：0411-4379245
电子信箱：xujie@
成果简介：
该课题所开发研制的固体复合金属氧化物催化剂，应用于环己烷选择氧化合成环己酮／
醇中，具有活性高、选择性好、反应条件温和等特点。2002年 10月项目通过中石化总公司
组织的评议鉴定。
该项目针对烃类催化选择氧化，设计开发出复合金属氧化物纳米颗粒和介孔催化材料制
备的新方法，成功实现固体氧化物的表面亲油性修饰技术，应用于环己烷氧化制环己酮过程，
转化率达 ％，选择性达 ％。设计开发的烃类选择氧化非金属催化新材料，应用于甲
苯选择氧化制苯甲酸过程，转化率 20．9％，选择性 98％以上，副产物减少；应用于环己烷
空气氧化制环己酮过程，完成了连续小试、中试和 1400升反应规模的工业侧线实验，转化
率达 6．2％，选择|生达 88．6％，催化剂用量少，反应运行平稳，不堵管不结焦，不仅可
大幅度提高装置生产能力，而且可显著降低物耗和成本。
该项目开发出微量和常量催化材料组合制备新方法，每次可制备 100—300个催化剂，并
成功地应用于石脑油催化裂解制烯烃催化材料的开发。发展了反应控制相转移催化新材料，
丙烯环氧化制环氧丙烷转化率达到 90％，选择性 94％以上，催化剂循环使用回收率 93％；
应用于环己烯环氧化制环氧环己烷过程，完成了 1000吨规模的工业化试生产。
【编号：0326】 ／三相高温超导限流器
单 位：中国科学院电工研究所
地 址：北京市中关村北二条 6号
邮 编:100080
完成人：肖立业
联系人：戴少涛
电 话:010-62643969
电子信箱：stdai@
成果简介：
该成果实现并完成了一种新型高温超导限流器，利用高温超导线圈和电力电子投切装置，
实现了对短路电流的限制。正常状态时，这种高温超导限流器的阻抗值非常小，对系统运行
不产生影响。在系统发生短路故障时，该装置能够在 2毫秒内做出反应，可以将短路电流降
低 80％。在故障消除后，该装置能够自动恢复，以便于系统的正常运行。
2005年 8月由中科院电工所等单位研制成功的 ／l .5kA三相高温超导限流器，
在通过了运行前的各种测试后，顺利投入湖南省娄底市电业局高溪变电站试验运行，其主要
技术性能指标均达到了国际先进水平。这是我国首台也是继瑞士、德国、美国之后世界上第
四台并人实际电网试验运行的高温超导限流装置。该限流装置自投入实际电网以来，一直安
全稳定运行，并先后经受 3次短路故障的考验。试验运行表明，该限流装置不仅能大大减少
短路故障电流，而且具有响应速度和恢复速度快、正常态压降小的优点，基本上克服了国际
上已有的高温超导限流器的缺陷，为促进高温超导限流器的实用化迈出了关键性的一步。
高温超导限流器是一种有效的短路电流限制装置，它的应用，不仅可以大大提高电网的稳定
性、改善供电的可靠性和安全性、增加电网的输送容量、改善电能质量，而且可以显著降低
断路器的容量、大大降低电网的建设成本和改造费用、延长电气设备的寿命，具有广阔的市
场前景。
【编号：0327】 新一代高性能复合高分子材料——轻质高性能聚酰胺 66改性树脂
单 位：中国科学院化学研究所
地 址：北京中关村北一街 2号
邮 编：100080
联系人：阳明书
电 话：010—82615665
电子信箱：yms@. ac .cn
成果简介：
聚酰胺 66(尼龙 66)是最重要的合成树脂之一，在工程塑料、合成纤维等领域具有广泛
的应用，但存在耐热性差、吸水率高、强度和模量偏低等缺点。传统的玻纤或矿物改性等方
法虽然能部分改善这些性能，但由于填充量较高，复合材料的密度大幅度提高，加工性能也
受到很大影响。
由中科院化学所和中石油辽阳分公司承担的“新一代高性能复合型高分子材料-轻质
高性能聚酰胺 66改性树脂”课题突破了纳米分散复合的关键技术，对现有的国产通用聚酰
胺 66进行改性，将耐 8000C普通尼龙 66材料提高到耐热 16000C尼龙复合材料，使其升级
为高性能工程塑料，具有高强度、高刚性、高耐热性、高尺寸稳定性、低吸水率、抗冲击等
优良综合性能，同时加工性好、密度小的聚酰胺 66改性产品，完成了 2000立升反应釜的工
业化及其辅助设备的工业化试验，系统进行连续化生产时，每日改性黏土产能 300kg以上。φ
58螺杆挤出机组进行了扩充，形成了从原材料处理、复合加工造粒、干燥、混仓、包装一
体化连续运行的生产线。2004年该项技术已实现工业化生产。项目承担各方联合聚酰胺 66
原料企业，共同投资 1800万元注册成立了辽阳辽化工程塑料有限公司，建立了一条年产 2000
吨改性聚酰胺 66工程塑料生产线。目前产品在机械、电子电器等工程塑料领域正式产品销
售超过 1000吨，同时在出口枪械上得到应用。申请并获国家发明专利授权 2项。
【编号：0328】 扫描探针显微集成系统的研制
单 位：中国科学院化学研究所
地 址：北京中关村北一街 2号
邮 编：100080
完成人：白春礼
联系人：尚广义
电 话：010—82613743
电子信箱：stmsgy@iccas .
成果简介：
该课题研制的扫描探针显微集成系统将拓展扫描探针显微镜的应用范围，克服现有 SPM
只能同时获得材料表面单一性质的不足，提高 SPM的电、光或力的综合检测能力，实现电、
光或力同时检测成像，为在纳米尺度上开展材料的结构和性质及其相互关系的研究提供新的
实验系统。
成果情况研制成扫描探针显微集成系统，能够进行电和光或电和力信号的同时检测，结
果表明：扫描探针显微集成系统提高了现有探针显微技术的综合检测能力，能够获取更多信
息，拓展了现有技术的应用范围，为在微纳尺度上研究材料结构和性质提供新的系统，属国
内首创。此外，研制推出的 CSPM3000／4000系列扫描探针显微镜涵盖了扫描隧道和扫描力
显微镜的所有检测成像功能，达到国内同类设备的最好水平，受到用户认可，目前销售额已
超过 200万元。
社会经济效益：自行研制的扫描探针显微集成系统将扫描隧道、扫描力和近场光学显微
镜有机结合，提高了现有设备的综合检测成像能力，拓展了应用范围。
此外，推出的 CSPM3000／4000系列扫描探针显微镜涵盖了扫描隧道和扫描力显微镜的
所有检测成像功能，达到国内同类设备的最好水平并受到用户的认可和好评，目前销售额已
超过 200万元。相信今后会获得更大的社会和经济效益。
【编号：0329】 高效高稳定性纳米光催化材料及其应用
单 位：中国科学院化学研究所
地 址：北京中关村北一街 2号
邮 编：100080
联系人：赵进才
电 话：010—82616495
电子信箱：jczhao@
成果简介：
利用纳米半导体粒子在光照射下产生的强氧化性物种分解难降解有毒有机污染物。该方
法能有效利用清洁的太阳光以及空气或水中的氧、无二次污染、污染物分解彻底。我国每年
污水排放量 390亿吨，78％的淡水污染超标，亿人饮用有机污染严重的水。其中染料
废水的污染，已成为我国十分严重和亟待解决的环境难题，该类废水毒性大、在自然界中很
难降解，目前还缺乏有效的处理方法或处理后很难满足循环利用的要求。研究开发新的净化
技术，有着巨大的市场和社会需求。
该成果通过研究高活性稳定性的纳米光催化剂的合成、负载及其在光催化去除水和空气
中有毒有机污染物的应用，为解决日益严重的环境污染提供材料、设备和技术的支持。
主要内容为：
(1)开发出了可批量生产的高效纳米 TiO2光催化剂，其光催化活性为 p-25的 3-4倍；
(2)完成可见／紫外光协同光催化水净化装置及太阳光光催化水净化装置的研制工作；
(3)研制出光催化空气净化器，净化空气能力优于同类产品；
(4)研制出国际领先的可见光活性的纳米光催化剂，实现了对太阳光的更高效利用。
【编号：0330】 微电子封装用聚酰亚胺专用树脂的批量化生产技术
单 位：中国科学院化学研究所
地 址：北京中关村北一街 2号
邮 编：100080
完成人：杨士勇
联系人：何民辉
电 话：010—8289333
电子信箱：heminhui@
成果简介：
微电子封装用聚酰亚胺专用树脂可广泛应用于集成电路的芯片表面钝化层膜、多层金属
互连结构的层问绝缘层、底层基板的信号层间介电绝缘层等，其负性光刻型树脂溶液在室温
下具有较低的粘度，对 i和 g线具有良好的光敏性，经标准的光刻工艺可获得高精度的光刻
图型。该光刻型聚酰亚胺树脂具有下述特点：体积收缩率小；固化温度低；储存稳定性好；
光刻制图工艺简便、重复性好、分辨率高。该研究成果为微电子封装用聚酰亚胺专用树脂产
品的批量化制备工艺技术，采用该技术可实现上述材料的批量化生产，产品在微电子封装领
域具有广泛的应用前景。
该成果目前已在国内几条微电子器件生产线上试用并已进入定购产品阶段，他们对我
们的产品性能给予了较高的评价，认为采用聚酰亚胺专用树脂不仅可明显提高 IC器件的性
能，同时可简化生产工艺、提高产品的成品率；这类材料的使用面广，不但适用于超大规模
集成电路，同时还适合于分立器件、二极管、三极管等普通电子产品，是一类用途广、性能
优的高技术材料。该项目组还将批量化制备的 PI源源不断地供给国内的高校、研究院所，
为他们的研究工作提供高品质的 PI产品。这方面所带来的推动作用正在不断地显现。因此
该研究课题的顺利实施不仅可以带动国内的相关学科的发展，形成可喜的研究态势，为我国
的微电子工业的发展贡献力量，而且同时还会促进相关学科的发展，具有越来越广阔的应用
前景。
【编号：0331】 新型高氮 Cr—Mn—N双相不锈钢无缝管短流程制备技术
单 位：中国科学院金属研究所
地 址：沈阳市文化路 72号
邮 编：110016
联系人：韩维新
电 话：024—23971283
电子信箱：wxhan@
成果简介：
该项 863课题研制出新型高氮 Cr—Mn—N双相不锈钢，N ％一 ％。耐蚀、耐
磨性能优于 0Crl7Mnl4M02N不锈钢 20％以上，抗拉强度达到 850MPa以上。研制出
Cr—Mn—N双相不锈钢无缝管制备新工艺，无缝钢管的成材率达到 65％以上，流程短生产成
本与传统工艺相比降低 40％。
解决了 Cr—Mn—N双相不锈钢热塑性差，热加工成材率低的问题。在 Cr_Mn-N双相不锈
钢热加工方面实现了突破，研究得出加热过程高温氧化是造成 Cr-Mn-N双相不锈钢热塑性低
的主要原因。采取特殊的加热工艺，实现了铸管热挤无缝管成材率达到 65％。
目前该项目成果已经在四川长城特殊钢有限公司得到应用，已经生产出 5吨多
0Crl7Mnl4Mo2N双相不锈钢无缝管，无缝管材尺寸为φ25×。产品应用到山东联盟化工
股份有限公司、贵州兴义化工总厂。获得授权专利 3项。
Cr-Mn—N不锈钢热加工方面实现了突破，解决了技术难题。研究了 Cr-Mn-N不锈钢热
热塑性低的原因，解决 Cr-Mn—N不锈钢热加工问题。
【编号：0332】 高容量、大功率锂离子电池用纳米负极材料的研制与开发
单 位：中国科学院金属研究所
地 址：沈阳市文化路 72号
邮 编：110016
联系人：刘畅
电 话：024—83978238
电子信箱：eliu@
成果简介：
课题以高容量、大功率纳米复合负极材料为主要研发目标，在高性能锂离子电池用负极
材料的设计、研制和产业化方面取得了以下进展：
突破了纳米碳管／纳米炭纤维的控制制备和分散技术，研制出纳米碳管，纳米炭纤维复
合负极材料，有效提高了电池的动力学性能和循环性能；研制出形状规整、尺寸可控的纳米
孔硬碳球，使锂既可以储存在石墨层间也可储存在纳米孔中；首次提出氧化铬锂离子电池负
极材料，具有容量高、成本低等优点；首次设计、研制了元宵结构负极材料，其同时具有高
容量和良好的循环性能；首先研制出原位复合的纳米-微米复合负极材料。研制负极材料的
容量达到 600 mAh／g，约为现有商品化负极材料的 倍，且 500次循环后容量衰减小于 20
％；利用研制的纳米负极材料组装了 35安时的高功率电池，功率密度高达 1500W／kg；18650
型和 3450型电池能量密度达 238Wh／kg，且循环性良好。
开展材料设计研发工作的同时，在合作承担该课题的企业中进行了高性能负极材料的产
业化，已建成高性能负极材料年产 110吨的生产线，其中纳米碳管／纳米炭纤维年产能 20
吨，纳米孔硬碳球年产能 60吨，元宵结构负极年产能 30吨。金属研究所项目组以“一种改
性的锂离子电池负极材料、负极及电池”技术作价 100万元参股设立深圳市金润能源材料有
限公司；物理研究所项目组与联想集团增资扩股组建苏州星恒电源有限公司。
【编号：0333】 纳米薄膜在微系统中的润滑与防护研究
单 位：中国科学院兰州化学物理研究所
地 址：兰州天水路 342号
邮 编：730000
联系人：刘维民
电 话：0931—4968285
电子信箱：wmliu@
成果简介：
背景情况：通过使用与集成电路类似的制造技术，微系统的尺寸可以小至纳米或微米量
级。微系统运转部位的润滑和防护直接关系到其使用性能和使用寿命，是微系统设计和应用
的技术关键之一。纳米润滑薄膜材料是解决微系统润滑防护的重要途径。
成果情况：该项目深入研究了纳米／分子薄膜的制备科学技术，研制了多种新型高性能
超低蒸汽压薄膜润滑剂，发展了表面组装、复合组装、表面引发聚合、仿生自组装及薄膜图
案化等多种纳米润滑膜制备新方法，得到了多种具有长寿命高可靠性的纳米润滑薄膜材料；
该项目还研究了纳米润滑薄膜的组成、结构、表面结合状态与润滑防护性能的关系规律，这
些工作将极大的丰富微观摩擦学的研究内容，并推动摩擦学科的发展。该项目所发展的几种
纳米有机润滑薄膜和纳米无机多层润滑薄膜还分别在型号工程和空间领域获得了应用。如设
计制备的有机纳米薄膜应用于型号工程高速动压轴承的润滑，满足了 30000次启动-停止润
滑的要求；设计制备的 MoS2-Au-RE／Au复合纳米薄膜寿命达到了了 ×108次，应用于卫
星运动部件及神舟飞船太阳能帆板展开机构的润滑。
社会经济效益：微系统是在微电子技术的基础上发展起来的多学科交叉的前沿研究领域，
其在国家安全、电子机械工程、生物医药、化工材料、交通运输等领域具有潜在的重大应用
背景。该成果发展的纳米润滑防护材料为微系统的润滑防护提供了可靠的技术途径。
【编号：0334】 InP基中远红外量子级联激光器的关键技术研究与开发
单 位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
地 址：上海长宁路 865号
邮 编：200050
联系人：徐刚毅
电 话：02l一 62511070
电子信箱：gyxu@ .cn
成果简介：
上海微系统所 1995年率先在我国开展该领域创造性研究，突破了中远红外 QCL理论和
技术中的若干关键技术，用 GSMBE方法生长了优质 QCL结构单元和单层结构材料，建立了我
国首台 QCL表征系统、方法，使我国成为世界上拥有高水平 Qc L的第二个国家。
研制成功波长 7. 69—微米的高性能分布反馈量子级联激光器，实现了室温准连续
(100K下连续)、单模的超大范围内稳定精细的可调谐(调谐范围 90nm)、大功率(室温 47mW，
77K时 )、超大边模抑制比(32dB)等优异性能，全面达到了国际先进水平。该激光器可
高灵敏地检测 H2S，NH3，CH4，N20，NO2 C2H2等环境污染气体和爆炸产生气体 C3H5N3O9，以及
神经毒气塔崩。已开发出气体检测专用的集成化激光器驱动电源。已开展气体检测实验，取
得了阶段性成果。
研制成功一系列波长在 4—10微米的室温大功率准连续的多模量子级联激光器。最大功
率超过 ，最大工作温度大于 500C，室温最大占空比为 30％。这些激光器的波长覆盖了
更多种类的环境污染气体、绝大多数爆炸产生气体，以及 4种最主要的化学神经毒气的吸收
谱线。将在环保、工业控制、国家安全等方面发挥重要的不可替代的作用。
在项目完成过程中形成了一批自主知识产权和创新点，已申请国家发明专利 12项，其
中已授权 3项。获 2004年中国国际发明奖展览会银奖 1项。在国际权威刊物发表 SCI论文 10
多篇，国际学术会议特邀报告 1篇。
【编号：0335】 新型相敏、胁敏高有序磁性合金材料的研究与设计
单 位：中国科学院物理研究所
地 址：北京中关村南三街 8号
邮 编：100080
联系人：吴光恒
电 话：010—82649247
电子信箱：ghwu@
成果简介：
该项目将非平衡快速凝固方法用于高有序磁性合金，实现了三种以上金属原子的强制高
有序占位，开发出了对温度和相结构敏感的新型磁性合金系列材料。强制高有序合金使没有
明显结构相变的低有序合金出现非常漂亮的热弹性马氏体相，相变可以在几度到十几度的温
度范围内重复发生。同时在外加磁场的作用下，感抗变化和因马氏体变体的择优排列引起强
制高有序合金的相变应变。通过强制高有序合金成相规律的发现，实现了强制高有序金属间
化合物的成份、结构可设计性和物理性能的可控性。
该项目所研制的高有序磁性合金具有的新奇物理性能，与传统合金无法比拟的性能优
势，在新兴的磁电子学，传感器，微机电系统等领域将有广泛的应用，为国内外材料领域所
关注。强制高有序磁性合金及其制备技术为开发和应用这一新型功能材料奠定了基础。高有
序合金具有有着广阔的应用转化前景和巨大市场潜力，蕴含着无限的商机，并可创造难以估
量的直接和间接经济效益。
【编号：0336】 磷酸铁锂等新型正极材料产业化研究
单 位：中国科学院物理研究所
地 址：北京中关村南三街 8号
邮 编：100080
完成人：黄学杰
联系人：臧斌尧
电 话：0512—68094266
电子信箱：xjhuang@aphy. iphy.
成果简介：
创新点：通过理论计算，发现提高材料费米面负极态密度的途径，通过掺杂制备出可高
倍率工作的含氧空位磷酸铁锂正极材料，发现纳米包覆可大幅度提高氧化物正极材料在高电
位时的稳定性，提高倍率放电特性和安全性，实现锰系氧化物正极材料的实用化。
技术突破：(1)制备出可逆容量达 160mAh／g的氧空位磷酸铁锂正极材料，具备高倍率
(100C)放电能力；(2)开发出年产 500吨钴镍锰酸锂正极材料技术工艺，材料可逆容量达到
165mAh／g；(3)可逆容量达到 107 rnAh/g的改性尖晶石锰酸锂材料实现规模生产，550C循
环 200次容量保持率大于 90％。
重要应用：改性尖晶石锰酸锂和磷酸铁锂优于国际同类产品水平，保障了 863电动汽车重
大专项高功率锂离子电池项目的顺利推进，苏州星恒以此生产的 10Ah高能量型和 高
功率型锂离子动力电池 2004年通过美国 UL安全测试，成为中国本土第一个通过 UL认证的
锂离子动力电池，该类电池已率先批量进入国际和国内市场。
产业化或重大影响：以山东淄博锰酸锂试验厂工艺技术为基础，位于江苏无锡年产 2000
吨钴酸锂工厂正在建设中，淄博工厂全面转人钴镍锰酸锂生产，磷酸铁锂北京中试厂已具备
50公斤／批次生产能力。
【编号：0337】 超高密度信息存储材料与技术
单 位：中国科学院物理研究所
地 址：北京中关村南三街 8号
邮 编：100080
完成人：高鸿钧
联系人：唐庆
电 话：010-62551106
电子信箱：hjgao@aphy.
成果简介：
Rotaxane分子的特殊结构可以使其在溶液中发生可逆的分子构型改变，即具有结构双
稳态特性，从而导致电学特性的转变，即：绝缘态和导电态之间的可逆转变，实现了分子导
电性的转变和超高密度信息存储。Fe304具有特殊的半金属铁磁特性，在高密度信息存储、
催化剂、生物制药和化学传感器等领域有很大的应用价值，是最受关注的磁性纳米材料之一。
他们利用等离子体溅射α-Fe203基底的方法，在未使用任何模板和催化剂的条件下，第一次
成功地制备了大面积高定向的一维 Fe304 “纳米金字塔”阵列；制得的新型 Fe304纳米层状
结构是垂直于基底沿着[001]方向生长、平均长度为 3μm，直径约为 200 nm的反尖晶石单
晶结构；饱和磁化强度为 52 .5 emu／g，矫顽力为 79. 0 Oe，比块体材料略有下降。
该课题采用统计的方法，通过对两种不同分子纳米线量子输运的分析，解决了单子输
运过程中，理论与实验结果相距甚远的问题。对 Ge原子在 Si(111)7×7表面上的初期吸附以
及具体结合位置进行了系统的研究，证明存在 Ge替代 si的吸附机制。该实验结果与第一性
原理计算结果完全符合，解决了 20多年来 Ge在 Si(111)7 x 7表面上初期吸附位置在理论
和实验上一直悬而未决的问题。该项工作对 Ge／Si半导体体系的结构生长与特性控制具有
重要意义，为 Ge／Si体系在超高密度信息存储方面的实际应用奠定了基础。部分研究工作
发表在 Phys. .94，106101(2005)和 .95，156803(2005)上。
【编号：0338】 纳米化聚丙烯酸系高性能水性木器涂料
单 位：北京化工大学
地 址：北京市北三环东路 15号
邮 编：100029
联系人：李效玉
电 话：010—64423162
电子信箱：lixy@
成果简介：
该课题是以丙烯酸酯和功能性单体，通过多步种子乳液共聚合的方法合成出了纳米化聚
丙烯酸系共聚物乳液，聚合物乳胶粒子小于 80纳米，在 80个纳米的尺度下聚合物又分为三
层的核壳结构，每一层的尺度为 20—30纳米。以这种结构的聚合物胶乳为基本的成膜物质，
制备出了耐水性好、硬度高、漆膜丰满度好的聚丙烯酸系高性能水性木器涂料，主要性能指
标达到同类油溶性涂料的国家标准，可挥发性有机物含量极低(6g／L)。通过小试、模式和
2000吨／年规模的中试，形成了年产万吨的纳米化聚丙烯酸酯系共聚物乳液的合成和聚丙
烯酸系水性木器涂料的制备两项工业化生产技术，已经申请了 4项发明专利。
该产品可以取代油性涂料广泛用于木器家具的涂装和家庭、宾馆的装修。由于以水为
稀释剂，涂装过程和使用中无有机溶剂挥发和残存，属于环保型水性木器涂料。随着我国小
康社会建设的推进，人们对居住和工作环境要求越来越高，家庭和宾馆中的家具以及装修中
涂料的使用对人们生活工作环境影响巨大，因此环保型水性木器涂料的研发和生产对社会发
展和人们身体健康十分重要。目前我国水性木器涂料技术和产业化水平，以及消费水平还很
低，但是整个木器涂料的市场价值将在 200亿元以上。随着人们环保意识的增强，对环境污
染控制的立法会更加严格，涂料水性化的比例会越来越大。该项目的推广有望把涂料产业带
到一个高性能水性化的时代，具有良好的社会和经济效益。
【编号：0339】 固念纳晶染料敏化太阳能电池
单 位：中国科学院物理研究所
地 址：北京中关村南三街 8号体管
邮 编：100080
联系人：孟庆波
电 话：010—82649242
电子信箱：qbmeng@.
成果简介：
纳晶染料敏化太阳能电池是基于纳米半导体材料和工艺发展起来的一种全新太阳能电
池，它不同于目前主导太阳能电池市场的硅基太阳能电池(主要有非晶硅、多晶硅、单晶硅
三种。其中单晶硅太阳能电池的转换率高达 20％以上，又有很好的稳定性，但成本太高，
难以广泛应用)，以其制作方法简单、原料丰富，性能价格比高等优点引起了世界主要发达
国家的广泛关注。但是，由于液体电解质染料敏化太阳能电池长期使用时存在电解质泄漏等
问题，因此电介质的固态化是这类新型太阳能电池研究的重点方向。
该项目对固态纳晶染料敏化太阳能电池的各个组成部分包括：纳晶二氧化钛多孔膜、固
态电介质、对电极等进行了全面系统的研究和优化。制备的具有自主知识产权的固态电介质
纳晶太阳能电池效率达到 ％的世界领先先水平。制备的准固态电介质的纳晶太阳能电池
效率达到 6-7％的世界先进水平。
此外，对大面积电池的制备和组装工艺进行了全面研究，基本完成了大面积电池制备
技术的积累。为大规模工业化生产打下了坚实的基础。该项目工艺技术完全拥有自主知识产
权，申请了 1项国际发明专利和 20项国家发明专利。通过制备 5×5cm2和 10×l0cm2大面积电
池证实了上述技术的可行性。大面积电池的关键性技术能够取得进一步的突破，这种新型的
纳晶太阳能电池产业将具有巨大的商业价值和社会价值。
【编号：0340】 蓄水渗膜材料
单 位：中国矿业大学北京校区
地 址：北京市学院路丁 11号
邮 编：100083
联系人：张增志
电 话：010—62331956
电子信箱：@
成果简介：
蓄水渗膜材料是专门用于荒漠化地区生态恢复的功能导水纤维复合膜材。导水纤维的功
能特性来自天然植物纤维表面上具有分子传水功能化复合涂层，使纤维从膜内包装水到膜外
土壤形成水势梯度差。
该种材料具有以下特点：(1)渗水速度能够根据不同苗木种类和不同立地条件实现人为
设计，能够按照苗木生长需水规律提供合理的动态渗水量；(2)根据苗木根部土壤湿度变化，
膜材的渗水速度具有自我调节功能。当土壤趋于干旱时，渗水速度加快；当土壤过湿(如雨
水)时，渗水减慢或停止，保证了树苗的成活和存活；(3)根据不同立地条件和不同苗木种类
计算植物存活需水量后一次性配水，免再浇水，造林用水量仅是传统的 1／40～1／20，而
苗木的成活率和存活率均比传统造林高 20％～50％，造林综合成本下降 50％，生长量也具
明显优势；(4)与传统抗旱节水造林技术相比，蓄水渗膜材料综合性能价格比具有显著竞争
优势。
配合国家林业工程，课题成果 10省(自治区)推广应用达 万亩，造林区包括干旱
区、沙化区、荒山、荒滩渗漏区和风蚀农牧交错带等 5种典型荒漠化地带，36个典型的造
林现场，栽种苗木29种，树苗成活或存活率均比当地未使用该产品的苗木平均高出20～50％，
生长量也具明显优势，而造林用水量仅是传统的 1／40～1／20。
课题成果申请国家发明专利项目 3项，实用新型 4项。
【编号：0341】 “煤基生态环境修复剂”的研究与开发及其应用
单 位：中国矿业大学北京校区
地 址：北京市学院路丁 11号 邮编：100083
联系人：胡振琪 电话：13910637448
电子信箱：huzq@ .cn
成果简介：
基于矿区土地复垦与生态重建和西部土地荒漠化防治的需求，开发用于土地复垦、生态
重建、防沙治沙和污染土壤修复所需要的“煤基生物土”、“煤基营养剂”和“污染土壤原位
修复剂”等产品，以促进生态环境的可持续发展。
创新点：利用矿山固体废弃物开发生态环境修复材料，解决土地复垦与生态重建、防沙
治沙、草场退化和重金属污染土壤修复所需要的表土替代材料、营养补充材料和环境修复改
良材料，促进生态重建领域的产业化。
技术突破：利用先进的微生物技术与保土保水技术，将矿山固体废弃物、保水剂、化学
稳定剂、微生物菌根等材料有机合成，有效修复重金属污染土壤、增加植被覆盖率、恢复退
化地区生态环境。
重要应用：在内蒙、安徽等地的矿山排土场、重金属污染地区的应用，节约了土地复垦
和生态重建过程中所需的表土，同时增加了植被的覆盖率达 30％以上，降低植株中重金属
含量达 30％以上，促进植被生长，增加生物量达 200％以上。
产业化或重大影响：项目研究成果的推广应用可显著改善矿区的环境，恢复土地的生
产力，增加作物产量，减少矿区固体废弃物的排放，可以使矿区的生态环境得到有效治理和
恢复，减少农民和企业之间的矛盾，对农业及环境的可持续发展将产生显著的经济、社会和
环境效益。
【编号：0342】 氮化镓基激光器
单 位：中科院半导体研究所
地 址：北京市清华东路甲 35号
邮 编：100083
联系人：张书明
电 话：010—82304208
电子信箱：smzhang@
成果简介：
氮化镓基激光器在信息的光存储、激光打印、激光显示等领域有着广阔的应用前景。该
成果攻克了氮化镓基激光器的材料外延生长、器件图形化工艺、器件性能测试等一系列技术
难题。氮化镓材料本底电子浓度小于 5X1016／cm3，室温电子迁移率达到 1000cm2／VS，处
于世界先进水平；获得了高质量的 A1GaN／GaN超晶格光限制层材料和 GaNhnGaN量子阱结构
发光有源区材料；用解理的方法形成了性能良好的激光器反射腔面；发展了一套完整的激光
器的测试和分析方法。在我国大陆首次研制成功了具有自主知识产权的室温脉冲激射的氮化
镓基激光器，并具有了小批量研制生产能力，氮化镓基激光器采用在蓝宝石衬底上外延生长
的脊型波导结构，激射波长为 400—415nm，激射阈值电流密度 —6KA／crn2。
氮化镓基激光器是目前国际上氮化镓基光电子材料与器件研究领域竞争最激烈，技术难
度最大，最具挑战性和标志性的研究课题。在我国大陆首次研制成功具有自主知识产权的室
温脉冲激射的氮化镓基激光器，大大的缩短了我国与世界先进水平的差距，使我国氮化镓基
光电子材料与器件的研究进入了世界先进行列，提升了我国在国际上这一研究领域的影响力，
我国也成为掌握此项技术的少数国家之一。
知识产权：该成果申请国家发明专利 2项，发表论文近 30篇。
【编号：0342】 氮化镓基激光器
单 位：中科院半导体研究所
地 址：北京市清华东路甲 35号
邮 编：100083
联系人：张书明
电 话：010—82304208
电子信箱：smzhang@
成果简介：
氮化镓基激光器在信息的光存储、激光打印、激光显示等领域有着广阔的应用前景。该
成果攻克了氮化镓基激光器的材料外延生长、器件图形化工艺、器件性能测试等一系列技术
难题。氮化镓材料本底电子浓度小于 5X1016／cm3，室温电子迁移率达到 1000cm2／VS，处
于世界先进水平；获得了高质量的 A1GaN／GaN超晶格光限制层材料和 GaNhnGaN量子阱结构
发光有源区材料；用解理的方法形成了性能良好的激光器反射腔面；发展了一套完整的激光
器的测试和分析方法。在我国大陆首次研制成功了具有自主知识产权的室温脉冲激射的氮化
镓基激光器，并具有了小批量研制生产能力，氮化镓基激光器采用在蓝宝石衬底上外延生长
的脊型波导结构，激射波长为 400—415nm，激射阈值电流密度 —6KA／crn2。
氮化镓基激光器是目前国际上氮化镓基光电子材料与器件研究领域竞争最激烈，技术难
度最大，最具挑战性和标志性的研究课题。在我国大陆首次研制成功具有自主知识产权的室
温脉冲激射的氮化镓基激光器，大大的缩短了我国与世界先进水平的差距，使我国氮化镓基
光电子材料与器件的研究进入了世界先进行列，提升了我国在国际上这一研究领域的影响力，
我国也成为掌握此项技术的少数国家之一。
知识产权：该成果申请国家发明专利 2项，发表论文近 30篇。
【编号：0343】 稀土顺丁橡胶的产业化关键技术
单 位：中科院长春应化所
地 址：长春市人民大街 159号
邮 编：130022
联系人：李健美
电 话：0431-5262364
电子信箱：imli@
成果简介：
稀土催化剂合成双烯烃橡胶是我国在 20世纪首创的新材料之一，突破了传统的
Ziegler-Natta催化剂的定义，开辟了稀土催化剂在高分子合成中的应用。稀土顺丁橡胶的
全面综合性能优于镍系顺丁橡胶，而且随着轮胎子午化的进程，替代镍系顺丁橡胶应用于子
午线轮胎的制造，在生热、耐磨、抗湿滑、耐疲劳等方面表现出更为优异的使用性能。我国
稀土顺丁橡胶的需求约在 30—60万吨／年左右。中国科学院长春应用化学研究所和中国石
油锦州石化股份有限公司合作开发的稀土顺丁橡胶产业化的关键技术，应用改进的稀土催化
剂制备技术和生产工艺，2004年底在锦州万吨级镍胶生产装置上进行了稀土顺丁橡胶的第
四次工业化生产，工艺技术流程已打通，已逐渐完善了生产工艺和设备，在镍系万吨级装置
上生产出获得不同牌号的稀土顺丁橡胶 200多吨(累计已达 1700多吨)。
对稀土顺丁橡胶进行全面性能分析和测试，物理机械性能超过意大利 EniChem公司稀土
顺丁橡胶水平，世界上最大的轮胎制造公司——法国 Michelin公司对锦州石化稀土顺丁橡
胶长达一年多的评估，其结论为：“锦州石化稀土顺丁橡胶在子午胎侧和胎面配方中可以全
面替代 Michelin公司正在生产中使用的稀土顺丁胶”。
该项目已申请 11项，其中中国专利 10项(5项已获授权)，美国专利 1项。同时在稀土
顺丁橡胶分子量分布控制方面取得突破性进展，对我国现有七套镍系顺丁橡胶、生产同一牌
号(BR9000)的生产装置的升级改造和产品更新换代，提高我国顺丁橡胶的国际竞争力，促进
我国橡胶生产企业产品技术进步的具有重要的价值。
【编号：0344】 新型深紫外非线性光学晶体材料和紫外、深紫外全固态激光器
单 位：中国科学院理化技术研究所
地 址：北京市大屯路甲 3号
邮 编：100080
联系人：李如康
电 话：010—62629720
电子信箱：rkli@cl .cryo .ac. cn
成果简介：
深紫外相干光源指波长短于 200nm的相干光。除电子同步辐射光源外，目前只有两种途
径能产生这类光源的有效功率输出。一种是准分子激光器，另外一种，就是使用深紫外非线
性光学晶体，通过高次谐波的方法产生深紫外相干光。全固态深紫外相干光源却具有操作方
便、线宽窄、波长可调、易获得单模输出等优点，因此在深紫外光谱区，这种光源在光谱、
能谱仪，激光医疗，光刻技术等方面将有广泛应用。
该所取得了以下突破：(1)通过 KBBF相关系研究和生长方法的改进，采用特殊设计的
铂金坩埚，成功地生长出 20×10×1. 8mm3，全透明的 KBBF单晶。(2)利用我们在国际上首次
提出的并获得中、美两国专利的 KBBF棱镜耦合技术，制作成功光接触 KBBF—CaF：棱镜耦
合器件。(3)使用这-KBBF棱镜耦合器件和直接倍频方法，成功地实现了深紫外谐波光输出
的 3个国际首创：1)首次实现 200nrn～193 .5nm飞秒激光有效功率输出；2)首次实现了
Nd：YV04激光的 6 倍频谐波光 177. 3nm输出，并获得 的有效功率输出；3)首次实现
了 Ti：Sapphire可调谐激光的 4倍频谐波光输出，可调范围达到 200→170nm，最大输出功
率 。(4)Nd：YVO4激光的 6倍频器件。首次测量出 CeRu2等化合物超导体在超导态时，
Cooper电子对和超导能隙的形成。超高分辨率能谱仪的建造成功，将为未来高温超导体的
理论解释提供重要数据。
【编号：0345】 尺寸、形貌和结构可控的球形二氧化硅、及其纳米复合二氧化钛、银球
颗粒的研究与开发
单 位：中科院理化技术研究所
地 址：北京市大屯路甲 3号
邮 编：100080
联系人：唐芳琼
电 话：010—64888064
电子信箱：mengxw2000@yahoo.
成果简介：
纳米技术彻底改变我们日常生活中的产品及其生产方式。然而，纳米技术真正发展成为
能带来经济效益的产业，首先面临的问题是必须规模生产。
球形均一单分散(δ／D<5％)的二氧化硅是一类极其重要的组装胶体晶体、有序和复杂
结构光电器件的基本构建单元。自组装单分散 SiO2球得到的胶体晶体表现出的光子带隙，
可以组装在可见和近红外区域的光子晶体。
该项目研发了纳米材料可控制备与调变技术，可生产出 5公斤量级的多种粒径的单分
散球形二氧化硅，并在公斤量级二氧化硅球形颗粒基础上得到了公斤产量的球形复合银、二
氧化钛材料的工艺技术。各项技术指标均超过了合同规定的指标。所研发的公斤量级纳米材
料可控制备与复合方法技术，为纳米材料从实验室微量制备发展为工业化可控制备实用技术，
有效带动纳米材料可控制备技术产业的发展，促进按设计需求尺寸、形貌、结构可控纳米材
料早日进入市场奠定了基础。由于尺寸在 60nm～400nm的 SiO2具备特别的生物相容性，而
且，它还极易被生物功能基团修饰功能化，故而它在生物领域有着广阔的应用前景，而逐渐
成为研究热点。金属纳米壳--二氧化硅是一类可调变光学性能的复合粒子，它由 SiO2介电
核和包覆在上面的一薄层金属壳构成，这种材料具有新的，独特的性能。
【编号：0346】 新型压电单晶 PMNT的制备及其在医用超声成像上的应用
单 位：中国科学院上海硅酸盐研究所
地 址：上海市定西路 1295号
邮 编：200050
联系人：罗豪甦
电 话：021—39986059
电子信箱：hsluo@
成果简介：
课题组突破了传统上只能用助溶剂方法生长弛豫铁电单晶的限制，在国际上率先用改进
的 Brldgman法生长出大尺寸高质量的 PMNT单晶，并通过对相关生长技术，以及单晶结构和
性能的研究，已经可以规模化制备高性能的 PMNT压电单晶材料，尺寸达到 55×80mm，晶片
大于 32×32mm2，d33>2200pC／N，k33>93％，晶片<7％，Tc<2％，影响单晶性能的低温三方
-四方相变峰大于 800C，完全能够满足多种医用换能器的应用要求。
用 PMNT单晶自主研发制备出了高灵敏度的单元超换能器，在中心谐振频率约 2MHz时，
其换能器电声效率比 PZT探头要提高 10％，-6dB带宽比 PZT探头要提高 8％。相对灵敏度
也提高了 2dB，从而形成了我们对 PMNT单晶超换能器的自主知识产权。
还与 GE、Philips等公司合作研制了 PMNT单晶线阵和二维成像超换能器，在插人损耗
为-6dB处，其频带宽度已经达到了 90％-100％，电声效率达到了 68％-85％(传统的 PZT陶
瓷的同类探头，其电声效率仅为 39％-52％，-6dB带宽仅为 55％-70％)。据美国海军研究
办公室(ONR)估计，医用超声成像的市场每年将超过 20亿美元，因此用 PMNT单晶替代传统
的 PZT陶瓷，在医用换能器应用中将产生巨大的经济效益。
项目组生长出了大尺寸、高质量、均匀性好的 PMNT压电单晶，并研制出了基于 PMNT单
晶的医用超换能器，共申请 4项国家发明专利，发表 25篇学术论文(均为 SCI收录，其中国
外核心刊物上发表 21篇)。
【编号：0347】 新型结构可控性烯烃聚合催化剂的研制
单 位：中国科学院上海有机化学研究所
地 址：上海零陵路 345号
邮 编：200032
联系人：唐勇
电 话：13651970327
电子信箱：tangy@
成果简介：
课题组从烯烃聚合机理出发，利用边臂策略，经过三年的研究，设计、合成了完全具有
自主知识产权的、聚烯烃结构可控的 STS系列新型非茂烯烃聚合催化剂。所创制的催化剂具
有很好的工业化应用前景，可望形成具有我国自主知识产权的新一代聚烯烃催化剂技术。
该课题组研究开发了一类制备工艺简单、成本低廉、高效并结构可控的新型烯烃聚合催
化剂。成功进行了主催化剂的合成路线优化及中试生产研究，目前已合成了公斤级主催化剂，
可供生产数十吨聚乙烯产品。开展了催化剂负载化工艺研究并进行了中试装置建设，建成了
负载型非茂金属催化剂制备中试装置(sPc装置，设计规模为每批次制备负载型催化剂 5公
斤以上，年产 1吨以上)。完成了适合工业化的淤浆聚合工艺中试装置(300升聚合反应釜)
的建设并进行了中试生产，已得到数百公斤聚合物产品。研究了催化剂结构与聚合物结构和
性能的关系，对工业化中试生产的聚烯烃产品的性能、加工及其应用进行了研究，发现了很
好的力学性能，具有良好的市场前景。
课题成果共申请 4项国家发明专利和 1项国际发明专利，并有 2项国家发明专利得到
授权。研究成果为该系列催化剂的工业化生产奠定了坚实的基础，其催化剂技术具有很好的
工业化应用前景，可望形成我国具有自主知识产权的新一代聚烯烃催化剂技术。
【编号：0348】 高性能聚芳双硫醚／石墨纳米复合材料的制备及应用
单 位：中山大学
地 址：广州市新港西路 135号
邮 编：510275
联系人：盂跃中
电 话：020—84114113
电子信箱：Mengyzh@. edu .cn
成果简介：
聚合物电解质燃料电池在电动汽车、航空航天等方面有广阔的应用前景，近年来受到广
泛关注。
该项目通过合成一系列芳香环状双硫醚化合物，并将环状化合物与经过一定物理或化学
改性的石墨进行纳米复合，优化成型工艺制备出燃料电池纳米复合双极板，该极板与传统的
石墨极板和金属极板相比，具有低成本、低比重、容易加工(流场可以在压模时直接形成)等
特点。该极板的突出特点在于采用纳米复合技术，使导电填料石墨以纳米片层分散在聚合物
基体中。由于石墨的纳米级分散，使得填充相对少的石墨就可以达到要求的导电率，同时保
证了极板优良的机械强度和较低的孔隙率。该纳米复合双极板导电率高达 100Scm-1抗张强
度达 Mpa，抗弯强度达到 46 .1 MPa，抗弯模量达到 GPa，组装在燃料电池组中，
工作电流密度达到 320mA／cm2。
该项目研制纳米复合双极板成本低于市售 316L优质钢板的 1／20，使用该纳米复合双
极板可以大大降低燃料电池的成本，促进燃料电池商业化进程，其产生的经济效益是不可估
量的。燃料电池成本降低有利于促进电动汽车的商业化，对于解决全球能源与环境问题具有
重要的意义，其社会效益更是无法估量的。
【编号：0349】 新型骨修复和重建生物材料研究
单 位：重庆医科大学
地 址：重庆市医学院路 1号
邮 编：400016
联系人：蒋电明
电 话：023—69012234
电子信箱：Jdm571026@
成果简介：
该课题成功研制出的纳米羟基磷灰石／聚酰胺 66(n-HA／PA66)高分子复合生物活性材
料，是具有我国自主知识产权和国际领先水平的新型骨修复替代材料。
研制出的n-HA尺寸在90纳米以内，其在复合材料中的含量在40～60wt％之间任意可调，
达到了自然骨中纳米磷灰石晶体含量水平，而 PA66的分子结构与自然骨中的胶原成份极其
相似，故该复合材料是一种类骨的复合材料，具有与受体骨组织能快速形成生物键合的生物
活性。系列动物实验和临床验证表明，n-HA／PA66复合材料具有良好的生物学性能，并已
通过中国药品生物制品检定所检验。根据临床骨关节缺损修复需要，结合临床手术技术研究，
研发出 10余种 20多个规格符合临床手术要求的生物活性硬组织修复体，主要包括骨充填材
料、骨板及骨块、椎体替代材料、仿生椎板、指(趾)关节、骨螺钉。
制定了产品标准和临床验证方案及规范的临床手术操作规程，按照国家药监局规定已
在国内两家三甲医院开展临床应用 100余例，临床随访观察证实取得了很好的治疗效果。其
中，n—HA／PA66颗粒产品及人工椎板和椎间融合器，在获得了国家食品与药品监督管理局
(SFDA)颁发的临床验证批准(药监械临(2003)37号)，并经过临床应用后，又于 2005年初获
国家 FDA准字号生产许可证(国食药监械(准)字 2005第 3460204号)。
【编号：0350】 轨道交通减振用高性能复合弹性结构材料的应用
单 位：株洲时代新材料科技股份有限公司
地 址：株州市珠江南路 21号
邮 编：412007
联系人：杨 军
电 话：0733-2884702
电子信箱：helloyhjp@163. net
成果简介：
由时代新材公司承担的“轨道交通减振用高性能复合弹性结构材料的应用”课题主要
是“炭黑／白炭黑的原位接枝改性技术”在高性能复合弹性材料中的产业化应用，使得减振
弹性元件产品的动静刚度提高，承载能力满足车厢实现“弹性悬挂”的要求；材料的抗蠕变
性能大幅度提高，压缩永久变形及各项抗老化性能较目前提高 50％-1倍，满足橡胶-金属
复合减振器使用寿命大于 10年的要求；复合弹性结构材料在高速列车运行条件下，疲劳升
热大幅度降低(不超过 900C)；材料耐老化性能(包括抗疲劳、耐热氧老化、耐紫外线、耐臭
氧老化等)和抗蠕变性能比现有水平提高 50％以上，与发达国家的先进水平相当。
该课题自 2001年底开展研究以来，承担单位和合作单位分别和合作申请国家专利共 10
项，其中发明专利 2项，实用新型 8项，课题新开发产品包括：橡胶车钩缓冲器、汽车推力
杆、轴箱橡胶垫以及汽车减振器用橡胶球铰系列等，部分新产品已经形成批量销售。至 2005
年 5月，本课题产品已实现销售达 8000多万元，出口创汇 200余万美元，实现利润 1800余
万元，为国家重点工程高速轨道交通的发展提供了技术保障。产品现已在株洲电力机车厂高
速机车“奥运之星”上进行装车试用；工程塑料挡板产品已在青藏铁路等工程中得到规模应
用并产生良好的经济效益。
